一種刻蝕吸廢模具及其制造工藝的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發明涉及一種刻蝕吸廢模具及其制造工藝。
【背景技術】
[0002]刻蝕，英文為Etch，它是半導體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當重要的步驟。是與光刻相聯系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然后通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發展;廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工制造的一種普適叫法。
[0003]理想的刻蝕工藝必須具有以下特點:①各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向鉆蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形;②良好的刻蝕選擇性，即對作為掩模的抗蝕劑和處于其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多，以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性，不致發生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料;③加工批量大，控制容易，成本低，對環境污染少，適用于工業生產。濕法刻蝕這是傳統的刻蝕方法。把硅片浸泡在一定的化學試劑或試劑溶液中，使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發生化學反應而被除去。例如，用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜，用磷酸刻蝕鋁薄膜等。這種在液態環境中進行刻蝕的工藝稱為“濕法”工藝，其優點是操作簡便、對設備要求低、易于實現大批量生產，并且刻蝕的選擇性也好。但是，化學反應的各向異性較差，橫向鉆蝕使所得的刻蝕剖面呈圓弧形。這不僅使圖形剖面發生變化，而且當稍有過刻蝕時剖面會產生如圖中的虛線，致使薄膜上圖形的線寬比原抗蝕劑膜上形成的線寬小2垌X，并且垌X隨過刻蝕時間迅速增大。這使精確控制圖形變得困難。濕法刻蝕的另一問題，是抗蝕劑在溶液中，特別在較高溫度的溶液中易受破壞而使掩蔽失效，因而對于那些只能在這種條件下刻蝕的薄膜必須采用更為復雜的掩蔽方案。
[0004]而在刻蝕過程中產生的廢料的處理，已成為各個生產廠家關注的目標，刻蝕過程中產生的廢料若不能及時得到清除，將會對后續的處理過程產生影響，甚至會影響最終處理效果，而現有技術中，大多專注刻蝕廢液的處理，而對刻蝕過程中產生的廢料的處理并未有太多關注。
[0005]如專利公開號:CN104986771A，公開了一種多晶硅制絨刻蝕廢液的處理方法，它包括以下步驟:(a)在攪拌條件下，向廢液中加入堿金屬化合物反應至不再產生沉淀，過濾得第一沉淀和第一濾液;(b)在攪拌條件下，向所述第一濾液中加入堿土金屬化合物反應至不再產生沉淀，過濾得第二沉淀和第二濾液；(C)對所述第二濾液進行濃縮結晶得硝酸鹽固體。本發明多晶硅制絨刻蝕廢液的處理方法，通過向廢液中加入堿金屬化合物反應至不再產生沉淀，過濾后向濾液中加入堿土金屬化合物再過濾，最后濃縮，這樣能夠將廢液中的氟硅酸根離子、氟離子除去，并得到氟硅酸鹽、氟化鹽及硝酸鹽固體，既能夠保護環境，又能夠產生新的經濟效益。
【發明內容】
[0006]為解決上述存在的問題，本發明的目的在于提供一種刻蝕吸廢模具及其制造工藝，所述模具結構簡單，使用方便，可有效吸收刻蝕過程中產生的廢料，提升使用效率，且制造工藝簡單，制造效率高。
[0007]為達到上述目的，本發明的技術方案是:
一種刻蝕吸廢模具，包括:一第一離型紙層，形狀為方形;若干第一雙面膠層，形狀為條形，沿第一離型紙層寬度方向放置，并沿第一離型紙層長度方向等距平行設置于所述第一離型紙層離型面上，其表面沿長度方向間隔設有一第一條形孔及第一方孔;若干復合膠層，分別層疊設置于所述第一雙面膠層上表面，由第二離型紙層及設置于所述第二離型紙層離型面的第二雙面膠層層疊形成，包括連接部及設置于所述連接部寬度方向一端的凸起部，所述連接部形狀與第一雙面膠層形狀相對應，其表面沿長度方向間隔開設有第二條形孔及第二方孔，所述第二條形孔與凸起部位于第二方孔兩側;所述復合膠層通過第二雙面膠層設置于所述第一雙面膠層上表面;所述第一離型紙層表面開設有若干通孔組，每通孔組中的通孔分別設置于各復合膠層連接部寬度方向相對凸起部的另一側及連接部長度方向一側。
[0008]進一步，所述第一離型紙層為格拉辛紙層。
[0009]另，所述第一離型紙層離型力為3~5gf/in。
[0010]另有，所述第一雙面膠層和第二雙面膠層分別為3M⑶B610背膠層。
[0011 ] 再，所述第一離型紙層每組通孔組中通孔數量為3個，第一?第三通孔，第一通孔設置于復合膠層連接部寬度方向相對凸起部的另一側，第二、第三通孔設置于復合膠層連接部長度方向一側。
[0012]再有，所述第一離型紙層上每組通孔組中的第二、第三通孔均位于各復合膠層連接部同側。
[0013]且，所述第一雙面膠層的數量為4個，對應地，所述復合膠層的數量為4個。
[0014]同時，本發明還提供一種刻蝕吸廢模具的制造工藝，包括如下步驟:
1)清理操作臺，保證操作臺上無廢料、灰塵、油污；
2)取墊板，放置于操作臺上，墊板表面開設有固定孔，取由下至上層疊設置的第三離型紙層、第三雙面膠層及由雙面膠和離型紙層疊復合形成的復合離型膜層，放置于墊板上；
3)取第一蝕刻刀，表面設置與所述第一雙面膠層第一條形孔及第一方孔相配合的第一切割孔，第一蝕刻刀在所述墊板上對第三雙面膠層及復合離型膜層進行模切，模切至第三離型紙層上表面，在第三雙面膠層上形成第一條形孔及第一方孔，并對應地在復合離型膜層上形成第二條形孔及第二方孔，清除廢料；
4)取下第一蝕刻刀，取第二蝕刻刀，表面設有與所述復合膠層形狀相配合的第二切割孔，第二蝕刻刀在所述墊板上對步驟3)處理后的第三雙面膠層及復合離型膜層進行模切，模切至第三離型紙層上表面，形成復合膠層的連接部及凸起部，得所述第一雙面膠層及復合膠層，清除廢料；
5)取下第二蝕刻刀，將一排廢低粘膜層復合至步驟4)所得復合膠層中的第二離型紙層非離型面上；
6)取第三蝕刻刀，表面設有與所述第一離型紙層表面通孔組通孔相對應的若干第三切割孔，第三蝕刻刀在所述墊板上對步驟5)處理后的第三離型紙層、第一雙面膠層、復合膠層及排廢低粘膜層進行模切，在第三離型紙層表面形成所述通孔組各通孔，得所述第一離型紙層；
7)撕去所述排廢低粘膜層，清楚廢料，切片，完成所述刻蝕吸廢模具的制造。
[0015]再有，所述墊板表面固定孔數量為3個，呈等腰三角形排布，對應地，所述第一蝕刻刀上設有3個第一定位孔、所述第二蝕刻刀上設有3個第二定位孔、所述第三蝕刻刀上設有3個第三定位孔，步驟2)所述第三離型紙層、第三雙面膠層及復合離型膜層放置于所述3個固定孔之間。
[0016]另，所述排廢低粘膜層為PE低粘膜層，所述墊板為PVC板。
[0017]本發明的有益效果在于:
所述刻蝕吸廢模具，有多層結構層疊形成，其中，第一雙面膠層和復合膠層復合后多個分布于第一離型紙層離型面，提高吸廢效率，加工過程中，由于定位孔較多，采用三套蝕刻刀模進行套切加工工藝，加工定位精確，成型率高，加工方便。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發明實施例所提供的一種刻蝕吸廢模具的結構示意圖。
[0019]圖2為圖1的分解圖。
[0020]圖3為本發明實施例所提供的一種刻蝕吸廢模具中復合膠層的剖視圖。
[0021]圖4為本發明實施例所提供的一種刻蝕吸廢模具制造工藝中第三離型紙層、第三雙面膠層及復合離型膜層的結構示意圖。
[0022]圖5為本發明實施例所提供的一種刻蝕吸廢模具制造工藝中所用第一蝕刻刀的結構示意圖。
[0023]圖6為本發明實施例所提供的一種刻蝕吸廢模具制造工藝中所用第二蝕刻刀的結構示意圖。
[0024]圖7為本發明實施例所提供的一種刻蝕吸廢模具制造工藝中所用第三蝕刻刀的結構示意圖。
[0025]圖8為本發明實施例所提供的一種刻蝕吸廢模具制造工藝中所用墊板的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0026]參照圖1?圖8，本發明所述的一種刻蝕吸廢模具，包括:一第一離型紙層I，形狀為方形;若干第一雙面膠層2，形狀為條形，沿第一離型紙層I寬度方向放置，并沿第一離型紙層I長度方向等距平行設置于所述第一離型紙層I離型面上，其表面沿長度方向間隔設有一第一條形孔21及第一方孔22;若干復合膠層3，分別層疊設置于所述第一雙面膠層2上表面，由第二離型紙層31及設置于所述第二離型紙層31離型面的第二雙面膠層32層疊形成，包括連接部33及設置于所述連接部33寬度方向一端的凸起部34，所述連接部33形狀與第一雙面膠層2形狀相對應，其表面沿長度方向間隔開設有第二條形孔331及第二方孔332，所述第二條形孔331與凸起部34位于第二方孔332兩側;所述復合膠層3通過第二雙面膠層32設置于所述第一雙面膠層2上表面;所述第一離型紙層I表面開設有若干通孔組，每通孔組中的通孔11分別設置于各復合膠層3連接部33寬度方向相對凸起部34的另一側及連接部33長度方向