一種制作電子元器件的外電極的方法
【技術領域】
[0001 ]本發明涉及一種制作電子元器件的外電極的方法。
【背景技術】
[0002]近年來，隨著微電子電路表面貼裝技術(SMT)的應用和不斷完善，輕、薄、短、小成為衡量電子整機產品的重要標志，而要使電子設備小型化，首先要考慮電子元器件的小型化。電子元器件小型化后，產品對外電極的精度、外觀要求也提出了新的高度。元器件尺寸小型化后，端電極尺寸、間距也越來越小，特別是濾波器、磁珠排、壓敏排等多端子片式元器件，一個端頭需上多個電極，如外電極精度、平直性達不到要求，電極流掛、擴散所形成的魚肚、毛刺會導致片式元器件外觀及電性不良。多端子片式元器件外電極通常是以塑膠滾輪擠壓、涂布等物理方式在產品表面涂布電極漿料形成，因產品表面呈親水性，而電極漿料也屬親水性半流體，使得電極漿料在產品表面易潤濕、擴散、流掛，固化成型后外電極會形成魚肚、毛刺狀外觀不良。當外電極魚肚、毛刺狀嚴重時會造成相鄰電極連接而短路。魚肚、毛刺狀電極在電鍍過程會產生尖端放電效應，導致鍍層向磁體延伸過快而出現爬鍍外觀不良，嚴重時兩相鄰外電極連接在一起從而造成產品短路不良；同時魚肚、毛刺狀電極會導致產品雜散電容增加，進而影響產品其他電性指標。
[0003]如圖1所示，多端子片式元器件I在涂布外電極時，通常是在塑膠輪2上鑿出規定的凹槽3，然后使塑膠輪黏附電極漿料4再通過刮刀5將塑膠輪表面漿料刮除，僅塑膠輪凹槽位置黏附漿料，然后通過塑膠輪滾動、擠壓多端子片全式元器件，將電極漿料涂布在裸露的引出電極部位，使電極漿料將多端子片式元器件引出電極完覆蓋，然后通過干燥、高溫燒結得到與磁體結合牢固、致密的外電極。
[0004]多端子片式元器件胚體表面親水能力通常較強，而電極將料均為親水性流體，若直接實施涂布，則電極漿料在多端子片式元器件表面易潤濕、擴散、流掛，會形成魚肚狀的外電極6或毛刺狀的外電極7，如圖2所示。
[0005]傳統上解決上述問題的辦法有以下兩種:
[0006]1、通過提高漿料觸變指數、黏度，調整涂布參數，花費大量時間和物力成本，不但效果不顯著且一致性、重現性差；
[0007]2、通過疏水液對多端子片式元器件表面進行疏水改性處理，使多端子片式元器件表面生成疏水膜層具備疏水特性，降低電極漿料在產品表面潤濕、擴散、流掛程度，達到改善外電極魚肚、毛刺狀不良，但其疏水液常溫易揮發產生刺激性氣味，給作業環境造成污染，且疏水處理不滿足公制1608以下尺寸產品。
【發明內容】
[0008]本發明的主要目的在于克服現有技術的不足，提供一種制作電子元器件的外電極的方法，解決多端子片式元器件外電極流掛、擴散問題。另外，還提供了一種電子元器件的表面處理方法。
[0009]為實現上述目的，本發明采用以下技術方案:
[0010]—種制作電子元器件的外電極的方法，包括以下步驟:
[0011]S1、在對電子元器件涂布外電極前對其表面進行等離子改性處理，在電子元器件表面沉積生成均勻的S1x膜層，使電子元器件表面獲得一定疏水性能，所述電子元器件尤其是多端子片式元器件；
[0012]S2、對電子元器件涂布電極漿料以形成外電極。
[0013]進一步地:
[0014]在步驟S2之后，通過燒結的方式將產品表面沉積的S1x膜層除去。
[0015]步驟SI中，使用傳送帶使電子元器件通過放置在真空室中的靶材且不與所述靶材接觸，并加載單體HMDSO和作為載體的氬氣，所述靶材設置為-1000?-2600V的負電壓，所述傳送帶設置為-100?-600V的負電壓，處理過程中通入反應氣體，所述反應氣體、所述氬氣及所述單體HMDSO在電場的作用下電離形成等離子，所述單體HMDSO與與所述等離子中的高能粒子碰撞，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驅物，從而在電子元器件表面沉積生成均勻的S1x膜層。
[0016]所述靶材設置成矩形的箱體，所述箱體的寬度和高度為10-40cm，電子元器件在所述傳送帶上從所述箱體中間通過。
[0017]所述箱體的長度根據需要設置，且所述箱體在長度方向上采用分段或非分段設置。
[0018]所述靶材由銅、鐵、鎳、鎢、鉬、鈦中的任一種材料制成。
[0019]在靶材兩端設置金屬傳送帶定位軸，并使傳送帶及電子元器件處于靶材通道的中心，通過金屬傳送帶承載和運送電子元器件。
[0020]所述反應氣體為氫氣、氧氣、氮氣中的任一種。
[0021]—種電子元器件的表面處理方法，包括以下步驟:
[0022]在對電子元器件涂布外電極前對其表面進行等離子改性處理，在電子元器件表面沉積生成均勻的S1x膜層，使電子元器件表面獲得一定疏水性能，所述電子元器件尤其是多端子片式元器件。
[0023]所述等離子改性處理包括:使用傳送帶使電子元器件通過放置在真空室中的靶材且不與所述靶材接觸，并加載單體HMDSO和作為載體的氬氣，所述靶材設置為-1000?-2600V的負電壓，所述傳送帶設置為-100?-600V的負電壓，處理過程中通入反應氣體，所述反應氣體、所述氬氣及所述單體HMDSO在電場的作用下電離形成等離子，所述單體HMDSO與所述等離子中的高能粒子碰撞，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驅物，從而在電子元器件表面沉積生成均勻的S1x膜層。
[0024]本發明的有益效果:
[0025]本發明的處理方法能解決電子元器件尤其是多端子片式元器件外電極流掛、擴散不良，不但效果顯著、無污染，且易于操作且滿足所有尺寸產品。本發明的優點具體體現在以下方面:
[0026]1.能切底解決多端子片式元件器上外電極形成的魚肚、毛刺外觀，不會導致電極漿料在產品表面潤濕、擴散、流掛而形成魚肚、毛刺狀況電極。
[0027]2.等離子處理只是在端子片式元器件表面沉積一層極薄的S1x膜層，在其后的外電極高溫燒結過程會完全消除，對元件后續加工品質無任何影響，且不影響產品的任何特性。
[0028]3.此方法易實現且易操作周期短成本低，只需在端子片式元器件涂布外電極前增加一道等離子處理工藝即可，端電極工序增加一套等離子設備，端子片式元器件在等離子設備中按進料、等離子處理、出料連續作業，出料即可進行外電極涂布，因此等離子處理設備可與外電極涂布機進行串聯實現連續作業來提高效率。當然等離子處理設備參數設定、保存后，無需頻繁修改參數僅需調取對應程序即可，設備操作、工藝維護非常簡便。
【附圖說明】
[0029]圖1為多端子片式元器件涂布外電極的過程示意圖。
[0030]圖2為傳統方法多端子片式元器件直接涂布外電極的產品外觀。
[0031]圖3為本發明實施例制作的多端子片式元器件外電極的產品外觀。
【具體實施方式】
[0032]以下對本發明的實施方式作詳細說明。應該強調的是，下述說明僅僅是示例性的，而不是為了限制本發明的范圍及其應用。
[0033]在一種實施例中，一種電子元器件的表面處理方法，包括以下步驟:
[0034]在對電子元器件涂布外電極前對其表面進行等離子改性處理，在電子元器件表面沉積生成均勻的S1x膜層，使電子元器件表面獲得一定疏水性能，所述電子元器件尤其是多端子片式元器件。對于S1x膜層，其中的X例如可以是取不小于2，不大于4的數值。
[0035]在優選的實施例中，所述等離子改性處理包括:使用傳送帶使電子元器件通過放置在真空室中的靶材且不與所述靶材接觸，并加載單體HMDSO(六甲基二硅氧烷)和作為載體的氬氣，所述靶材設置為-1000?-2600V的負電壓，所述傳送帶設置為-100?-600V的負電壓，處理過程中通入反應氣體，所述反應氣體、所述氬氣及所述單體HMDSO在電場的作用下電離形成等離子，所述單體HMDSO與所述等離子中不斷加速的高能粒子碰撞，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驅物，從而在電子元器件表面沉積生成均勻的S1x膜層。
[0036]通過優選以六甲基二硅氧烷為單體的等離子處理，在對多端子片式元器件涂布外電極前對其表面進行等離子改性處理，使多端子片式元器件表面獲得一定疏水性能，從而顯著降低銀漿在元器件表面流動擴散蔓延程度，使得多端子片式元器件涂布的外電極8平直、光滑，無魚肚、毛刺，如圖3所示。通過這種處理，無需對電極漿料流變性、涂布工藝、參數做調試工作，其操作簡易方便。
[0037]在一種實施例中，一種制作電子元器件的外電極的方法，包括以下步驟:
[0038]S1、在對電子元器件涂布外電極前對其表面進行等離子改性處理，在電子元器件表面沉積生成均勻的S1x膜層，使電子元器件表面獲得一定疏水性能，所述電子元器件尤其是多端子片式元器件；
[0039]S2、對電子元器件涂布電極漿料以形成外電極。
[0040]在優選的實施例中，所述等離子改性處理包括:使用傳送帶使電子元器件通過放置在真空室中的靶材且不與所述靶材接觸，并加載單體HMDSO(六甲基二硅氧烷)和作為載體的氬氣，所述靶材設置為-1000?-2600V的負電壓，所述傳送帶設置為-100?-600V的負電壓，處理過程中通入反應氣體，所述反應氣體、所述氬氣及所述單體HMDSO在電場的作用下電離形成等離子，所述單體HMDSO與等離子中的高能粒子碰撞，形成活性自由基和聚合S1-O-Si前驅物，從而在電子元器件表面沉積生成均勻的S1x膜層。