并且樣本離子的分析通過改進的質譜儀性能而重新開始。
[0099]甚至在控制器180已確定待執行的分析的特征之后，無論通過操作人員將信息輸入到控制器180或是通過在上文的段落中所描述的分析過程，控制器180可以基于質譜儀執行的分析作出待執行的分析的特征的進一步的確定。控制器180可以考慮通過質譜儀101的分析的瞬時結果或者在一段時間內平均的多個結果，例如，樣本質量和/或電荷，并且確定待執行的分析的特征。如果這個新近確定的特征不同于先前確定的特征，那么控制器180可以相應地改變氣體壓力和/或氣體類型。以此方式重新考慮待執行的分析的特征可以引起特征的改進的確定，例如，因為先前特征是基于操作人員的不精確的信息輸入確定的，這可能引起隨后分析的改進的質譜儀性能。
[0100]雖然在圖2中所示且在上文中描述的控制過程中，緩沖氣體的類型和緩沖氣體的分壓力這兩者是基于分析的特征選擇并且受到控制器180的控制的，但是替代地緩沖氣體或者緩沖氣體的分壓力中的僅一者可以得到選擇并且受到控制器180的控制，而另一者對于所有分析特征是保持恒定的。
[0101]雖然在圖2中所示且在上文中描述的控制過程中，當樣本離子的預期的質量處于中間預期的質量范圍中時僅詢問操作人員他們的所希望的分辨率，但是可以替代地在任何階段詢問操作人員他們的所希望的分析分辨率是多少，例如，它可以是步驟S200中的輸入。此外，所希望的分析分辨率可以影響待執行的分析的特征并且因此影響選定的緩沖氣體和氣體壓力。
[0102]質量分析儀165可以是任何形式的質量分析儀，例如，軌道捕獲質量分析儀、線性或3D離子阱、飛行時間(T0F)質量分析儀，具體是多反射TOF(MRTOF)，或者傅立葉變換離子回旋共振(FTICR)質量分析儀。此外，C-阱140可以是任何形式的阱或者存儲裝置，并且HCD碰撞室145可以是任何形式的碰撞室。此外，離子源105可以是任何類型的離子源，例如，MALDI或者大氣壓電離(API)，例如，電噴射(ESI)、光子(APPI)、化學(APCI)，或等離子(ICP、輝光放電、電暈放電)。
[0103]工業實用性
[0104]本發明可以應用于質譜分析的領域中。
【主權項】
1.一種質譜儀，其用于執行樣本離子的分析，所述質譜儀包括: 第一離子光學元件，其供應有第一氣體； 質量分析儀，其中所述質量分析儀的性能取決于所述第一離子光學元件中的所述第一氣體的壓力；以及 控制器，其用于基于待通過所述質譜儀執行的所述分析的特征設置所述第一氣體的特性，所述特性至少包括所述第一氣體的壓力。2.根據權利要求1所述的質譜儀，其中待通過所述質譜儀執行的所述分析的所述特征至少基于所述質量分析儀的所希望的性能。3.根據權利要求2所述的質譜儀，其中待通過所述質譜儀執行的所述分析的所述特征至少基于所希望的分析分辨率。4.根據權利要求2或3所述的質譜儀，其中設置所述第一氣體的所述特性是優化所述第一離子光學元件的所述性能與優化所述質量分析儀的所述性能之間的折中。5.根據任一前述權利要求所述的質譜儀，其中所述質量分析儀選自:離子回旋共振(ICR)質量分析儀、軌道阱質量分析儀、飛行時間質量分析儀(尤其是多反射飛行時間(MR-TOF)質量分析儀)、靜電阱質量分析儀、電動離子阱質量分析器和質量過濾器。6.根據任一前述權利要求所述的質譜儀，其中所述第一氣體的所述特性至少進一步包括所述第一氣體的組成。7.根據任一前述權利要求所述的質譜儀，其進一步包括: 第二離子光學元件，其供應有第二氣體;其中 所述控制器經配置以用于基于待通過所述質譜儀執行的所述分析的所述特征設置所述第二氣體的特性。8.根據權利要求7所述的質譜儀，其中所述第二氣體的所述特性包括所述第二離子光學元件中的第二氣體壓力和所述第二氣體的組成中的至少一個。9.根據任一前述權利要求所述的質譜儀，其中待通過所述質譜儀執行的所述分析的所述特征基于所述樣本離子的所述分析的應用程序、所述樣本離子的類型、所述樣本離子的預期的質量、所述樣本離子的預期的電荷和所希望的分析分辨率中的至少一個。10.根據權利要求9所述的質譜儀，其中所述控制器經配置以接收所述樣本離子的所述分析的所述應用程序、所述樣本離子的所述類型、所述樣本離子的所述預期的質量、所述樣本離子的所述預期的電荷和所述所希望的分析分辨率的輸入。11.根據權利要求10所述的質譜儀，其中所述控制器經配置以接收來自所述控制器的操作人員的所述樣本離子的所述分析的所述應用程序、所述樣本離子的所述類型、所述樣本離子的所述預期的質量、所述樣本離子的所述預期的電荷和所述所希望的分析分辨率中的至少一個的輸入。12.根據權利要求9到11中任一權利要求所述的質譜儀，其中所述控制器經配置以確定來自質譜儀實驗結果的所述樣本離子的所述類型、所述樣本離子的所述預期的質量和所述樣本離子的所述預期的電荷中的至少一個。13.根據權利要求12所述的質譜儀，其中所述樣本離子的所述類型、所述樣本離子的所述預期的質量和所述樣本離子的所述預期的電荷中的至少一個是從自多個質譜儀實驗結果中獲得的平均質量和平均電荷中的至少一個中確定的。14.根據任一前述權利要求所述的質譜儀，其中所述第一離子光學元件是質量分析儀；碰撞室;離子存儲裝置;離子導引件;質量過濾器;離子移動性分析器；以及離子透鏡中的任一個。15.根據任一前述權利要求所述的質譜儀，其中所述控制器包括計算機，所述計算機用于作出用于設置所述第一氣體的所述特性的基于規則的決策。16.根據權利要求15所述的質譜儀，其中關于設置所述氣體的所述特性的所述基于規則的決策包括確定所述樣本的預期的或確定的質量位于多個預先確定的質量范圍中的哪一個中，任選地確定所希望的質量分辨率是否位于質量分辨率閾值以下或以上并且設置將允許使用所述質量分析儀獲得所希望的信號強度和/或質量分辨率的所述氣體的所述特性。17.—種用于操作質譜儀的方法，所述質譜儀包括第一離子光學元件和質量分析儀，所述方法包括以下步驟: 確定待通過所述質譜儀執行的所述分析的特征；以及 基于待通過所述質譜儀執行的所述分析的所述特征設置第一氣體的特性，所述第一氣體的特性至少包括用于供應所述質譜儀的第一離子光學元件的所述第一氣體的所述壓力，其中所述質量分析儀的所述性能取決于所述第一離子光學元件中的所述第一氣體的所述壓力。18.根據權利要求17所述的方法，其中待通過所述質譜儀執行的所述分析的所述特征至少基于所述質量分析儀的所希望的性能。19.根據權利要求18所述的質譜儀，其中待通過所述質譜儀執行的所述分析的所述特征至少基于所希望的分析分辨率。20.根據權利要求18或19所述的質譜儀，其中設置所述第一氣體的所述特性是優化所述第一離子光學元件的所述性能與優化所述質量分析儀的所述性能之間的折中。21.根據權利要求17到20中任一權利要求所述的質譜儀，其中所述質量分析儀是以下項中的任一個:離子回旋共振(ICR)質量分析儀、軌道阱質量分析儀、飛行時間質量分析儀(尤其是多反射飛行時間(MR-TOF)質量分析儀)、靜電阱質量分析儀、電動離子阱質量分析器和質量過濾器。22.根據權利要求17到21中任一權利要求所述的方法，其中所述第一氣體的所述特性至少進一步包括所述第一氣體的組成。23.根據權利要求17到22中任一權利要求所述的方法，其進一步包括以下步驟: 基于所述樣本離子的所述特征設置用于供應所述質譜儀的第二離子光學元件的第二氣體的特性。24.根據權利要求23所述的方法，其中所述第二氣體的所述特性包括所述第二離子光學元件中的第二氣體壓力和所述第二氣體的組成中的至少一個。25.根據權利要求17到24中任一權利要求所述的方法，其中待通過所述質譜儀執行的所述分析的所述特征基于所述樣本離子的所述分析的應用程序、所述樣本離子的類型、所述樣本離子的預期的質量、所述樣本離子的預期的電荷和所希望的分析分辨率中的至少一個。26.根據權利要求25所述的方法，其進一步包括: 接收來自所述質譜儀的操作人員的所述樣本離子的所述分析的所述應用程序、所述樣本離子的所述類型、所述樣本離子的所述預期的質量、所述樣本離子的所述預期的電荷和所述所希望的分析分辨率中的至少一個。27.根據權利要求25或26所述的方法，其進一步包括: 確定來自質譜儀實驗結果的所述樣本離子的所述類型、所述樣本離子的所述預期的質量和所述樣本離子的所述預期的電荷中的至少一個。28.根據權利要求27所述的方法，其中所述樣本離子的所述類型、所述樣本離子的所述預期的質量和所述樣本離子的所述預期的電荷中的至少一個是從自多個質譜儀實驗結果中獲得的平均質量和平均電荷中的至少一個中確定的。29.根據權利要求17到28中任一權利要求所述的方法，其中所述第一離子光學元件是質量分析儀;碰撞室;離子存儲裝置;離子導引件；質量過濾器;離子移動性分析器；以及離子透鏡中的任一個。
【專利摘要】本發明提供用于執行樣本離子的分析的質譜儀，以及用于操作質譜儀的方法。所述質譜儀包括：第一離子光學元件，其供應有第一氣體；質量分析儀，其中所述質量分析儀的性能取決于所述第一離子光學元件中的所述第一氣體的壓力；以及控制器，其用于基于待通過所述質譜儀執行的所述分析的特征設置所述第一氣體的特性，所述特性至少包括所述第一氣體的壓力。
【IPC分類】G01N27/62, H01J49/00
【公開號】CN105474351
【申請號】CN201480046103
【發明人】N·E·戴莫克, E·丹尼索夫, D·諾爾汀, M·澤勒
【申請人】塞莫費雪科學（不來梅）有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2014年8月21日
【公告號】DE112014003828T5, US20160203964, WO2015025008A1