厚度為2mm,直徑為40mm,圓心角的度數為30度的兩片扇形Er片放置于Sb靶表面，并使其圓心重合。靶材的純度均達到99.999% (原子百分比)，并將本底真空抽至I X 10—4Pa;
[0045]b)設定濺射功率30W;
[0046]c)使用高純Ar氣作為濺射氣體(體積百分比達到99.999 % )，設定Ar氣流量為30SCCM，并將濺射氣壓調節至0.3Pa。
[0047]3.采用磁控濺射方法制備納米相變薄膜材料:
[0048]a)將空基托旋轉到靶位，打開靶上所施加的射頻電源，依照設定的濺射時間(200s)，開始對靶材進行濺射，清潔靶材表面；
[0049]b)靶材表面清潔完成后，關閉靶上所施加的射頻電源，將代濺射基片旋轉到靶位，開啟靶位射頻電源，依照設定的濺射時間(130s)，開始濺射單層薄膜。
[0050]實施例三
[0051 ]本例制備稀土 Er摻雜(x = 0.24，三塊扇形材料)的Sn15Sb85相變薄膜材料，厚度50nmo
[0052]制備步驟為:
[0053]1.清洗Si02/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰塵顆粒、有機和無機雜質；
[0054]a)在丙酮溶液中強超聲清洗3-5分鐘，再去離子水沖洗；
[0055]b)在乙醇溶液中強超聲清洗3-5分鐘，再去離子水沖洗，高純N2吹干表面和背面；
[0056]c)在120°C烘箱內烘干水汽，約20分鐘。
[0057]2.采用射頻濺射方法制備薄膜前準備:
[0058]a)裝好Sn15Sb85濺射靶材，在將厚度為2mm，直徑為40mm，弧度為30度的三片扇形Er片放置于Sn15Sb85靶表面，并使其圓心重合。靶材的純度均達到99.999% (原子百分比)，并將本底真空抽至I X 10-4Pa;
[0059]b)設定濺射功率30W;
[0060]c)使用高純Ar氣作為濺射氣體(體積百分比達到99.999%),設定Ar氣流量為30SCCM，并將濺射氣壓調節至0.3Pa。
[0061 ] 3.采用磁控濺射方法制備納米相變薄膜材料:
[0062]a)將空基托旋轉到靶位，打開靶上所施加的射頻電源，依照設定的濺射時間(200s)，開始對靶材進行濺射，清潔靶材表面；
[0063]b)靶材表面清潔完成后，關閉靶上所施加的直流電源，將代濺射基片旋轉到靶位，開啟靶位射頻電源，依照設定的濺射時間(120s)，開始濺射單層薄膜。
[0064]實施例四
[0065]本例制備稀土Er摻雜(x = 0.32，四塊扇形材料)的Sn15Sb85相變薄膜材料，厚度50nmo
[0066]制備步驟為:
[0067]1.清洗Si02/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰塵顆粒、有機和無機雜質；
[0068]a)在丙酮溶液中強超聲清洗3-5分鐘，再去離子水沖洗；
[0069]b)在乙醇溶液中強超聲清洗3-5分鐘，再去離子水沖洗，高純N2吹干表面和背面；
[0070 ] c)在120°C烘箱內烘干水汽，約20分鐘。
[0071 ] 2.采用射頻濺射方法制備薄膜前準備:
[0072]a)裝好Sn15Sb85濺射靶材，在將厚度為2mm，直徑為40mm，弧度為30度的四片扇形Er片放置于Sb靶表面，并使其圓心重合。靶材的純度均達到99.999% (原子百分比)，并將本底真空抽至I X 10—4Pa;
[0073]b)設定濺射功率30W;
[0074]c)使用高純Ar氣作為濺射氣體(體積百分比達到99.999 % )，設定Ar氣流量為30SCCM，并將濺射氣壓調節至0.3Pa。
[0075]3.采用磁控濺射方法制備納米相變薄膜材料:
[0076]a)將空基托旋轉到靶位，打開靶上所施加的射頻電源，依照設定的濺射時間(200s)，開始對靶材進行濺射，清潔靶材表面；
[0077]b)靶材表面清潔完成后，關閉靶上所施加的射頻電源，將代濺射基片旋轉到靶位，開啟靶位射頻電源，依照設定的濺射時間(130s)，開始濺射單層薄膜。
[0078]以上所述的具體實施例，對本發明解決的技術問題、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發明的具體實施例而已，并不用于限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種用于相變存儲器的鉺摻雜Sn15Sb85基相變薄膜材料，其特征在于:它的化學分子式為(Sm5Sb85)xEry;其中0〈x < 0.92，0〈y < 0.58，x+y = I.0O。2.—種薄膜制備方法，其特征在于:該薄膜使用如權利要求1所述的用于相變存儲器的鉺摻雜Sni5Sbs5基相變薄膜材料制成，并且該方法的步驟如下: (a)制備SnisSbss革巴; (b)制備Er靶材，并將Er靶材切割后貼置于Sn15Sb85靶表面； (c)對貼置Er的Sn15Sb85靶進行磁控濺射，制備得到需要的薄膜;其中，所述薄膜的中Er的摻雜量通過Sn15Sb85靶表面貼置的Er靶材的數量來調控。3.根據權利要求2所述的薄膜制備方法，其特征在于:在所述的步驟(b)中，Er靶材切割成規則的扇形結構，并且扇形所對的圓心角的度數為30°。4.根據權利要求2所述的薄膜制備方法，其特征在于:在所述的步驟(c)中，磁控濺射時的襯底為Si02/Si( 100)基片；和/或磁控濺射時的電源采用射頻電源，且濺射功率為25-35W;和/或磁控濺射采用的濺射氣體為Ar氣。5.根據權利要求4所述的薄膜制備方法，其特征在于:所述濺射功率為30W。6.根據權利要求2所述的薄膜制備方法，其特征在于:所述Ar氣的純度為體積百分比99.999 %以上，氣體流量為15?45SCCM，濺射氣壓為0.1O?0.35Pa。7.根據權利要求6所述的薄膜制備方法，其特征在于:所述氣體流量為30SCCM，濺射氣壓為0.3Pa。8.根據權利要求2所述的薄膜制備方法，其特征在于:制備得到的薄膜的總厚度為50nmo9.根據權利要求2所述的薄膜制備方法，其特征在于:所述的Er靶材和Sb靶材的純度在原子百分比99.999%以上，本底真空度不大于I X 10—4Pa。10.根據權利要求2所述的薄膜制備方法，其特征在于:所述薄膜的厚度通過磁控濺射的濺射時間來調控。
【專利摘要】本發明公開了一種用于相變存儲器的鉺摻雜Sn15Sb85基相變薄膜材料，它的化學分子式為(Sn15Sb85)xEry；其中0<x≤0.92，0<y≤0.58，x+y＝1.00。本發明熱穩定性好，數據保持力好，低功耗。
【IPC分類】H01L45/00, B82Y40/00, B82Y30/00
【公開號】CN105514271
【申請號】CN201511030291
【發明人】鄒華, 胡益豐, 朱小芹, 薛建忠, 張建豪, 鄭龍, 吳世臣, 孫月梅, 袁麗, 吳衛華, 眭永興
【申請人】江蘇理工學院
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2015年12月31日