無封裝led閃燈、其驅動芯片及制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體芯片制造工藝技術領域，尤其涉及一種無封裝LED閃燈驅動芯片、無封裝LED閃燈驅動芯片的制作方法和無封裝LED閃燈。
【背景技術】
[0002]目前，有一類發光二極管(Lighting Emitting D1de,簡稱LED)閃燈產品是將幾個LED燈和驅動芯片共同封裝在透明的環氧樹脂內，此類產品的驅動芯片外沒有不透明樹脂封裝。
[0003]此類產品的驅動芯片的制作方法，如圖1所示，現有技術的無封裝LED閃燈的驅動芯片的制作方法，包括:P型講制作；N型金屬氧化物半導體(Negative channel MetalOxide Semiconductor, NMOS)源漏制作；P 型金屬氧化物半導體(positive channel MetalOxide Semiconductor, PM0S)源漏制作；引線孔制作；金屬引線制作；護層制作。如圖2所示，現有技術中圖1所示制作方法中驅動芯片的護層制作的步驟，包括:護層沉積；護層光刻；護層刻蝕。
[0004]此類LED閃燈產品在光照的環境下驅動芯片的漏電流會增大，導致部分驅動芯出現功能異常，由于漏電流增大，表現為LED燈出現關不斷的常亮現象。
【發明內容】
[0005]針對現有技術中的缺陷，本發明提供一種無封裝LED閃燈驅動芯片、無封裝LED閃燈驅動芯片的制作方法和無封裝LED閃燈，既能夠不影響終端產品的外觀及亮度，又能夠有效的解決由于光照導致的驅動芯片漏電流增大的問題。
[0006]第一方面，本發明提供一種無封裝LED閃燈的驅動芯片的制作方法，包括:
[0007]提供依次形成有P型阱、N型金屬氧化物半導體NMOS源漏、P型金屬氧化物半導體PMOS源漏、引線孔，金屬引線的襯底；
[0008]在所述襯底上形成包括遮光金屬層的護層。
[0009]可選地，所述在所述襯底上形成包括遮光金屬層的護層的步驟，包括:
[0010]在所述襯底上形成護層薄膜；
[0011]在所述護層薄膜上形成包括開口區的遮光金屬層；
[0012]在所述開口區的護層薄膜上涂第一光刻膠并使用護層掩模板對所述第一光刻膠進行曝光和顯影，形成第一光刻膠完全去除區域；
[0013]刻蝕掉所述第一光刻膠完全去除區域的護層薄膜。
[0014]可選地，所述在所述護層薄膜上形成包括開口區的遮光金屬層的步驟，包括:
[0015]在所述護層薄膜上形成遮光金屬層薄膜；
[0016]在所述遮光金屬層薄膜上涂第二光刻膠并使用遮光金屬層掩模板對所述第二光刻膠進行曝光和顯影，形成第二光刻膠完全保留區域和第二光刻膠完全去除區域；
[0017]刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層薄膜，剝離光刻膠，形成包括開口區的遮光金屬層。
[0018]可選地，在所述遮光金屬層薄膜上涂第二光刻膠并使用遮光金屬層掩模板對所述第二光刻膠進行曝光和顯影，形成第二光刻膠完全保留區域和第二光刻膠完全去除區域的步驟中，所述遮光金屬層掩模板曝光的圖形在壓焊點位置，所述遮光金屬層與壓焊點的間距大于50um。
[0019]可選地，所述刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層薄膜的步驟，包括:
[0020]使用等離子干法蝕刻工藝刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層薄膜。
[0021]可選地，所述刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層薄膜的步驟，包括:
[0022]使用濕法蝕刻工藝刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層薄膜。
[0023]可選地，所述遮光金屬層的材料為鋁。
[0024]第二方面，本發明提供一種無封裝LED閃燈的驅動芯片，包括:P型阱、NMOS源漏、PMOS源漏、引線孔，金屬引線和護層，所述護層包括遮光金屬層。
[0025]可選地，所述遮光金屬層的材料為鋁。
[0026]第三方面，本發明提供一種無封裝LED閃燈，包括:驅動芯片，所述驅動芯片為權利要求8或9所述的驅動芯片。
[0027]由上述技術方案可知，在本發明的無封裝LED閃燈驅動芯片、無封裝LED閃燈驅動芯片的制作方法和無封裝LED閃燈中，通過在驅動芯片制作的過程中，在驅動芯片護層上再增加一層遮光金屬層，由于金屬的反光作用，所以在加入遮光金屬層之后，既能夠不影響終端產品的外觀及亮度，又能夠有效的解決由于光照導致的驅動芯片漏電流增大的問題。
【附圖說明】
[0028]圖1為現有技術的無封裝LED閃燈的驅動芯片的制作方法的流程示意圖；
[0029]圖2為現有技術中圖1所示制作方法中驅動芯片的護層制作步驟的流程示意圖；
[0030]圖3為本發明第一實施例提供的無封裝LED閃燈的驅動芯片的制作方法的流程示意圖；
[0031]圖4為本發明第二實施例提供的無封裝LED閃燈的驅動芯片的制作方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0032]為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他的實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0033]第一實施例
[0034]圖3示出了本發明第一實施例提供的無封裝LED閃燈的驅動芯片的制作方法的流程示意圖，如圖1所示，本實施例的無封裝LED閃燈的驅動芯片的制作方法如下所述。
[0035]301、提供依次形成有P型阱、N型金屬氧化物半導體NMOS源漏、P型金屬氧化物半導體PMOS源漏、引線孔，金屬引線的襯底。
[0036]可理解的是，本步驟的依次形成P型講、NMOS源漏、PMOS源漏、引線孔，金屬引線的方法與圖1所示現有技術中相應的步驟相同，其細節此處不再贅述。
[0037]302、在所述襯底上形成包括遮光金屬層的護層。
[0038]優選地，本步驟的遮光金屬層的材料可以為鋁。
[0039]本實施例的無封裝LED閃燈的驅動芯片的制作方法，通過在現有技術中的驅動芯片護層上再增加一層遮光金屬層，由于金屬的反光作用，所以在加入遮光金屬層之后，既能夠不影響終端產品的外觀及亮度，又能夠有效的解決由于光照導致的驅動芯片漏電流增大的問題。
[0040]在具體應用中，前述方法的步驟302可以包括圖中未示出的步驟302a_302d:
[0041 ] 302a、在所述襯底上形成護層薄膜。
[0042]302b、在所述護層薄膜上形成包括開口區的遮光金屬層。
[0043]在具體應用中，步驟302b可以包括圖中未示出的步驟S1-S3:
[0044]S1、在所述護層薄膜上形成遮光金屬層薄膜。
[0045]在具體應用中，本步驟可以使用金屬濺射機臺(例如:瓦里安鋁濺射機臺3290)，淀積一層金屬(優選:鋁)，因不考慮電流承載能力及打線要求，金屬(優選:鋁)厚度可以遠小于金屬引線層厚度(例如:3000埃至5000埃)。
[0046]S2、在所述遮光金屬層薄膜上涂第二光刻膠并使用遮光金屬層掩模板對所述第二光刻膠進行曝光和顯影，形成第二光刻膠完全保留區域和第二光刻膠完全去除區域。
[0047]應說明的是，所述遮光金屬層掩模板曝光的圖形只有壓焊點位置(所述遮光金屬層掩模板的圖形與護層掩模板的圖形類似)，所述遮光金屬層與壓焊點的間距大于50um，以保證壓焊點的焊線不會與所述遮光金屬層短路。
[0048]S3、刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層薄膜，剝離光刻膠，形成包括開口區的遮光金屬層。
[0049]舉例來說，在本步驟中可以使用等離子干法蝕刻工藝刻蝕掉所述第二光刻膠完全去除區域的金屬層薄膜，例如所述遮光金屬層的材料優選為鋁AL時:
[0050]2AL+3CL2 — 2ALCL3or AL2CL6。
[0051]舉例來說，在本步驟中由于無線