基于相移量機電耦合的分布式mems移相器工作電壓的調整方法
【技術領域】
[0001] 本發明屬于微波器件技術領域，具體是一種基于相移量機電禪合的分布式MEMS移 相器工作電壓的調整方法。本發明設及分布式MEMS移相器工作電壓的調整方法，可用于指 導工作過程中分布式MEMS移相器工作電壓的調整量，保證相移量滿足性能要求。
【背景技術】
[0002] 隨著RF MEMS(Mic;r〇-elec1:;romechanical Systems)技術的發展，MEMS移相器，因 其小型化、損耗低、成本低、性能好等優勢，已廣泛應用于各種雷達和衛星導航等領域中。其 中分布式MEMS移相器相對于其他形式的MEMS移相器工藝制造更容易、體積更小、性能更好， 并被譽為"最有吸引力的器件之一"，因此成為國內外學者研究的熱點。
[0003] 分布式MEMS移相器利用"R-kC"網絡實現移相功能/'R-kC"網絡由若干個"R-k C"(移相)單元按照一定規則組成，每個"R-L-C"單元只能完成有限的移相。而"R-L-C"移相 單元是W機械的物理結構形式出現的。要完成整個移相器移相的功能，需要大量的機械結 構單元，隨著機械結構單元數目階躍性的增長，各種副作用也會隨之產生。因此，在日益嚴 峻的軍事需求下，發展具有高性能、高抗干擾性能的分布式MEMS移相器就凸顯的尤為重要。 分布式MEMS移相器是電磁、精密機械結構等多學科相結合的系統，其電性能不僅取決于電 磁學科的設計水平，同時也取決于機械結構的設計水平。機械結構不僅是電性能的載體和 保障，并且往往制約著電性能的實現，同時，電性能的實現對機械結構也提出了更高的要 求。分布式MEMS移相器是多個MEMS橋重復排列組成的結構，由于機械加工設備精度、安裝精 度的限制，W及工作過程中受到振動、熱功耗等外載荷的影響，致使MEMS橋高度發生改變， 從而使得移相器的相移量產生偏差，性能降低。因此，為了降低MEMS橋高度誤差對相移量的 影響，確保分布式MEMS移相器能夠正常工作，必須對控制MEMS橋高度的工作電壓進行調整。
[0004] 因此，有必要利用分布式MEMS移相器MEMS橋結構參數和相移量之間的機電禪合模 型，根據測量的相移量反推計算出MEMS橋高度的誤差，利用控制電壓和MEMS橋高度關系式， 快速給出工作電壓調整量，保證分布式MEMS移相器受外界環境影響下仍能正常工作。
【發明內容】
[0005] 基于上述問題，為了保證分布式MEMS移相器在實際工作環境中相移量的性能，本 發明利用分布式MEMS移相器結構參數MEMS橋高度和相移量之間的機電禪合模型，可W實現 分布式MEMS移相器結構參數和電參數禪合分析，有效地解決了分布式MEMS移相器工作過程 中無法確定MEMS橋高度的問題，結合工作電壓對MEMS橋的控制關系式，直接得到工作電壓 調整量，為分布式MEMS移相器實際工作中的可靠性提供了理論指導。
[0006] 實現本發明目的的技術解決方案是，一種基于相移量機電禪合的分布式MEMS移相 器工作電壓的調整方法，該方法包括下述步驟：
[0007] (1)根據分布式MEMS移相器的基本結構，確定分布式MEMS移相器的結構參數、材料 屬性和電磁工作參數；
[000引（2)根據分布式MEMS移相器設計要求，確定分布式MEMS移相器的工作電壓標準值 Vo和相移量標準值A Φο;
[0009] (3)對分布式MEMS移相器施加2V〇的工作電壓，測量分布式MEMS移相器此工作狀態 下，Μ個MEMS橋中第i個(1 y < M)MEMS橋產生的相移量Δ Φ i;
[0010] (4)比較相移量測量值Δ φι與標準值Δ φο,如果測量值大于標準值，則繼續步驟 5,否則轉至步驟8;
[0011] (5)當相移量測量值Δ Φι大于標準值Δ Φο時，可得MEMS橋有向上的高度誤差，計 算第i個MEMS橋的等效電路參數；
[0012] (6)利用單個MEMS橋的機電禪合模型，反推計算第i個MEMS橋向上的高度誤差值；
[0013 ] (7)利用工作電壓對MEMS橋高度的控制關系式，根據MEMS橋向上的高度誤差值，分 別計算第i個MEMS橋"up"和"down"兩個工作狀態下工作電壓的調整量，然后轉至步驟(11);
[0014] (8)當相移量測量值Δ φι小于或等于標準值Δ φο時，可得MEMS橋有向下的高度誤 差，計算第i個MEMS橋的等效電路參數；
[0015] (9)利用單個MEMS橋的機電禪合模型，反推計算第i個MEMS橋向下的高度誤差值；
[0016] (10)利用工作電壓對MEMS橋高度的控制關系式，根據MEMS橋向下的高度誤差值， 計算第i個MEMS橋"up"工作狀態下工作電壓的調整量；
[0017] (11)判斷是否已對全部MEMS橋計算了工作電壓的調整量，如果是，貝峭到了 Μ個 MEMS橋工作電壓的調整量，否則，測量下一個MEMS橋的相移量，并重復步驟(3巧Ij步驟(11);
[0018] (12)利用計算出的工作電壓調整量，重新施加到相應的MEMS橋上，測量分布式 MEMS移相器的整體相移量；
[0019] (13)判斷調整電壓后的分布式MEMS移相器電性能是否滿足指標要求，如果滿足， 則說明得到了分布式MEMS移相器工作電壓的最優調整量，可使分布式MEMS移相器在工作環 境下達到最優性能；否則，修改分布式MEMS移相器的結構參數，并重復步驟（υ到步驟（13)， 直至滿足要求。
[0020] 所述步驟（1)分布式MEMS移相器的結構參數，包括共面波導傳輸線、MEMS橋和介質 層的長度、寬度和厚度，相鄰兩個橋的間距，W及MEMS橋距介質層的高度;所述分布式MEMS 移相器的材料屬性包括介質層的相對介電常數;所述分布式MEMS移相器的電磁工作參數包 括分布式MEMS移相器的電磁工作頻率ω。
[0021] 所述步驟(5)當相移量測量值Δ Φ i大于標準值Δ Φ 0時，計算第i個MEMS橋的等效 電路參數：
[0022] (5a)將步驟(3)中的相移量測量值與步驟（2)的標準值比較，當相移量測量值Δ Φ i大于標準值Δ Φ 0時，可得MEMS橋有向上的高度誤差；
[0023] (5b)計算第i個MEMS橋的等效電路參數，MEMS橋未加載時，傳輸線上單位長度的等 效電容值Ct公式為：
[0024]
[0025] 式中，Er是介質層的相對介電常數，C是光速，Zo是傳輸線的特征阻抗；
[0026] MEMS橋未加載時，傳輸線上單位長度的等效電感值k公式為：
[0027]
[0028] 式中，Ct是傳輸線上單位長度的等效電容值，Zo是傳輸線的特征阻抗。
[0029] 所述步驟(6)利用單個MEMS橋的機電禪合模型，反推計算第i個MEMS橋向上的高度 誤差值：
[0030] (6a)利用單個MEMS橋的機電禪合模型，W及步驟(3)第i個MEMS橋相移量的測量值 可反推計算出"up"工作狀態下可變電容值Cui( Δ h)，該禪合模型如下：
[0031]
[0032] 式中，S是相鄰MEMS橋間距值，ω是工作頻率，Ct是傳輸線上單位長度的等效電容 值，U是傳輸線上單位長度的等效電感值，Cd是"down"工作狀態下可變電容值，Cui( Ah)是 "up"工作狀態下可變電容值；Δ φι是第i個MEMS橋相移量的測量值；
[0033] (6b)根據步驟(6a)計算的"啡"工作狀態下可變電容值Cui( Ah),利用"啡"工作狀 態下可變電容值與MEMS橋高度誤差的關系式，可W反推得到第i個MEMS橋向上的高度誤差 Ah,該關系式如下：
[0034]
[00對式中，Wc是中屯、導體寬度，Wb是橋寬度，h是MEMS橋距介質層的理想高度，td是介質 層厚度，ε0是空氣的相對介電常數，Er是介質層的相對介電常數，L是MEMS橋長，A h是MEMS橋 向上的局度誤差。
[0036] 所述步驟(7)利用工作電壓對MEMS橋高度的控制關系式，根據MEMS橋向上的高度 誤差值，分別計算第i個1615橋 >"和"down"兩個工作狀態下工作電壓的調整量：
[0037] (7a)工作電壓對MEMS橋高度的控制關系式如下所示：
[00；3 引
[0039] 式中，k是MEMS橋的彈性剛度，h是MEMS橋的理想高度，ε〇是空氣的相對介電常數，W。 是中屯、導體寬度，Wb是橋寬度；
[0040] (7b)根據步驟(6b)中MEMS橋向上的高度誤差值，因 MEMS橋"啡"工作狀態下的理想 工作電壓為零，故計算第i個MEMS橋"up"工作狀態下工作電壓的調整量如下：
[