一種低電磁吸收比的天線的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及天線，尤其涉及一種低電磁吸收比的天線。
【背景技術】
[0002]在2G與3G無限通信系統中，所支持的頻率范圍為824 — 960MHz，1710 — 2170MHz。
[0003]隨著第四代行動通信的普及，TDD-LTE與n)D-LTE的使用，在國內支持TDD-LTE頻段38/39/40/41，其頻率范圍從2300 — 2400MHz與2496 — 2790MHz，同時北美支持!7DD-LTE頻段13與17，其頻率范圍為704 — 787MHz。
[0004]在受限于移動式裝置的有效空間，需要設計支持多模的天線。在移動通信市場上，除強調通信品質的質量，也同時注重低電磁吸收比的天線設計，因此，如何設計一種低電磁吸收比的天線是本領域技術人員亟待解決的技術問題。
【發明內容】
[0005]為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種低電磁吸收比的天線。
[0006]本發明提供了一種低電磁吸收比的天線，包括接地單元、第一輻射單元、第二輻射單元和饋電單元，其中，所述接地單元的一端與所述第一福射單元連接，所述接地單元的另一端與所述第二輻射單元連接，所述接地單元、第一輻射單元、第二輻射單元圍合成具有開口的框形，所述饋電單元位于所述框形之內，所述開口位于所述第一輻射單元、第二輻射單元之間。
[0007]作為本發明的進一步改進，所述饋電單元為T型，所述饋電單元包括饋電部和自所述饋電部的頂端往相反方向延伸的第一激發單元、第二激發單元，所述饋電部垂直于所述第一激發單元、第二激發單元，所述第一激發單元與所述第一輻射單元形成耦合，所述第二激發單元與所述第二輻射單元形成耦合，第一激發單元、第二激發單元形成平衡式饋入。
[0008]作為本發明的進一步改進，所述饋電部的底端設有饋電點。
[0009]作為本發明的進一步改進，所述接地單元為直線狀，所述接地單元的中點設有短路點，所述接地單元分別與所述第一激發單元、第二激發單元相平行。
[0010]作為本發明的進一步改進，所述第一輻射單元包括與所述接地單元連接的第一連接體和與所述第一連接體連接的第一輻射單體，所述第一連接體垂直于所述接地單元，所述第一輻射單體平行于所述接地單元。
[0011]作為本發明的進一步改進，所述第二輻射單元包括與所述接地單元連接的第二連接體和與所述第二連接體連接的第二輻射單體，所述第二連接體垂直于所述接地單元，所述第二輻射單體平行于所述接地單元。
[0012]作為本發明的進一步改進，所述第一輻射單體在所述接地單元上的投影與所述第一激發單元在所述接地單元上的投影至少有部分相重合，所述第二輻射單體在所述接地單元上的投影與所述第二激發單元在所述接地單元上的投影至少有部分相重合。
[0013]作為本發明的進一步改進，所述第一連接體、第一輻射單體的總長為Xl，X1為低頻800Hz的四分之一波長，所述第二連接體、第二輻射單體的總長為X2，X2為低頻900Hz的四分之一波長。
[0014]作為本發明的進一步改進，所述饋電部、第一激發單元的總長為Yl，Yl略低于或者低于低頻800Hz的四分之一波長，所述饋電部、第二激發單元的總長為Y2，Y2略低于或者低于低頻900Hz的四分之一波長。
[0015]作為本發明的進一步改進，所述第一輻射單體遠離所述第一連接體的一端設有第一開路，所述第二輻射單體遠離所述第二連接體的一端設有第二開路。
[0016]本發明的有益效果是:通過上述方案，可通過饋電單元分別與所述第一輻射單元、第二輻射單元形成耦合，實現輻射能量的平均分布，達到低電磁吸收比的目的。
【附圖說明】
[0017]圖1是本發明一種低電磁吸收比的天線的示意圖。
【具體實施方式】
[0018]下面結合【附圖說明】及【具體實施方式】對本發明進一步說明。
[0019]圖1中的附圖標號為:短路點I;饋電點2;接地單元3;第一輻射單體4;第一連接體5;第一開路6;第二輻射單體7;第二開路8;第二連接體9;饋電部10;第一激發單元11;第二激發單元12。
[0020]如圖1所示，一種低電磁吸收比的天線，包括接地單元3、第一輻射單元、第二輻射單元和饋電單元，其中，所述接地單元3的一端與所述第一福射單元連接，所述接地單元3的另一端與所述第二輻射單元連接，所述接地單元、第一輻射單元、第二輻射單元圍合成具有開口的框形，所述饋電單元位于所述框形之內，所述開口位于所述第一輻射單元、第二輻射單元之間。
[0021 ] 如圖1所示，所述饋電單元為T型，所述饋電單元包括饋電部1和自所述饋電部1的頂端往相反方向延伸的第一激發單元11、第二激發單元12，所述饋電部10垂直于所述第一激發單元11、第二激發單元12，所述第一激發單元11與所述第一輻射單元形成耦合，所述第二激發單元12與所述第二輻射單元形成耦合，第一激發單元11、第二激發單元12形成平衡式饋入，通過平衡式饋入將輻射能量平均分布在所述第一激發單元11、第二激發單元12上，以達到低電磁吸收比的作用。
[0022]如圖1所示，所述饋電部10的底端設有饋電點2。
[0023]如圖1所示，所述接地單元3為直線狀，所述接地單元3的中點設有短路點I，所述接地單元3分別與所述第一激發單元11、第二激發單元12相平行。
[0024]如圖1所示，所述第一福射單元包括與所述接地單元3連接的第一連接體5和與所述第一連接體5連接的第一輻射單體4，所述第一連接體5垂直于所述接地單元3，所述第一福射單體4平行于所述接地單元3。
[0025]如圖1所示，所述第二輻射單元包括與所述接地單元3連接的第二連接體9和與所述第二連接體9連接的第二輻射單體7，所述第二連接體9垂直于所述接地單元3，所述第二福射單體7平行于所述接地單元3。
[0026]如圖1所示，所述第一輻射單體4在