低溫多晶硅陣列基板及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，特別涉及一種低溫多晶硅陣列基板及其制作方法。
【背景技術】
[0002]隨著平板顯示的發展，高分辨率、低能耗的面板需求不斷被提出。低溫多晶硅(LowTemperature Poly-silicon, LTPS)由于具有較高的電子迀移率，而在液晶顯示器(LiquidCrystal Display，LCD)與有源矩陣有機發光二極管(Active-matrix organic lightemitting d1de,AMOLED)顯示器技術中得到了業界的重視，被視為實現低成本全彩平板顯示的重要材料。對平板顯示而言，采用低溫多晶硅材料具有高分辨率、反應速度快、高亮度、高開口率、低能耗等優點，而且低溫多晶硅可在低溫下制作，并可用于制作C-M0S電路，因而被廣泛研究，用以達到面板高分辨率、低能耗的需求。
[0003]低溫多晶硅是多晶硅(poly-Si)技術的一個分支。多晶硅的分子結構在一顆晶粒中的排列狀態是整齊而有方向性的，因此電子迀移率比雜亂的非晶硅(a-Si)快了 200-300倍，極大地提高了平板顯示的反應速度。如圖1所示，現有的低溫多晶硅陣列基板包括基底10、設置在基底10表面的薄膜晶體管陣列(圖中未示出)和發光層20、覆蓋在發光層20表面的散熱層30、干燥層40和設置在干燥層40上方的封裝蓋板50。上述基板設置散熱層30的目的是可以將低溫多晶硅陣列基板工作過程中產生的熱量散發在基底10與封裝蓋板50之間，再通過空氣或其他介質以熱傳導的方式將熱量通過封裝蓋板50傳遞到外部。上述基板的散熱方式存在熱量散發程度不夠的問題，熱量仍然容易集中在基板內部而導致基板溫度過高，并且上述基板還存在在低溫環境下無法驅動的問題。
【發明內容】
[0004]本發明提供一種低溫多晶硅陣列基板及其制作方法，能夠將陣列基板產生的熱量均勻、完全地散發至外部。
[0005]所述技術方案如下:
[0006]本發明實施例提供了一種低溫多晶硅陣列基板，其包括基底、設置在基底表面的散熱層、設置在散熱層上方的薄膜晶體管陣列，設置在薄膜晶體管陣列上方的發光層、干燥層和封裝蓋板，散熱層包括位于薄膜晶體管陣列下方的多條第一散熱條和多條第二散熱條，多條第一散熱條和多條第二散熱條交叉形成網格結構。
[0007]在本發明的一個實施例中，所述散熱層是由石墨烯或石墨碳制成的。
[0008]在本發明的一個實施例中，所述封裝蓋板包括第一區域和第二區域，所述第一區域設置高電阻層，所述第二區域設置高導熱層，且所述高電阻層和所述高導熱層之間相接觸。
[0009]在本發明的一個實施例中，所述高電阻層的材料為鎳鐵合金、鎳鉻鐵合金或鎢，所述高導熱層的材料為銅、銀、鋁、金或石墨碳。
[0010]在本發明的一個實施例中，所述高電阻層和所述高導熱層通過開關連接電源，并且所述開關與傳感器相連，所述傳感器用于實時檢測陣列基板內的溫度。
[0011 ] 在本發明的一個實施例中，所述散熱層的邊緣在所述陣列基板的投影位于所述薄膜晶體管陣列在所述陣列基板的投影范圍之內。
[0012]本發明實施例還提供了一種低溫多晶硅陣列基板的制作方法，其包括:在基底的表面形成一層散熱層薄膜，利用曝光顯影蝕刻工藝將所述散熱層薄膜形成網格圖案；在部分網格圖案上方形成薄膜晶體管陣列，并利用曝光顯影蝕刻工藝將所述薄膜晶體管陣列周圍的網格圖案去除，僅保留所述薄膜晶體管陣列下方的部分網格圖案。
[0013]在本發明的一個實施例中，所述網格圖案包括多條第一散熱條和多條第二散熱條，多條第一散熱條和多條第二散熱條交叉形成網格結構。
[0014]在本發明的一個實施例中，在所述封裝蓋板的第一區域形成高電阻層，在所述封裝蓋板的第二區域形成高導熱層，且所述高電阻層和所述高導熱層之間相接觸。
[0015]在本發明的一個實施例中，所述高電阻層和所述高導熱層通過開關連接電源，并且所述開關與傳感器相連，所述傳感器用于實時檢測陣列基板內的溫度。
[0016]本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0017]通過在薄膜晶體管陣列下方設置散熱層，并且散熱層包括位于薄膜晶體管陣列下方的多條第一散熱條和多條第二散熱條，多條第一散熱條和多條第二散熱條交叉形成網格結構，從而可以將陣列基板內產生的熱量均勻、完全地散發至陣列基板外部，散熱效果好，不會出現陣列基板內部溫度過高的現象，并且也不會對陣列基板上其他元件傳輸信號造成干擾。
[0018]上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。
【附圖說明】
[0019]圖1是現有的低溫多晶硅陣列基板的剖面示意圖；
[0020]圖2是本發明實施例提供的低溫多晶硅陣列基板的剖面示意圖；
[0021]圖3是散熱層的結構示意圖；
[0022]圖4是傳導電路的示意圖。
【具體實施方式】
[0023]為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所采取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的低溫多晶硅陣列基板及其制作方法其【具體實施方式】、結構、特征及功效，詳細說明如后。
[0024]有關本發明的前述及其他技術內容、特點及功效，在以下配合參考圖式的較佳實施例詳細說明中將可清楚的呈現。通過【具體實施方式】的說明，當可對本發明為達成預定目的所采取的技術手段及功效得以更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發明加以限制。
[0025]圖2是本發明實施例提供的低溫多晶硅陣列基板的剖面示意圖。圖3是散熱層的結構示意圖。圖4是傳導電路的示意圖。請參閱圖2至圖4，所述低溫多晶硅陣列基板包括:基底21、設置在基底21表面的散熱層22、設置在散熱層22上方(例如可以為正上方)的薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)陣列23，設置在薄膜晶體管陣列23上方的發光層24、干燥層25和封裝蓋板26。
[0026]散熱層22例如是由石墨烯或石墨碳等制成的透明或不透明的網格結構，包括位于薄膜晶體管陣列23下方(例如可以為正下方)的多條第一散熱條221和多條第二散熱條222，多條第一散熱條221和多條第二散熱條222交叉形成網格結構。本實施例中，散熱層22的邊緣在陣列基板的投影可以位于薄膜晶體管陣列23在陣列基板的投影范圍之內，SP，每一第一散熱條221的邊緣在陣列基板的投影均位于對應上方的薄膜晶體管陣列23在陣列基板的投影范圍之內，每一第二散熱條222的邊緣在陣列基板的投影均位于對應上方的薄膜晶體管陣列23在陣列基板的投影范圍之內。因散熱層22位于薄膜晶體管陣列23的正下方，這樣不會對陣列基板上其他元件傳輸信號造成干擾，并且其采用散熱度極高的材料，因此可以將陣列基板內產生的熱量均勻、完全地散發至陣列基板外部，散熱效果好，不會出現陣列基板內部溫度過高的現象。
[0027]優選地，封裝蓋板26可以包括第一區域和第二區域，第一區域上可設置高電阻層261，高電阻層261的材料可以為鎳鐵合金、鎳鉻鐵合金、鎢等。第二區域可以設置高導熱層263，高電阻層261和高導熱層263之間相接觸。高導熱層263的材料可以為銅、銀、鋁、金、石墨碳等。優選地，陣列基板上還包括像素電極、公共電極等本領域技術人員較為熟知的結構，在此不再贅述。
[0028]優選地，如圖3所示，可以在高電阻層261和高導熱層263之間設置一傳導電路，所述傳導電路包括開關K和電源V，即高電阻層261和高導熱層263之間位置處通過開關K連接電源V，其中電源V可以由給陣列基板提供電壓的電源V提供，并且開關K可與設置在陣列基板一側的柔性電路板(FPC)上的傳感器29相連。傳感器29用于實