Tft基板的制作方法及tft基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及觸控顯示技術領域，尤其涉及一種用于內嵌式觸控顯示面板中的TFT基板的制作方法及該TFT基板。
【背景技術】
[0002]隨著顯示技術的發展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產生畫面。
[0004]通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動沖段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅動IC壓合與印刷電路板的整合，進而驅動液晶分子轉動，顯示圖像。
[0005]觸控液晶顯示面板依感應技術不同可分為電阻式、電容式、光學式、音波式四種，目前主流的觸控技術為電容式，其中電容式又分為自電容式和互電容式，目前市場上的電容式觸控顯示面板為主要為互電容式，互電容的優點在于可實現多點觸控。觸控顯示面板根據結構不同可劃分為:觸控電路覆蓋于液晶盒上式(On Cell)，觸控電路內嵌在液晶盒內式(In Cell)、以及外掛式。其中，外掛式觸控顯示面板是將觸控面板與液晶顯示面板分開生產，然后貼合到一起成為具有觸控功能的顯示面板，外掛式觸控顯示面板存在制作成本較高、光透過率較低、模組較厚等缺點。內嵌式觸控顯示面板具有成本較低、厚度較薄等優點，受到各大面板廠家青睞，已演化為未來觸控技術的主要發展方向。
[0006]如圖1-2所示，為一種現有的用于內嵌式觸控顯示面板中的TFT基板，其包括:基板100、遮光層200、緩沖層300、多晶硅層400、柵極絕緣層500、柵極520、第一層間絕緣層600、源/漏極610、平坦層700、公共電極810與觸控掃描線(Tx)820、第二層間絕緣層850、觸控感應線(Rx)870、鈍化層900、及像素電極950。其中，所述觸控感應線820與公共電極810位于同一層，由金屬材料制作的觸控感應線870位于單獨的一層，且與觸控掃描線820之間間隔一第二層間絕緣層850，因此，該TFT基板的制作過程中，需要單獨制作觸控感應線870，同時需要制作第二層間絕緣層850，這會造成TFT基板的制程時間較長，且生產本較高。
【發明內容】
[0007]本發明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，與現有技術相比，節省一道金屬層與一道絕緣層的制作，從而達到減少工藝制程、及節約原料的目的。
[0008]本發明的目的還在于提供一種TFT基板，通過將觸控掃描線與遮光金屬塊制作于同一層，將觸控感應線與公共電極制作于同一層，所述觸控掃描線與觸控感應線共同構成觸摸傳感器，實現內嵌式觸控(in Cell Touch)功能，結構簡單，制程時間短，且節省成本。
[0009]為實現上述目的，本發明提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟:
[0010]步驟1、提供一基板，在所述基板上沉積第一金屬層，對所述第一金屬層進行圖案化處理，同時得到數個遮光金屬塊、及數條觸控掃描線；
[0011]步驟2、在所述數個遮光金屬塊、觸控掃描線、及基板上形成緩沖層，在所述緩沖層上形成覆蓋緩沖層的多晶硅層，對整個多晶硅層進行P型輕摻雜后，采用光刻制程對所述多晶硅層進行圖案化，得到對應于遮光金屬塊上方的第一多晶硅段、及與第一多晶硅段間隔設置的第二多晶硅段；
[0012]步驟3、對所述第一多晶硅段進行N型摻雜，形成位于兩端的N型重摻雜區、位于中間的第一溝道區、及位于N型重摻雜區與第一溝道區之間的N型輕摻雜區；
[0013]步驟4、在所述第一多晶硅段、第二多晶硅段、及緩沖層上沉積柵極絕緣層，在所述柵極絕緣層上沉積第二金屬層，對所述第二金屬層進行圖案化處理，得到分別對應于第一多晶硅段與第二多晶硅段上方的第一柵極與第二柵極；
[0014]步驟5、對所述第二多晶硅段兩側進行P型重摻雜，得到位于兩端的P型重摻雜區、及位于兩P型重摻雜區之間的第二溝道區；
[0015]步驟6、在所述第一柵極、第二柵極、及柵極絕緣層上沉積層間絕緣層，通過光刻制程對所述層間絕緣層與柵極絕緣層進行圖案化處理，在所述層間絕緣層與柵極絕緣層上形成對應于N型重摻雜區上方的第一過孔、及對應于P型重摻雜區上方的第二過孔，在所述層間絕緣層上形成對應于第二柵極上方的第三過孔；
[0016]步驟7、在所述層間絕緣層上沉積第三金屬層，對所述第三金屬層進行圖案化處理，得到間隔設置的第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、及位于第二源極與第二漏極之間的金屬塊;所述第一源極、第一漏極分別通過第一過孔與N型重摻雜區相接觸，所述第二源極、第二漏極分別通過第二過孔與P型重摻雜區相接觸，所述金屬塊通過第三過孔與第二柵極相接觸；
[0017]步驟8、在所述第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、及金屬塊上方形成平坦層，對所述平坦層進行圖案化處理，在所述平坦層上形成對應于第一漏極上方的第四過孔；
[0018]在所述平坦層上沉積第一透明導電層，對所述第一透明導電層進行圖案化處理，同時得到公共電極、及數條觸控感應線；
[0019]步驟9、在所述公共電極、觸控感應線、及平坦層上形成鈍化層，之后對鈍化層進行圖案化處理，得到位于第四過孔中的第五過孔，且所述第五過孔的孔壁屬于鈍化層；
[0020]在所述鈍化層上沉積第二透明導電層，對所述第二透明導電層進行圖案化處理，得到像素電極，所述像素電極通過第五過孔與第一漏極相接觸。
[0021 ]所述觸控掃描線與數個遮光金屬塊串聯在一起。
[0022]所述數條觸控掃描線與數條觸控感應線在水平方向上垂直交叉排列，且所述觸控掃描線與觸控感應線之間形成互電容，從而構成互電容式觸摸傳感器。
[0023]所述第一源極、第一漏極、第一柵極與第一多晶硅段構成NMOS晶體管;所述第二源極、第二漏極、第二柵極與第二多晶硅段構成PMOS晶體管。
[0024]所述第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合;所述緩沖層、柵極絕緣層、層間絕緣層為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構成的復合層。
[0025]本發明還提供一種TFT基板，包括基板，位于基板上的數個遮光金屬塊及數條觸控掃描線，位于遮光金屬塊、觸控掃描線、及基板上的緩沖層，位于所述緩沖層上的第一多晶硅段與第二多晶硅段，位于第一多晶硅段、第二多晶硅段、及緩沖層上的柵極絕緣層，位于所述柵極絕緣層上的第一柵極與第二柵極，位于所述第一柵極、第二柵極、及柵極絕緣層上的層間絕緣層，位于層間絕緣層上的第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、及位于第二源極與第二漏極之間的金屬塊，位于所述第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、金屬塊、及層間絕緣層上的平坦層，位于平坦層上的公共電極與數條觸控感應線，位于公共電極、觸控感應線、及平坦層上的鈍化層，