一種印刷am-qdled器件及其制備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及發光二極管技術領域，尤其涉及一種印刷AM-QDLED器件及其制備方 法。
【背景技術】
[0002] 由于擁有大面積、柔性化與低成本等FMM或SMS掩膜板生產方式所不具備的特征 點，印刷有機發光二極管(0LED)和量子點-有機發光二極管QD-LED技術越來越受到廠商的 關注。但作為一個新興技術，溶液法印刷技術和印刷工藝一直未能得到很好的解決。雖然研 究者們從材料及噴印設備對其進行了改進，但是印刷出的薄膜形貌不均勻等印刷難題一直 未能達到預期結果。
[0003] 在常規印刷AM-QDLED或AM0LED器件中，像素界定層(PDL或Bank)為呈現上窄下寬 的結構以限制墨水在印刷時向四周溢出。該像素界定層一般為負性光刻膠，其表面光滑。為 保證墨水成膜的均勻性，Bank內部需與墨水呈現親液性質，而同時為避免墨滴飛濺和相鄰 像素點間墨水融合，Bank上半部分需要與液體呈現疏液性質。常規印刷墨水為單一溶劑體 系，則在印刷中為實現Bank上部疏液而下部親液效果，Bank往往由多種材料并經過多次復 雜工序制成。通過此方式以保證墨水對Bank親疏液性，存在多次對位、曝光、顯影和刻蝕工 序，產生制作難度上升、制作工藝復雜、器件整體均勻性差和表面成膜性差等缺點，極大的 限制了印刷技術在大尺寸顯示器制造方向上的運用。
[0004] 因此，現有技術還有待于改進和發展。
【發明內容】
[0005] 鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種印刷AM-QDLED器件及其制 備方法，旨在解決現有像素界定層制作難度上升、制作工藝復雜、器件整體均勻性差和表面 成膜性差的問題。
[0006] 本發明的技術方案如下： 一種印刷AM-QDLED器件的制備方法，其中，包括步驟： A、 在基板上沉積TFT驅動陣列，然后在TFT驅動陣列上沉積陽極層； B、 在陽極層上涂覆光刻膠，并采用曝光的方法將光刻膠制作成梯形結構的像素界定 層，然后在梯形結構的像素界定層的上部制作一粗糙層； C、 在像素界定層的溝槽內依次制作電子注入層、電子傳輸層和量子點發光層； D、 在量子點發光層上依次制作空穴傳輸層、空穴注入層和陰極層，得到印刷AM-QDLED 器件。
[0007] 所述的印刷AM-QDLED器件的制備方法，其中，所述步驟A中，所述基板為剛性基板 或柔性基板。
[0008] 所述的印刷AM-QDLED器件的制備方法，其中，所述步驟A具體包括步驟:對基板進 行潔凈處理，接著在基板上沉積TFT驅動陣列并進行退火處理，然后在TFT驅動陣列上沉積 陽極層并進行刻蝕形成陽極圖案。
[0009]所述的印刷AM-QDLED器件的制備方法，其中，所述步驟B中，所述光刻膠的材料包 含樹脂、感光劑、溶劑和添加劑。
[0010]所述的印刷AM-QDLED器件的制備方法，其中，所述步驟B具體包括步驟:在陽極層 上以旋涂工藝涂覆光刻膠并烘干，然后在光刻膠表面壓制凹槽并進行刻蝕處理，壓制完后 對基板再烘干，烘干后通過曝光方式使光刻膠進行交聯，形成上窄下寬且上表面粗糙的像 素界走層。
[0011]所述的印刷AM-QDLED器件的制備方法，其中，所述步驟B具體包括步驟:在陽極層 上以旋涂工藝涂覆光刻膠并烘干，然后通過曝光方式使光刻膠進行交聯，隨后對交聯后的 光刻膠進行模壓并刻蝕處理，形成上窄下寬且上表面粗糙的像素界定層。
[0012]所述的印刷AM-QDLED器件的制備方法，其中，所述步驟B具體包括步驟:在陽極層 上以旋涂工藝第一次涂覆光刻膠并烘干，待該層光刻膠烘干并定型后進行第二次涂覆光刻 膠，隨后再進行烘干和定型，待兩層光刻膠定型后以圖案化掩膜板對位進行曝光，形成上窄 下寬且上表面粗糙的像素界定層。
[0013]所述的印刷AM-QDLED器件的制備方法，其中，所述步驟C中，所述量子點發光層的 量子點的溶劑為墨水，所述墨水由兩種不同沸點和不同表面張力的溶劑組成。
[0014] 所述的印刷AM-QDLED器件的制備方法，其中，所述步驟D之后還包括步驟： E、沉積陰極層后沉積水氧阻隔層和保護層，最后再貼覆除濕劑封裝，最終完成印刷AM-QDLED器件的制備。
[0015] -種印刷AM-QDLED器件，其中，采用如上任一所述的印刷AM-QDLED器件的制備方 法制備而成。
[0016] 有益效果:本發明通過在像素界定層的上部制作一粗糙層，使粗糙層與墨水之間 形成Wenze 1效應，放大墨水初期與像素界定層表面之間的接觸角，在不增加外材料和工藝 難度的前提下保證了像素界定層上表面對墨水有較高的疏液性。
【附圖說明】
[0017] 圖1為本發明一種印刷AM-QDLED器件的制備方法較佳實施例的流程圖。
[0018] 圖2為本發明納米壓印槽形貌的示意圖。
[0019] 圖3為本發明先壓印后曝光制作粗糙層的工藝流程圖。
[0020] 圖4為本發明先曝光后壓印制作粗糙層的工藝流程圖。
[0021 ]圖5為本發明兩次涂覆制作粗糙層的工藝流程圖。
[0022]圖6為本發明墨水印刷后初期：^ > ys時墨水分布與溶質顆粒流向的示意圖。 [0023]圖7為本發明墨水印刷后逐步干燥，墨水和Bank間逐漸浸潤性逐步提高時溶質顆 粒流向的示意圖。
[0024] 圖8為本發明墨水印刷后期汾:.<..γ&時墨水分布與QD流向的不意圖。
[0025] 圖9為本發明量子點發光層干燥完畢后器件形貌的結構示意圖。
[0026] 圖10為本發明的封裝印刷AM-QDLED器件的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0027]本發明提供一種印刷AM-QDLED器件及其制備方法，為使本發明的目的、技術方案 及效果更加清楚、明確，以下對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施 例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0028]請參閱圖1，圖1為本發明一種印刷AM-QDLED器件的制備方法較佳實施例的流程 圖，如圖所示，其包括步驟： S100、在基板上沉積TFT驅動陣列，然后在TFT驅動陣列上沉積陽極層； S200、在陽極層上涂覆光刻膠，并采用曝光的方法將光刻膠制作成梯形結構的像素界 定層，然后在梯形像素界定層的上部制作一粗糙層； S300、在像素界定層的溝槽內依次制作電子注入層、電子傳輸層和量子點發光層； S400、在量子點發光層上依次制作空穴傳輸層、空穴注入層和陰極層，得到AM-QDLED器 件。
[0029]本發明在不改變Bank材料體系的前提下在Bank材料表面上增加粗糙度，形成一層 粗糙層。由于表面粗糙度的增加，根據Wenzel效應則基板與墨水之間浸潤能力效果也被放 大，使對基板略疏液的墨水變為超疏液狀態，保證了墨水在印刷時僅能在Bank溝道內部沉 積。由于光刻膠材料體系不變，該粗糙層在制作過程中不會形成層與層之間的分離，同時其 制作方法簡單易行，可大幅度降低制作難度和制作成本。
[0030] 所述步驟S100中，所述基板包括剛性基板和柔性基板。所述剛性基板可選硅片、金 屬、玻璃或不銹鋼等剛性基板。所述柔性基板可選聚酰亞胺(PI)、聚對苯二甲酸乙二醇酯 (PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等柔性基板。當所述基板選用柔性基板時，所述柔性基 板需在剛性基板上預先貼附或成膜。優選地，本發明所述基板選用玻璃基板。
[0031] 所述步驟S100具體包括步驟:對基板進行潔凈處理，接著在基板上沉積TFT驅動陣 列并進行退火處理，然后在TFT驅動陣列上沉積陽極層并進行刻蝕形成陽極圖案。例如，當 所述基板選用玻璃基板時，預先對玻璃基板以電子級的清洗工藝進行潔凈處理，接著在玻 璃基板上沉積TFT驅動陣列并進行300~350°C退火處理，以確保TFT驅動陣列的性能。然后在 TFT驅動陣列上沉積陽極層(如，ΙΤ0陽極層)并進行刻蝕形成陽極圖案。