一種同軸結構數據線的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及電線電纜領域，特別是涉及一種同軸結構數據線。
【背景技術】
[0002]關于現在市場電子產品的USB數據線的傳輸方式，目前市場上的電子產品的USB數據線主要為Type-A轉Type-B或者是Type-A轉Type-Micro B或是Type-Α轉Type-Α結構。這樣的USB數據線傳輸方式造成市場中USB線材種類繁多，且各種數據線之間又不可兼容使用，在使用時USB數據線端口需分正反面，在無形中浪費了寶貴時間，這對于現在高速發展的社會來說是急需解決的問題。
[0003]在現有的USB數據線中都是兩芯芯線對絞、接地線、繞包屏蔽層組成差分信號對來進行傳輸，且現有的USB數據線在電源線壓降以及電源線額定電流方面無法滿足USB協會最新USB3.1標準中Type-C的要求，因此面臨著淘汰的危機。
【發明內容】
[0004]本發明的目的是克服現有技術中的不足之處，提供一種使用了相鄰兩條同軸線代替兩芯對絞芯線的同軸結構數據線，以使得信號傳輸更穩定，從而滿足現代社會對數據線的要求。
[0005]本發明的目的是通過以下技術方案來實現的:
[0006]—種同軸結構數據線，包括:Vbus芯線、第一高速信號線對、第二高速信號線對、低速信號線對、屏蔽層、接地層及包覆層；
[0007]所述第一高速信號線對、所述第二高速信號線對及所述低速信號線對依次卷繞于所述Vbus芯線上；
[0008]所述屏蔽層包覆所述第一高速信號線對、所述第二高速信號線對及所述低速信號線對；
[0009]所述接地層包覆所述屏蔽層；
[0010]所述包覆層包覆所述接地層；
[0011 ] 所述第一高速信號線對包括SSTXpl芯線及SSTXnl芯線；
[0012]所述第二高速信號線對包括SSRXpl芯線及SSRXnl芯線；
[0013]所述低速信號線對包括Dpl芯線及Dnl芯線。
[0014]在其中一個實施例中，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線分別具有:導體層、包覆所述導體層的絕緣層、包覆所述絕緣層的銅絲纏繞層、包覆所述銅絲纏繞層的銅箔層、包覆所述銅箔層的聚脂帶。
[0015]在其中一個實施例中，所述SSRXpl芯線、SSRXnl芯線分別具有:導體層、包覆所述導體層的絕緣層、包覆所述絕緣層的銅絲纏繞層、包覆所述銅絲纏繞層的銅箔層、包覆所述銅箔層的聚脂帶。
[0016]在其中一個實施例中，所述Dpl芯線、Dnl芯線分別具有:導體層、包覆所述導體層的絕緣層、包覆所述絕緣層的銅絲纏繞層、包覆所述銅絲纏繞層的銅箔層、包覆所述銅箔層的聚脂帶。
[0017]在其中一個實施例中，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設置。
[0018]在其中一個實施例中，所述SSTXnl芯線、SSTXpl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設置。
[0019]在其中一個實施例中，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXnl芯線、SSRXpl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設置。
[0020]在其中一個實施例中，所述SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dnl芯線及Dpl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設置。
[0021]在其中一個實施例中，所述SSTXnl芯線、SSTXpl芯線、SSRXnl芯線、SSRXpl芯線、Dpl芯線及Dnl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設置。
[0022]在其中一個實施例中，所述SSTXnl芯線、SSTXpl芯線、SSRXnl芯線、SSRXpl芯線、Dnl芯線及Dpl芯線依次卷繞于所述Vbus芯線設置。
[0023]與現有技術相比，本發明使用了第一高速信號線對及第二高速信號線對組成的差分信號對來進行數據傳輸，代替了傳統的兩芯對絞芯線、接地線、繞包屏蔽層組成的差分信號對來進行數據傳輸的方式，使傳輸信號更加的穩定，各線材的尺寸更小，組合結構更加圓整，組合成的線材產品更加柔軟且具有彈性，從而滿足了現代社會對USB數據線產品的要求。
【附圖說明】
[0024]圖1為本發明一實施例中的同軸結構數據線的橫截面示意圖；
[0025]圖2為圖1所示的同軸結構數據線的各條SSTXpl芯線、SSTXnl芯線、SSRXpl芯線、SSRXnl芯線、Dpl芯線、Dnl芯線的橫截面示意圖。
【具體實施方式】
[0026]下面結合實施例及附圖對本發明作進一步詳細的描述，但本發明的實施方式不限于此。
[0027]如圖1所示為本發明一實施例中的同軸結構數據線10的橫截面示意圖，其中，Vbus是指連接到電子產品中的電源正極，SSTXp I及SSTXnI是指連接到電子產品中USB3.1信號線對，SSRXpl及SSRXnl是指連接到電子產品中USB3.1信號線對，Dpl及Dnl是指連接到電子產品中的USB2.0信號線對。
[0028]同軸結構數據線10包括:Vbus芯線100、第一高速信號線對200、第二高速信號線對300、低速信號線對400、屏蔽層500、接地層600及包覆層700。
[0029]第一高速信號線對200、第二高速信號線對300及低速信號線對400依次卷繞于Vbus芯線100上。屏蔽層500包覆第一高速信號線對200、第二高速信號線對300及低速信號線對400 ο接地層600包覆屏蔽層500，包覆層700包覆接地層600。
[0030]第一高速信號線對200包括SSTXpl芯線210及SSTXnl芯線220，第二高速信號線對300包括SSRXpl芯線310及SSRXnl芯線320，低速信號線對400包括Dpl芯線410及Dnl芯線420。
[0031]本發明通過第一高速信號線對200、第二高速信號線對300及低速信號線對400依次卷繞于Vbus芯線100上，并使用屏蔽層500、接地層600及包覆層700依次進行包裹，組成新的USB數據線。
[0032]在本發明的同軸結構數據線10中，第一高速信號線對200的SSTXpl芯線210及SSTXnl芯線220位置可進行交換，第二高速信號線對300的SSRXpl芯線310及SSRXnl芯線320位置可進行交換，低速信號線對400的Dpl芯線410及Dnl芯線420位置可進行交換。
[0033]因此，本發明的同軸結構數據線10具有以下排列組合方式:
[0034]1、55了父？1芯線210、55了父111芯線220、551??1芯線310、551?111芯線320、0?1芯線410及Dnl芯線420依次卷繞于Vbus芯線設置；
[0035]2、SSTXnl 芯線 220、SSTXpl 芯線 210、SSRXpl 芯線 310、SSRXnl 芯線 320、Dpl 芯線 410及Dnl芯線420依次卷繞于Vbus