發光器件和發光器件封裝的制作方法
【專利說明】發光器件和發光器件封裝
[0001 ]本申請是2011年2月16日提交的申請號為201110040319.3，發明名稱為“發光器件和發光器件封裝”的專利申請的分案申請。
[0002]本申請要求于2010年3月15日提交的韓國專利申請N0.10-2010-0022754的優先權，其通過引用整體合并在此。
技術領域
[0003]本發明涉及發光器件和發光器件封裝。
【背景技術】
[0004]發光二極管(LED)是一種將電能轉換為光的半導體器件。與諸如熒光燈或者輝光燈的傳統的光源相比較，LED在功率消耗、壽命、響應速度、安全、以及環保要求方面是有利的。考慮此，已經進行了各種研究以將傳統的光源替換為LED13LED日益被用作用于諸如各種燈、液晶顯示器、電子標識牌、以及街燈的照明裝置的光源。
【發明內容】
[0005]實施例提供具有新穎的結構的發光器件和發光器件封裝。
[0006]實施例提供能夠提高可靠性的發光器件和發光器件封裝。
[0007]根據實施例，發光器件包括:發光結構，該發光結構包括第一導電半導體層、第一導電半導體層上的有源層、以及有源層上的第二導電半導體層;粘附層，該粘附層接觸第一導電半導體層的頂表面;第一電極，該第一電極接觸第一導電半導體的頂表面和粘附層的頂表面；以及第二電極，該第二電極接觸第二導電半導體層，其中接觸第一電極的粘附層與第二電極隔開。
[0008]根據實施例，發光器件包括:導電支撐構件；導電支撐構件上的發光結構，該發光結構包括第一導電半導體層、有源層、以及第二導電半導體層;粘附層，該粘附層接觸發光結構的頂表面;以及電極，該電極接觸粘附層的頂表面和發光結構的頂表面。
[0009]根據實施例，發光器件封裝包括:主體;主體上的發光器件；以及成型構件，該成型構件包圍發光器件，其中發光器件包括:發光結構，該發光結構包括第一導電半導體層、有源層、以及第二導電半導體層;粘附層，該粘附層接觸第一導電半導體層的頂表面;第一電極，該第一電極接觸第一導電半導體的頂表面和粘附層的頂表面；以及第二電極，該第二電極接觸第二導電半導體層，其中接觸第一電極的粘附層與第二電極隔開。
【附圖說明】
[0010]圖1是示出根據第一實施例的發光器件的截面圖；
[0011]圖2是示出圖1的發光器件的平面圖；
[0012]圖3是圖1的發光器件的區域A的放大圖；
[0013]圖4是示出根據第二實施例的發光器件的截面圖；
[0014]圖5是示出根據第三實施例的發光器件的截面圖；
[0015]圖6是示出根據第四實施例的發光器件的截面圖；
[0016]圖7至圖11是示出根據第一實施例的發光器件的制造工藝的視圖；
[0017]圖12是示出根據第五實施例的發光器件的截面圖；
[0018]圖13至圖20是示出根據第五實施例的發光器件的制造工藝的視圖；
[0019]圖21是示出根據實施例的包括發光器件的發光器件封裝的截面圖；
[0020]圖22是示出根據實施例的顯示設備的分解透視圖；
[0021 ]圖23是示出根據實施例的顯示設備的視圖；以及
[0022]圖24是示出根據實施例的照明裝置的透視圖。
【具體實施方式】
[0023]在實施例的描述中，將會理解的是，當層(或膜)、區域、圖案或結構被稱為在另一襯底、另一層(或膜)、另一區域、另一墊、或者另一圖案“上”或“下”時，它能夠“直接”或“間接”在另一襯底、層(或膜)、區域、墊或圖案上，或者也可以存在一個或多個中間層。已經參考附圖描述了層的這樣的位置。
[0024]為了方便或清楚起見，附圖中所示的每層的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性繪制。另外，元件的尺寸沒有完全反映真實尺寸。
[0025]圖1是示出根據第一實施例的發光器件100的截面圖，圖2是示出圖1的發光器件的平面圖，并且圖3是圖1的發光器件的區域A的放大圖。
[0026]參考圖1至圖3，根據第一實施例的發光器件100包括:生長襯底105;發光結構110，通過在生長襯底105上順序地堆疊第一導電半導體層112、有源層114、以及第二導電半導體層116來形成發光結構110，并且發光結構110具有其中暴露第一導電半導體層112的頂表面的區域S;粘附層130，該粘附層130允許暴露區域S中的第一導電半導體層112的頂表面的至少一部分;第一電極150，該第一電極150形成在粘附層130和區域S的第一導電半導體層112上;透射電極層120，該透射電極層120形成在第二導電半導體層116上；以及第二電極140，該第二電極140形成在第二導電半導體層116和透射電極層120上。
[0027]生長襯底105可以包括從由單晶藍寶石(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、S1、GaP、InP、Ge、SiGe組成的組中選擇的至少一個，但是實施例不限于此。
[0028]生長襯底105可以被設置為在其頂表面上具有預定的圖案或者可以傾斜以加速發光結構110的生長并且提高發光器件的發光效率，但是實施例不限于此。
[0029]可以從生長襯底105生長發光結構110。
[0030]發光結構110可以包括:第一導電半導體層112、有源層114、以及第二導電半導體層116。緩沖層或者未摻雜的半導體層可以被布置在生長襯底105和發光結構110之間以減少生長襯底105和發光結構110之間的晶格常數錯配或者提高發光結構110的結晶度。
[0031]例如，第一導電半導體層112可以包括被摻雜有N型摻雜物的N型半導體層。N型半導體層可以包括具有InxAlyGa1-x—yN(0 < X < I，0 < y<l，0 < x+y^l)的組成式的半導體材料。例如，可以從由11^1631631厶1631厶111^、111631厶故、以及11^組成的組中選擇~型半導體層，并且N型半導體層可以被摻雜有諸如S1、Ge、或者Sn的N型摻雜物。
[0032]如果有源層114具有量子阱結構，那么有源層114可以具有單量子阱結構，該單量子阱結構具有InxAlyGai —x—yN(0 < x < 1 , Ο < y < 1 , Ο < x + y < 1)的組成式的阱層，和InaAlbGai—a—bN(OSa< l，OSb< l，OSa+b< 1)的組成式的勢皇層。阱層可以包括具有低于勢皇層的能帶隙的能帶隙的材料。
[0033]有源層114可以通過在從第一和第二導電半導體層112和116提供的空穴和電子的復合中產生的能量來產生光。
[0034]例如，第二導電半導體層116可以包括含有P型摻雜物的P型半導體。P型半導體層可以包括具有InxAlyGah—yN(0 < x < 1,0 < y < 1,0 < x+y < 1)的組成式的半導體材料。例如，可以從由11^1631631厶16&1厶111^、11^31厶11以及11^組成的組中選擇？型半導體層。？型半導體層可以被摻雜有諸如|%、2]1、0&、51'、以及1^的？型摻雜物。
[0035]緩沖層(未示出)和未摻雜的半導體層(未示出)可以包括具有InxAlyGaityN(0 < x< l，0<y< l，0<x+y < 1)的組成式的半導體材料。例如，可以從由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN、以及InN組成的組中選擇緩沖層(未示出)和未摻雜的半導體層。緩沖層和未摻雜的半導體層沒有被摻雜有導電摻雜物。因此，緩沖層和未摻雜的半導體層可以具有顯著地低于第一和第二導電半導體層112和116的導電性。
[0036]透射電極層120可以形成在發光結構的第二導電半導體層116上。透射電極層120擴展電流，使得能夠防止電流集中在第二電極140周圍。
[0037]透射電極層120可以具有包括從由ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)、IZTO(銦鋅錫氧化物)、ΙΑΖΟ(銦鋁鋅氧化物)、IGZO(銦鎵鋅氧化物)、IGTO(銦鎵錫氧化物)、ΑΖΟ(鋁鋅氧化物)、ΑΤΟ(銻錫氧化物)、GZ0(鎵鋅氧化物)、IrOx、RuOx、N1、Ag、以及Au組成的組中選擇的至少一個的多層結構或者單層結構。
[0038]如圖1中所示，透射電極層120暴露第二導電半導體層116的至少一部分。透射電極層120可以實際形成在第二導電半導體層116的整個頂表面上，但是實施例不限于此。
[0039]第二電極140可以形成在透射電極層120和第二導電半導體層116中的一個上，或者可以形成在透射電極層120和第二導電半導體層116上。
[0040]第二電極140可以和第一電極150—起將電力提供到發光