Oled用覆膜基板、用其制備oled顯示器件的方法和oled顯示器件的制作方法
【專利說明】OLED用覆膜基板、用其制備0LED顯示器件的方法和0LED
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技術領域
[0001]本發明涉及0LED顯示器生產領域，具體地，涉及0LED用覆膜基板、用其制備0LED顯示器件的方法、以及0LED顯示器件。
【背景技術】
[0002]在0LED顯示器件如顯示面板的生產中，一般地，采用在基板上形成各功能元件(如層狀功能元件或稱為功能層)的方法。常見的基板是玻璃等。例如，在玻璃基板上，蒸鍍有機電致發光薄膜和陰極金屬薄膜，從而形成0LED顯示器件。當基板尺寸較大時，例如在制備0LED電視顯示器時(例如，G6:1.5mXl.85m ；G8.5:2.2mX 2.5m)，為了克服基板自身受重力作用產生彎曲，在生產線上需要采用搬送系統。
[0003]靜電吸附式搬送系統由于產生的靜電電場強度較大對薄膜晶體管有損傷，因此一般選取非靜電吸附的粘附襯墊(pad) +底座(base)作為搬送系統。具體地，例如，可以利用粘附襯墊將玻璃基板粘附在底座表面，以搬送、運輸玻璃基板。
[0004]然而，在蒸鍍制程結束之后，一般需要頂針(pin)分離動作將基板與底座分離開來，即通過在某些點用頂針將基板從底座上頂起分離。由于蒸鍍過程中底座移動會在基板背面產生電荷積累，因此頂針分離時，基板與頂針接觸的區域會產生尖端放電，同時，該區域還受到頂針向上的擠壓應力，兩者共同作用會造成基板元件側的薄膜晶體管的損傷。最終，在點亮制得的顯示面板時，會產生顯示器亮度不均。在本文中，將這種亮度不均稱為頂針位置亮度不均。
[0005]為了解決頂針分離方式造成顯示器亮度不均的問題，已經發展了一些方法。例如，可以將頂針位置設置在顯示面板的有效顯示區域(active area)之外。然而，如果采用將頂針移出面板有效顯示區域的方式消除亮度不均，會因頂針點位固定而使生產線無法對應全尺寸產品(只能對應少數幾種尺寸的產品)。而且接觸點位所處區域的靜電擊傷無法消除。如果該區域對應扇出區，則可能造成不良；若處于面板之外，又浪費了基板面積。
[0006]因此，在0LED顯示器件的生產中，仍需要克服大尺寸基板制備過程中的尖端放電和應力集中導致的成品亮度不均問題的手段。
【發明內容】
[0007]為了解決上述問題，本發明提供如下內容:
[0008][1] 一種0LED顯示器件的覆膜基板，其中所述覆膜基板由基板和在其底面上的導電層構成。
[0009][2]根據[1]所述的覆膜基板，其中，所述導電層是透明的。
[0010][3]根據[1]所述的覆膜基板，其中，所述基板是玻璃。
[0011][4]根據[1]所述的覆膜基板，其中，所述導電層為金屬氧化物導電薄膜、有機導電薄膜、碳納米管、石墨稀、金屬柵網、金屬納米線或超薄金屬薄膜。
[0012][5]根據[4]所述的覆膜基板，其中，所述導電層為IT0、IZ0、IGZ0、Zn0SPED0T。
[0013][6]根據[1]所述的覆膜基板，其中，所述導電層的厚度為0.1納米至10微米。
[0014][7]根據[6]所述的覆膜基板，其中，所述導電層的厚度為10納米至1微米。
[0015][8] 一種制備0LED顯示器件的方法，其中使用[1]所述的覆膜基板作為所述0LED顯示器件的基板，使得在所述0LED顯示器件制備過程中與所述覆膜基板接觸的設備機構與所述覆膜基板的有導電層的一面接觸，在無導電層的一面上形成所述0LED顯示器件的功能元件。
[0016][9]根據[8]所述的方法，其中所述覆膜基板作為所述0LED器件的上頂蓋和/或下頂蓋。
[0017][10]根據[8]所述的方法，其中所述設備機構是頂針、吸盤或滾輪。
[0018][11]根據[8]所述的方法，其中使用底座搬送系統搬送所述覆膜基板，所述覆膜基板導電層向下，安置于所述底座搬送系統上的粘附襯墊上；搬送并形成所述各功能元件后，用頂針方式在導電層側頂起所述覆膜基板，使所述覆膜基板與所述底座分離。
[0019][12]根據[8]所述的方法，包括以下步驟:
[0020]在未覆膜基板的一側上形成所述0LED顯示器件的所述功能元件中的一部分；
[0021]在所述未覆膜基板的未形成功能元件的一側上設置導電層，以形成[1]所述的覆膜基板；
[0022]將所述覆膜基板安置在所述底座搬送系統的粘附襯墊上，其中所述導電層與所述粘附襯墊接觸；
[0023]在所述覆膜基板的功能元件側形成所述0LED顯示器件的所述功能元件中的其余部分；
[0024]用頂針方式在導電層側頂起所述覆膜基板，使所述覆膜基板與所述底座分離。
[0025][13] 一種包含根據[1]所述的覆膜基板的顯示器件。
[0026]在本發明的一個方面中，通過在頂針分離過程前提前在基板的將與頂針接觸的面(即底面)上制備一層導電層而形成覆膜基板。這樣，在頂針分離時，該導電層既可以及時將靜電傳導走，又可以作為應力緩沖層減小局部擠壓應力，可以有效消除頂針造成的亮度不均，提高產品的顯示品質和良品率。并且，由于頂針位置無需專門設置，因此生產線可以對應全尺寸產品。
[0027]在本文中，術語“底面”指的是基板的不形成功能元件的那一面。作為0LED的基板，其作用是承載各功能元件(如發光元件)，因此各功能元件都形成在基板的同一側。本文將基板不承載功能元件的那一面稱為底面，以便于將本發明的覆膜基板與在功能元件面上形成有導電層的與本發明無關的基板區分開來。
[0028]優選地，所述導電層是透明的。尤其當基板為底發射器件的基板時，光要從基板透出，因此導電層必須是透明的。當然，如果基板為頂發射器件的基板，其可以是透明的，也可以是不透明的。
[0029]優選地，所述基板可以為玻璃。玻璃基板是本領域利用最為廣泛的基板，并且其特別適用于底座-頂針搬送系統。
[0030]優選地，所述導電層為金屬氧化物導電薄膜、有機導電薄膜、碳納米管、石墨烯、金屬柵網、金屬納米線、超薄金屬薄膜等。一般講來，只要該導電層導電即可起到消除尖端放電作用。上述幾種導電層可以同時滿足導電和減輕擠壓的要求，并且是本領域中研究和使用得較多的結構，制備工藝更加成熟，可以在不對生產線進行過多改進、不更多增加成本的情況下達成技術效果。
[0031]更優選地，所述金屬氧化物導電薄膜可以為IT0、IZ0、IGZ0或ZnO薄膜。這些薄膜是透明導電氧化物(TC0)，兼具導電性和透明性，并且機械性能也適于作為機械緩沖層。在有機導電薄膜中，ΡΗ)0Τ是優選的。
[0032]優選地，所述導電層的厚度為0.1納米至10微米。當低于0.1納米時，導電層的導電能力不足。當高于10微米時，消耗材料過多，制備時間長，在成本方面不利。并且當導電層為透明層時，若厚度高于10微米時，導電層的透明度不足。更優選范圍為10納米至1微米。當低于范圍10納米時，緩解擠壓的能力較差。
[0033]本發明特別優選的覆膜基板是以玻璃為基板，以ΙΤ0(氧化銦錫)、ΙΖ0(氧化銦鋅)、IGZ0(氧化銦鎵鋅)、Ζη0(氧化鋅)、PED0T(聚乙烯二氧噻吩)、金屬柵網(metalgrids)、碳納米管(CNT)、石墨烯、金屬納米線或超薄金屬薄膜為導電層，導電層的厚度為10納米至1微米。
[0034]本發明的第二方面提供了制備0LED顯示器件方法，所述方法包括使用本發明的覆膜基板。
[0035]具體地，在制備中使有導電層的一面與設備機構接觸，以消除靜電和擠壓的影響。在無導電層的一面形成功能元件等。
[0036]優選地，以覆膜基板作為0LED的上頂蓋或下頂蓋，即所有功能元件都形成在覆膜基板的無導電層的一側。
[0037]本發明的覆膜基板可用于頂針分離機構。其同樣可用于吸盤、滾輪等其他設備機構接觸，也可以起到釋放靜電和緩沖局部擠壓應力的作用。本發明的制備方法特別有利于包括頂針過程的制備流程。
[0038]優選地，覆膜基板的導電層向下，面向搬送基板的底座搬送系統，安置于底座的粘附襯墊上，在搬送并形成各功能元件后，用頂針方式在導電層側頂起所述覆膜基板，使覆膜基板與底座分尚。
[0039]優選地，通過以下步驟制備0LED顯示器件:在未覆膜基板的一側上形成所述0LED顯示器件的功能元件中的一部分；在所述未覆膜基板的未形成功能元件的一側上設置導電層，以形成根據權利要求1所述的覆膜基板；將所述覆膜基板的導電層側安置在底座搬送系統上；在所述覆膜基板的功能元件側形成所述0LED顯示器件的功能元件中的其余部分；用頂針方式在導電層側頂起所述覆膜基板，使所述覆膜基板與所述底座分離。
[0040]本發明的第三方面提供了包含本發明的覆膜基板的顯示器件。
[0041]該覆膜基板適用于大尺寸顯示器的生產，但不限于此。在中小尺寸0LED顯示器件如手機屏、筆記本電腦屏、監視器屏、平板電腦屏的制程中，也可以使用本發明的覆膜基板。
[0042]該覆膜基板涉及的結構制程簡單，僅增加一層導電層而不需要額外工藝，便解決了前述技術問題。該導電層層不限于用濺射方式制作，也可以用熱蒸發、電子束蒸發、噴墨、滾筒至滾筒轉印、旋涂等方式制作。
[0043]本發明的方法可以用于背板制程中，包括a -Si背板、氧化物半導體背板、LTPS背板等。
[0044]附圖簡述
[0045]圖1是本發明的覆膜基板的一個實施方案的剖面圖。
[0046]圖2是顯示本發明的一個顯示器件的實施方案的剖面圖。
[0047]圖3是頂針過程的示意圖。
[0048]圖4顯示了底座、頂針和顯示器件的相互位置示意圖。
[0049]圖5示出了根據本發明的一個實施方案，使用ΙΖ