一種發光二極管芯片的計數方法和裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種發光二極管芯片的計數方法和裝置。
【背景技術】
[0002]隨著GaN基發光二極管(Light Emitting D1de，簡稱LED)在顯示和照明領域的廣泛應用，LED的市場需求數量呈現幾何級數增加，這對LED的生產效率和生產質量提出了更高要求。
[0003]為了檢測LED芯片的質量，通常由電荷親合元件(Charge-coupled Device，簡稱CCD)獲取待檢測芯片的圖像，由于外延片在圖像中表現為透明圖形，電極在圖像中表現為黑色圖形，因此利用芯片的圖像即可確定LED芯片是否有電極，進而確定正常芯片的數量。
[0004]在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題:
[0005]可見光無法穿透LED芯片中的分布式布拉格反射鏡(distributed Braggreflect1n，簡稱DBR)，帶有DBR的LED芯片在CCD下顯示為全黑圖形，此時無法利用芯片的圖像確定LED芯片是否有電極，造成正常芯片的計數不準確。
【發明內容】
[0006]為了解決現有技術無法確定帶有DBR芯片是否有電極、造成計數不準確的問題，本發明實施例提供了一種發光二極管芯片的計數方法和裝置。所述技術方案如下:
[0007]—方面，本發明實施例提供了一種發光二極管芯片的計數裝置，所述計數裝置包括:
[0008]光源模塊，用于將紅外光或紫外光照射待檢測的發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括外延片、電極、以及分布式布拉格反射鏡DBR;
[0009]取像模塊，用于獲取所述紅外光或所述紫外光穿透所述外延片和所述DBR所產生的圖像；
[0010]處理模塊，用于從所述圖像中識別并統計具有所述電極的發光二極管芯片。
[0011]可選地，所述處理模塊包括:
[0012]選取單元，用于在所述圖像上選取多個待測區域，所述待測區域的大小與標準圖像相同，所述標準圖像為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像，所述多個待測區域的集合覆蓋所述圖像；
[0013]獲取單元，用于獲取各個所述待測區域各個像素的灰度值；
[0014]比較單元，用于比較各個所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值，確定各個所述待測區域是否為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像。
[0015]具體地，所述比較單元用于，
[0016]當所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值的相似度不小于設定值時，判定所述待測區域為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像；
[0017]當所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值的相似度小于設定值時，判定所述待測區域不是具有所述電極的發光二極管芯片的圖像。
[0018]具體地，所述選取單元用于，
[0019]將選擇框在所述圖像上以Z字形滑動，每隔一個步長停頓一次，將每次停頓時選擇框中的所述圖像作為所述待測區域，所述步長為每次滑動的距離。
[0020]可選地，所述光源模塊包括:
[0021 ]光源，用于提供所述紅外光或所述紫外光；
[0022]調整單元，用于調整所述紅外光或所述紫外光的出射強度。
[0023 ]可選地，所述取像模塊為電荷耦合元件CXD。
[0024]另一方面，本發明實施例提供了一種發光二極管芯片的計數方法，所述計數方法包括:
[0025]將紅外光或紫外光照射待檢測的發光二極管芯片，所述發光二極管芯片包括外延片、電極、以及分布式布拉格反射鏡DBR;
[0026]獲取紅外光或紫外光穿透所述外延片和所述DBR所產生的圖像；
[0027]從所述圖像中識別并統計具有所述電極的發光二極管芯片。
[0028]可選地，所述從所述圖像中識別并統計具有所述電極的發光二極管芯片，包括:
[0029]在所述圖像上選取多個待測區域，所述待測區域的大小與標準圖像相同，所述標準圖像為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像，所述多個待測區域的集合覆蓋所述圖像；
[0030]獲取各個所述待測區域各個像素的灰度值；
[0031]比較各個所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值，確定各個所述待測區域是否為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像。
[0032]具體地，所述比較各個所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值，確定各個所述待測區域是否為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像，包括:
[0033]當所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值的相似度不小于設定值時，判定所述待測區域為具有所述電極的發光二極管芯片的圖像；
[0034]當所述待測區域各個像素的灰度值與所述標準圖像各個像素的灰度值的相似度小于設定值時，判定所述待測區域不是具有所述電極的發光二極管芯片的圖像。
[0035]具體地，所述在所述圖像上選取多個待測區域，包括:
[0036]將選擇框在所述圖像上以Z字形滑動，每隔一個步長停頓一次，將每次停頓時選擇框中的所述圖像作為所述待測區域，所述步長為每次滑動的距離。
[0037]本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0038]通過采用紅外光或紫外光照射待檢測的發光二極管芯片，紅外光和紫外光能穿透外延片和DBR且不能穿透電極，并獲取紅外光或紫外光穿透外延片和DBR所產生的圖像，從圖像中識別并統計具有電極的發光二極管芯片，實現確定帶有DBR芯片是否有電極，計數準確。
【附圖說明】
[0039]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0040]圖1是本發明實施例一提供的一種發光二極管芯片的計數裝置的結構示意圖；
[0041 ]圖2是本發明實施例一提供的發光二極管芯片的結構示意圖；
[0042]圖3是本發明實施例一提供的DBR反射率的變化曲線圖；
[0043]圖4是本發明實施例一提供的發光二極管芯片的圖像示意圖；
[0044]圖5是本發明實施例一提供的一種發光二極管芯片的計數方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0045]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
[0046]實施例一
[0047]本發明實施例提供了一種發光二極管芯片的計數裝置，參見圖1，該計數裝置包括:
[0048]光源模塊101，用于將紅外光或紫外光照射待檢測的發光二極管芯片200，發光二極管芯片包括外延片、電極、以及DBR;
[0049]取像模塊102，用于獲取紅外光或紫外光穿透外延片和DBR所產生的圖像；
[0050]處理模塊103，用于從圖像中識別并統計具有電極的發光二極管芯片。
[0051]在實際應用中，外延片包括襯底、以及依次層疊在襯底的第一表面上的GaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN層和GaN層交替形成的多量子阱層、P型GaN層。P型GaN層上設有從P型GaN層延伸至N型GaN層的凹槽，P型電極設置在P型GaN層上，N型電極設置在N型GaN層上。襯底的第二表面設有DBR，第二表面為與第一表面相反的表面。如圖2所示，I為電極，2為外延片，3為DBR。
[0052]待檢測的發光二極管芯片、取像模塊102依次位于光源模塊101出射的紅外光或紫外光的光路上，處理模塊103與取像模塊102電連接。具體地，光源模塊101位于第一表面一偵U，向電極所在側出射紅外光或紫外光;取像模塊102位于第二表面一側，從DBR所在側獲取圖像。
[0053]圖3為48層DBR的反射率的示意圖，從圖3可知，DBR對可見光(380?780nm)的反射率較高(80%?100%)，透過率低，CCD只能獲取全黑圖形;DBR對紅外光(700?100nm)和紫外光(280?400nm)的反射率較低(紅外光為25%，紫外光為15%)，紅外光和紫外光可以透過DBR。將紅外光或紫外光照射發光二極管芯片，能透過外延層和DBR且不能透過電極，獲取的圖像中可以發光二極管芯片是否具有電極，如圖4所示，圖4中具有黑色圓形和黑色方形的方框表不發光二極管芯片具有電極，透明方框表不發光二極管芯片沒有電極。
[0054]可選地，光源模塊101可以包括:
[0055]光源，用于提供紅外光或紫外光；
[0056]調整單元，用于調整紅外光或紫外光的出射強度，使取像模塊102可以獲取穩定清晰的圖像。
[0057]具體地，光源可以為紅外光源或紫外光源。
[0058]優選地，光源可以為LED。
[0059]可選地，取像模塊102可以為(XD。
[0060]可選地，處理模塊103可以包括:
[0061]選取單元，用于在圖像上選取多個待測區域，待測區域的大小與標準圖像相同，標準圖像為具有電極的發光二極管芯片的圖像，多個待測區域的集合覆蓋圖像；
[0062]獲取單元，用于獲取各個待測區域各