一種低阻值晶片電阻器的制備方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及電子元件生產領域，具體涉及一種低阻值晶片電阻器的制備方法。
【背景技術】
[0002] 隨著工業和消費類電子產品市場對電子設備小型化、高性能、高可靠性、安全性和電磁兼容性的需求，對電子電路性能不斷地提出新的要求，片式元件進一步向小型化、多層化、大容量化、耐高壓、集成化和高性能化方向發展。對于一些晶片電阻器，由于使用要求，需要晶片電阻器的阻值低。而實際生產中，對于低阻值晶片電阻器的生產，尤其是1R以下低阻值晶片電阻器的生產，一般生產時采用正面印刷，各制程工序集中于產品正面印刷；產品正、背面分別印刷導體層，并且端面涂銀將正、背面導體連接，然后電鍍N1、Sn，構成一顆完整的電阻器。這種生產方法中存在如下不足:1、產品的TCR水準較低；所述TCR是指電阻溫度系數；2、客戶在測試產品過程中的插拔動作易撞傷或擦傷產品端電極進而導致電阻原件功能失效。
[0003] 因此目前行業中，急需能有新的制備低阻值晶片電阻器的方法，不僅能避免測試時撞到端電極導致電阻原件功能失效而且能提高產品TCR水準。
[0004]
【發明內容】
[0005] 針對現有技術中的不足，本發明的目的在于提供一種低阻值晶片電阻器的制備方法，該制備方法采用反面印刷，各項制程工序集中于產品背面印刷，則客戶在使用時以產品背面焊錫的方法，則焊錫過程中將電阻印刷面朝下，縮短了電流形成，達到提高產品TCR水準的目的，并且避免了端電極撞傷導致的產品功能失效，提升產品品質狀況，提高生產效率。
[0006] 為實現上述目的，本發明公開的技術方案如下:一種低阻值晶片電阻器的制備方法，其包括以下步驟:
步驟Cl-Β:把所需正面導體形狀及位置由網版通過印刷機印刷在基板上面；
步驟RS:由網版通過印刷機在基板正面印上所需電阻形狀和位置；
步驟Cl-Α:把所需正面導體形狀及位置由網版通過印刷機印刷在電阻中間；
步驟C3-A:把所需C3-A導體形狀及位置由網版通過印刷機印刷在Cl-Α步驟中印刷的正面導體上；
步驟G1:由網版通過印刷機在Cl-Α完成后的半成品上印上電阻層保護層，所述電阻層保護層覆蓋RS步驟印刷的電阻；
步驟LT:鐳射切割電阻，形成鐳射切割口；調整電阻值；
步驟G2-A:印刷鐳射保護層，由網版通過印刷機在步驟LT完成后的半成品上印刷商鐳射保護層；所述鐳射保護層覆蓋步驟G1的電阻層保護層并覆蓋鐳射切割口；
步驟G2_B:由網版通過印刷機在步驟G2_A完成后的半成品的正面上印刷上G2_B形狀及位置；
步驟MK:由網版通過印刷機在步驟G2-B完成后的半成品的正面上印刷上MK標示形狀及位置；
端銀:將基板分割成若干縱條，每根縱條上包括多個電阻單元；將多個縱條在堆疊治具中排列完成，然后經過滾沾機對每個縱條的側面鍍銀，即將每個縱條上的每個電阻單元的側面鍍銀；
折粒:將每根縱條折斷，得到若干顆粒狀低阻值晶片電阻器；
電鍍:將若干顆粒狀低阻值晶片電阻器表面先鍍鎳，然后再鍍錫，得到成品低阻值晶片電阻器；
測試包裝:將成品低阻值晶片電阻器逐一進行阻值測定，測試合格后進行包裝。
[0007]優選的，所述基板是陶瓷基板，所述基板的尺寸是(60-65)* (70-75) mm。
[0008]優選的，所述步驟Cl-Β中印刷導體時印刷厚度是25±10μπι。
[0009]優選的，所述步驟RS中印刷電阻層時印刷厚度是25±10 μπι。
[0010]優選的，所述步驟Cl-Α中印刷導體時印刷厚度是25±10μπι。
[0011]優選的，所述步驟G1中電阻層保護層的印刷厚度是20± 10 μ m。
[0012]優選的，所述步驟G2-A中印刷鐳射保護層的厚度是25±10 μπι。
[0013]優選的，所述電鍍過程中，每個低阻值晶片電阻器表面鍍鎳層的厚度是5-6 μπι。
[0014]優選的，所述電鍍過程中，每個低阻值晶片電阻器表面鍍錫層的厚度是7-8 μπι。
[0015]本申請文件中，產品生產時采用反面印刷，在電阻第二保護層印刷完成后，在背面第一導體層加印一層導體C3,以防止客戶端碰撞端電極現象產生。低阻值晶片電阻值的使用廠家在使用時，在產品背面焊錫將其粘在相應電子產品上，在這個焊錫過程中，將電阻印刷面朝下，縮短了電流行程，從而達到提高產品TCR水準的目的；采取反面焊錫方式可有效防止端電極撞傷導致的產品功能失效。
[0016]本發明的有益效果是:本發明通過對工藝改進，能有效解決現有技術中生產的產品的TCR水準較低且客戶在測試產品過程中的插拔動作易撞傷或擦傷產品端電極進而導致電阻原件功能失效的缺陷和不足。
【具體實施方式】
[0017]下面對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0018]實施例1: 一種低阻值晶片電阻器的制備方法，包括以下步驟:
步驟Cl-Β:把所需正面導體形狀及位置由網版通過印刷機印刷在基板上面；
步驟RS:由網版通過印刷機在基板正面印上所需電阻形狀和位置；
步驟Cl-Α:把所需正面導體形狀及位置由網版通過印刷機印刷在電阻中間；
步驟C3-A:把所需C3-A導體形狀及位置由網版通過印刷機印刷在Cl-Α步驟中印刷的正面導體上；
步驟G1:由網版通過印刷機在Cl-Α完成后的半成品上印上電阻層保護層，所述電阻層保護層覆蓋RS步驟印刷的電阻；
步驟LT:鐳射切割電阻，形成鐳射切割口；調整電阻值；步驟G2-A:印刷鐳射保護層，由網版通過印刷機在步驟LT完成后的半成品上印刷商鐳射保護層；所述鐳射保護層覆蓋步驟G1的電阻層保護層并覆蓋鐳射切割口；
步驟G2_B:由網版通過印刷機在步驟G2_A完成后的半成品的正面上印刷上G2_B形狀及位置；
步驟MK:由網版通過印刷機在步驟G2-B完成后的半成品的正面上印刷上MK標示形狀及位置；
端銀:將基板分割成若干縱條，每根縱條上包括多個電阻單元；將多個縱條在堆疊治具中排列完成，然后經過滾沾機對每個縱條的側面鍍銀，即將每個縱條上的每個電阻單元的側面鍍銀；
折粒:將每根縱條折斷，得到若干顆粒狀低阻值晶片電阻器；
電鍍:將若干顆粒狀低阻值晶片電阻器表面先鍍鎳，然后再鍍錫，得到成品低阻值晶片電阻器；
測試包裝:將成品低阻值晶片電阻器逐一進行阻值測定，測試合格后進行包裝。
[0019]本實施例中，所述基板是陶瓷基板，所述基板的尺寸是(60-65)* (70-75) mm。
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