閉式底部。該開口環狀設置以容置半球狀的第二絕緣材150。在另一實施例中，第一絕緣材120為一封裝膠體，其材質可以是透明聚合物或是半透明聚合物，例如軟膠、彈性物質或是樹脂，其中樹脂可為環氧樹脂、硅膠或是環氧-硅膠混合樹脂。
[0063]請參考圖5，第一絕緣材120于殼體的封閉式底部暴露出至少一部分的芯片座112、一部分的第一電極114及一部分的第二電極116(暴露的部分以剖面線繪示)。此外，第一絕緣材120填入第一間隙170及第二間隙180，以使芯片座112該芯片座112電性絕緣于該第一電極114及第二電極116。
[0064]請繼續參照圖5，發光二極管芯片130配置于芯片座112的上表面112a上，以使發光二極管芯片130及芯片座112之間具有良好的導熱性。舉例而言，發光二極管芯片130可經由金屬焊接固定于上表面112a。導線140分別連接第一電極114或第二電極116的暴露部分至發光二極管芯片130的電性接墊上(例如，正極與負極接墊)。在另一實施例中，負極接墊并非如前述實施例所示設置于發光二極管芯片130的頂面，而是設置于發光二極管芯片130的底面。負極接墊可以一導電材料電連接至芯片座112，而可不設置電極114、116的其中之一。
[0065]承上述，請繼續參照圖5，周緣部124的內側壁上可設有一第一缺口 192以及一第二缺口 194，分別對應于該第一電極114的一第一打線接合區114a以及第二電極116的一第二打線接合區116a。在另一實施例中，若打線接合區114a、116a足以提供打線接合空間需求而無需缺口 192、194提供額外的暴露區域時，則可不設置缺口 192、194。
[0066]請回頭參照圖1及圖2，第二絕緣材150包覆發光二極管芯片130及導線140。在本實施例中，第二絕緣材150可為一封裝膠體，其材質可以是透明聚合物或是半透明聚合物，例如軟膠、彈性物質或是樹脂，其中樹脂可為環氧樹脂、硅膠或是環氧-硅膠混合樹脂。為了增加上述的發光二極管封裝所發射出的光線的均勻度，可散射其光線，使光線猶如從各種發射點射出。例如:添加散射粒子(未繪示)于第二絕緣材150中以散射光線。
[0067]請參考圖2，光轉變層160設置于第二絕緣材150與發光二極管芯片130之間，且覆蓋發光二極管芯片130及部分導線140(未繪示于圖2)。光轉變層160包含光轉變物質顆粒，例如為熒光顆粒。發光二極管芯片130射出的光線，例如:藍光，可以被光轉變物質顆粒轉換為不同顏色的光線，例如:綠光、黃光或紅光，其不同顏色的光線再混合以產生白光。光轉變層160可選擇性設置，例如在只發單色光的發光二極管封裝中則不需設置光轉變層160。在本發明的其他實施例中，也可將第二絕緣材150摻入光轉變物質顆粒來取代光轉變層160。
[0068]請繼續參照圖2，發光二極管封裝100還包括一保護元件132，用以保護芯片130不承受過量電流。保護元件132設置于第二電極116上且通過一導線(未示于圖中)電連接至第一電極114。第一絕緣材120覆蓋保護元件132。保護元件132。例如為一稽納二極管(ZenerD1de)。可調整工作電壓并具有穩定電路的功能。
[0069]圖7為圖2的發光二極管封裝的部分剖面示意圖。請參照圖7，其中，周緣部124及第二絕緣材150未繪示于圖中以更清楚呈現內部構造。第一絕緣材120位于第一間隙170、第二間隙180、第一溝槽117a及第二溝槽117b的部分形成圍繞芯片承載區112b的一阻隔部122。阻隔部122具有一頂部122a，其實質上與芯片座112的上表面112a共平面。在一實施例中，光轉變層160由一光轉變合成物形成，此光轉變合成物包括散布于一透明硅聚合物的磷光粒子及二氧化硅粒子，其中透明硅聚合物可被熱或光硬化。光轉變合成物于液態時，可被涂布于芯片130及緊鄰芯片130的芯片座112的上表面112a上，再將其硬化至固態，而形成光轉變層160。通過光轉變合成物的材料性質，使其比粘附于有機的阻隔部122更能穩固地粘附于具金屬特性的芯片座。光轉變合成物可被限制在阻隔部122之內，且一旦硬化至固態，其形成的光轉變層160即會被限制在阻隔部122之內。
[0070]圖8B為圖8A的發光一■極管封裝的立體不意圖。圖8A及圖8B繪不了本發明的另一實施例，其中發光二極管芯片130及光轉變層160未繪示于圖中以更清楚呈現內部構造。阻隔部622具有一上表面622a，其高于芯片座112的上表面112a。阻隔部622將光轉變層160局限于阻隔部122所圈圍的區域內。在另一實施例中，如圖9所示，阻隔部722具有一上表面722a，其高于芯片座112的上表面112a，且阻隔部722的上表面722a在面向發光二極管芯片130的一側具有一斜面122b。如此配置，阻隔部722將光轉變層160局限在阻隔部722所圈圍的區域內，并增加其出光效率。在另一實施例中，如圖10所示，阻隔部822具有一上表面822a，其低于芯片座112的上表面112a而呈現出一凹陷部。如此配置，利用上表面822a的凹陷外型，將光轉變層160局限于阻隔部822所圈圍的區域內。光轉變層160局限于圖8A至圖10的實施例的阻隔部622、722、822內，以便于對光轉變層160加以硬化以固著于芯片座112的上表面112a 上。
[0071]請參照圖11，導線架IlOa可具有一或多個凹部113a于芯片座112的上表面112a，用以供第一絕緣材120填入，以增加芯片座112與第一絕緣材120之間的接合強度，使芯片座112與第一絕緣材120之間不容易有脫層的現象發生。同理，導線架IlOa具有至少一凹部115于第一電極114及/或第二電極116的表面，用以供第一絕緣材填入，以增加第一電極114及/或第二電極116與第一絕緣材120之間的接合強度，使第一電極114或第二電極116與第一絕緣材120之間不容易有脫層(de-laminat1n)的現象發生。
[0072]請參考圖12及13，在本實施例中，第一絕緣材120覆蓋除了第一打線接合區114a、第二打線接合區116a以及芯片承載區112b以外的導線架110上表面的所有區域，意即，第一絕緣材120只暴露導線架110的第一打線接合區114a、第二打線接合區116a以及芯片承載區
112bo
[0073]圖14至圖16為數個發光二極管封裝的側視示意圖，其第二絕緣材150有不同的配置。第二絕緣材150包覆發光二極管芯片130及導線140，且填充凹杯結構。在本發明的一實施例中，如圖14所示，第二絕緣材150的一頂面與周緣部124的頂面共平面。在本發明的其他實施例中，如圖15所示，第二絕緣材150還可包括一圓頂形透鏡部，以增強發光二極管封裝結構100的光萃取效率，如圖16所示，第二絕緣材150包括一類橢球狀透鏡部，該透鏡部的頂部被截去而形成一實質平坦表面。
[0074]雖然已合以上實施例揭露了本發明，然而其并非用以限定本發明，任何所屬技術領域中熟悉此技術者，在不脫離本發明的精神和范圍內，可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護范圍應以附上的權利要求所界定的為準。
【主權項】
1.一種半導體封裝，包括: 導線架，具有芯片座及至少一電極，該至少一電極經由至少一間隙而與該芯片座隔離，該芯片座包括一溝槽，該溝槽的一端連接該至少一間隙； 絕緣材，部分地包覆該導線架以暴露一部分該芯片座的一上表面及一部分該至少一電極，且該絕緣材部分地填入該至少一間隙及該溝槽；以及 芯片，配置于暴露的該芯片座的該上表面上，且位于該溝槽及該間隙之間。2.如權利要求1所述的半導體封裝，其中該間隙更包含一第一間隙、一第二間隙、該溝槽更包含一第一溝槽以及一第二溝槽，位于該第一間隙、該第二間隙、該第一溝槽以及該第二溝槽的部分該絕緣材形成圍繞該芯片承載區的一阻隔部，該阻隔部的一上表面實質上與該芯片座的該上表面共平面。3.如權利要求1所述的半導體封裝，其中該至少一電極包括至少一凹部，且該絕緣材填入至少部分的該凹部。4.如權利要求1所述的半導體封裝，其中該芯片座的一下表面包括至少一凹部，且該第一絕緣材填入至少部分的該凹部。5.如權利要求1所述的半導體封裝，其中該絕緣材暴露出該電極的一打線接合區。6.如權利要求5所述的半導體封裝，其中該芯片承載區由該至少一間隙、該溝槽所定義。7.一種承載板，用于一半導體封裝，該承載板包括: 導線架，包括: 芯片座，具有上表面、下表面、一溝槽，該溝槽全地橫貫該上表面；以及 一電極，位于該芯片座的一側，該電極與該芯片座隔離，該芯片座與該電極通過一間隙分離，該第一溝槽及該第二溝槽的每一者連通該第一間隙及該第二間隙。8.如權利要求7所述的承載板，其中該間隙更包含一第一間隙、一第二間隙、該溝槽更包含一第一溝槽以及一第二溝槽，該第一間隙、該第二間隙、該第一溝槽以及該第二溝槽圍繞該芯片承載區。9.如權利要求8所述的承載板，其中該芯片座包括至少一凹部。10.—種半導體封裝，包括: 導線架，包括: 芯片座，具有一溝槽，該溝槽與跨該芯片座的一上表面；以及 第一電極以及第二電極，分別位于該芯片座的相對兩側，該第一電極及該第二電極通過連通該溝槽的第一間隙及第二間隙而與該芯片座間隔，該溝槽連通該第一間隙及該第二間隙； 第一絕緣材，該第一絕緣材至少部分地填入該間隙、該第一溝槽以及該第二溝槽；以及 芯片，位于該芯片承載區內。
【專利摘要】本發明公開一種發光二極管封裝以及承載板。該發光二極管封裝具有橫貫芯片座的多個溝槽，用以提供一機械連接，以強化芯片座與絕緣材間的結合，并降低可能發生于芯片座及絕緣層間的脫層的可能性。位于溝槽內及電極與芯片座間的間隙內的絕緣層共同形成一阻隔部，而阻隔部定義出一芯片承載區，以使光轉變層限位于阻隔部內。
【IPC分類】H01L33/48, H01L33/50, H01L33/62
【公開號】CN105514249
【申請號】CN201610095898
【發明人】詹勛偉
【申請人】日月光半導體制造股份有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2012年7月25日
【公告號】CN103311402A, CN103311402B, US20130242524