Tft基板的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT基板的制作方法。
【背景技術】
[0002] 隨著顯示技術的發展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝 置因具有高畫質、省電、機身薄及應用范圍廣等優點，而被廣泛的應用于手機、電視、個人數 字助理、數字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產品，成為顯示裝置中的主 流。
[0003] 現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及 背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放 置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶 分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產生畫面。
[0004] 通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC，Liquid Crystal)及密 封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝 膜）、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅動IC與印刷電 路板壓合）。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動沖段 Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅動IC壓合 與印刷電路板的整合，進而驅動液晶分子轉動，顯示圖像。
[0005] 低溫多晶娃(Low temperature poly-silicon，簡稱LTPS)，由于其具有高的電子 迀移率，可以有效的減小TFT的器件的面積，從而提升像素的開口率。增大面板顯示亮度的 同時可以降低整體的功耗，使得面板的制造成本大幅度降低。
[0006] 在LTPS制作工藝中會使用氮化硅，氧化硅或者氮化硅與氧化硅多層結構作為層間 介電層（interlayer dielectric，ILD)，在后續氫化及活化的高溫制程中由于附著力不佳 或者應力不匹配容易使ILD膜脫落，極大影響產品良率。
【發明內容】
[0007] 本發明的目的在于提供一種TFT基板的制作方法，可以增強層間介電層與柵極絕 緣層之間的粘著力，從而防止在后高溫制程中造成層間介電層裂紋或者脫落的問題，提高 廣品良率。
[0008] 為實現上述目的，本發明提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟：
[0009] 步驟1、提供一基板，在所述基板上形成間隔設置的第一遮光層與第二遮光層，在 所述第一遮光層、第二遮光層與基板上形成緩沖層；
[0010]步驟2、在所述緩沖層上形成分別對應于第一遮光層與第二遮光層的第一多晶硅 層與第二多晶硅層，分別對所述第一多晶硅層與第二多晶硅層進行離子摻雜，在所述多晶 硅層上形成位于兩側的第一重摻雜區、位于中間的第一溝道區、及位于所述第一重摻雜區 與第一溝道區之間的第一輕摻雜區，在所述第二多晶硅層上形成位于兩側的第二重摻雜 區、及位于中間的第二溝道區；
[0011] 步驟3、在所述第一多晶硅層、第二多晶硅層、及緩沖層上沉積柵極絕緣層，在所述 柵極絕緣層上形成分別對應于第一多晶硅層與第二多晶硅層的第一柵極與第二柵極；
[0012] 步驟4、對暴露出來的柵極絕緣層表面進行等離子體處理，以增強柵極絕緣層表面 的附著力；
[0013] 步驟5、在柵極絕緣層及第一柵極、第二柵極上沉積層間介電層，然后通過高溫制 程對所述層間介電層進行氫化和活化；
[0014] 步驟6、對所述層間介電層及柵極絕緣層進行圖案化處理，得到位于所述第一重摻 雜區上方的第一過孔及位于所述第二重摻雜區上方的第二過孔，之后在所述層間介電層上 形成第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極，所述第一源極與第一漏極分別通過第一過 孔與第一重摻雜區相接觸，所述第二源極與第二漏極分別通過第二過孔與第二重摻雜區相 接觸；
[0015] 步驟7、在所述第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、及層間介電層上制作平 坦層，對所述平坦層進行圖案化處理，得到位于所述第一漏極上方的第三過孔，在所述平坦 層上依次制作公共電極與鈍化層，所述鈍化層包覆所述平坦層上的第三過孔，之后在覆蓋 所述第三過孔底部的鈍化層上鉆孔，使得所述第一漏極暴露出來，在所述鈍化層上形成像 素電極，所述像素電極通過第三過孔與第一漏極相接觸。
[0016] 所述步驟1中，所述基板為玻璃基板;所述第一遮光層與第二遮光層的材料為金 屬;所述緩沖層為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構成的復合層。
[0017] 所述步驟2中，所述離子摻雜的方式為離子植入機植入摻雜或者氣相沉積摻雜。
[0018] 所述步驟2中，所述第一重摻雜區、第一輕摻雜區為N型摻雜，所述第二重摻雜區為 P型摻雜，或者所述第一重摻雜區、第一輕摻雜區為P型摻雜，所述第二重摻雜區為N型摻雜。
[0019] 所述步驟4中，所述等離子體為氫氣等離子體、氮氣等離子體和氨氣等離子體中的 一種或多種。
[0020] 所述步驟4具體為:將所述步驟3得到的基板放入等離子體化學氣相沉積裝置中， 向等離子體化學氣相沉積裝置中通入氫氣、氮氣和氨氣中的一種或多種，通過射頻放電使 通入的氣體轉化為等離子體，從而對基板進行等離子體處理，使其表面活化，增強柵極絕緣 層表面的附著力。
[0021] 所述等離子體化學氣相沉積裝置的射頻放電功率介于200瓦至4千瓦之間；向等離 子體化學氣相沉積裝置中通入的氫氣的流量介于1000 sccm至15000sccm之間；向等離子體 化學氣相沉積裝置中通入的氮氣的流量介于1000 sccm至15000sccm之間；向等離子體化學 氣相沉積裝置中通入的氨氣的流量介于1000 sccm至15000sccm之間。
[0022] 所述步驟5中，所述層間介電層為氮化硅層、氧化硅層、或者氮化硅層與氧化硅層 疊加構成的復合層。
[0023] 所述層間介電層包括沉積于柵極絕緣層及第一柵極、第二柵極上的厚度為 3000A的氮化硅層以及沉積于氮化硅層上的厚度為3000A的氧化硅層。
[0024]所述步驟5中，所述高溫制程的溫度為590°C。
[0025]本發明的有益效果:本發明提供的一種TFT基板的制作方法，通過在沉積層間介電 層之前對柵極絕緣層表面進行等離子體處理，增強其表面附著力，之后在柵極絕緣層上沉 積層間介電層，從而增強了層間介電層與柵極絕緣層之間的粘著力，可以防止在后高溫制 程中造成層間介電層裂紋或者脫落的問題，提高產品良率，提高TFT基板的電學性能。
[0026]為了能更進一步了解本發明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細 說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。
【附圖說明】
[0027]下面結合附圖，通過對本發明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發明的技術方案 及其它有益效果顯而易見。
[0028] 附圖中，
[0029] 圖1為本發明的TFT基板的制作方法的示意流程圖；
[0030] 圖2為本發明的TFT基板的制作方法的步驟1的示意圖；
[0031]圖3為本發明的TFT基板的制作方法的步驟2的示意圖；
[0032]圖4為本發明的TFT基板的制作方法的步驟3的示意圖；
[0033]圖5為本發明的TFT基板的制作方法的步驟4的示意圖；
[0034]圖6為本發明的TFT基板的制作方法的步驟5的示意圖；
[0035]圖7為本發明的TFT基板的制作方法的步驟6的示意圖；
[0036]圖8為本發明的TFT基板的制作方法的步驟7的示意圖。
【具體實施方式】
[0037]為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施 例及其附圖進行詳細描述。
[0038]請參閱圖1，本發明提供一種TFT基板的制作方法，包括如下步驟：
[0039] 步驟1、如圖2所示，提供一基板10,在所述基板10上形成間隔設置的第一遮光層21 與第二遮光層22,在所述第一遮光層21、第二遮光層22、及基板10上形成緩沖層30。
[0040] 優選的，所述基板10為玻璃基板。
[0041 ]具體的，所述第一遮光層21與第二遮光層22的材料為金屬。
[0042]具體的，所述緩沖層30為氧化硅(SiOx)層、氮化硅(SiNx)層、或者由氧化硅層與氮 化硅層疊加構成的復合層。
[0043]步驟2、如圖3所示，在所述緩沖層30上形成分別對應于第一遮光層21與第二遮光 層22的第一多晶硅層40與第二多晶硅層90,分別對所述第一多晶硅層40與第二多晶硅層90 進行離子摻雜，在所述多晶硅層40上形成位于兩側的第一重摻雜區41、位于中間的第一溝 道區42、及位于所述第一重摻雜區41與第一溝道區42之間的第一輕摻雜區43,在所述第二 多晶硅層90上形成位于兩側的第二重摻雜區91、及位于中間的第二溝道區92。
[0044]具體的，所述離子摻雜的方式可以為離子植入機植入摻雜或者氣相沉積摻雜。 [0045] 具體的，所述第一重摻雜區41、第一輕摻雜區43為N型摻雜，所述第二重摻雜區91 為P型摻雜，或者所述第一重摻雜區41、第一輕摻雜區43為P型摻雜，所述第二重摻雜區91為 N型摻雜。
[0046]具體的，所述N型摻雜摻入的離子為磷離子或砷離子;所述P型摻雜摻入的離子硼 離子或鎵離子。
[0047]通過在第一多晶硅層40與第二多晶硅層90下方分別設置第一遮光層21與第二遮 光層22,可以對第一多晶硅層40的第一溝道區42及第二多晶硅層90的第二溝道區92進行覆 蓋，避免光線