芯片電阻器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種將片狀的大張基板沿橫豎的分割槽分割而得到的芯片電阻器的制造方法。
【背景技術】
[0002]芯片電阻器主要由俯視呈矩形的絕緣基板、以規定間隔設置在絕緣基板上的一對電極部、將成對的電極部彼此橋接的電阻以及包覆電阻的絕緣性的保護涂層等構成，在電阻上形成有電阻值調節用的休整槽。電極部由正面電極、背面電極以及將兩個電極橋接的端面電極構成，在絕緣基板的正面側利用電阻將一對正面電極橋接。
[0003]通常，在制造這種芯片電阻器的情況下，預先在片狀的大張基板(集合基板)的一面或兩面上形成橫豎延伸的多個一級分割槽及二級分割槽，當在該大張基板的一面一并形成了電極部、電阻及保護涂層等后，使大張基板沿一級分割槽斷裂(一級分割)成長條狀基板，在該長條狀基板上形成端面電極后沿二級分割槽使該長條狀基板斷裂(二級分割)，從而完成了形成為單片的許多個芯片電阻器。屆時，當大張基板或長條狀基板不能沿分割槽規整地斷裂時，成為芯片電阻器的端面的分割面的形狀容易變歪，因此制造成品率下降。
[0004]為了解決上述問題，以往提出了如下這種技術:當在大張基板的正反兩面分別形成了一級分割槽及二級分割槽后，將形成在正面側的一級分割槽的槽深度設定為比形成在背面側的一級分割槽的槽深度大(深)，并且將形成在正面側的二級分割槽的槽深度設定為比形成在背面側的二級分割槽的槽深度小(淺)(例如參照專利文獻1)。采用該現有技術，在進行一級分割時，略深地形成在正面側的一級分割槽朝向開放的方向斷裂，但形成在該正面側的二級分割槽略淺，因此能夠抑制在一級分割工序中擔心的沿二級分割槽去的不期望的裂紋。另外，在進行隨后的二級分割時，當正面側的二級分割槽朝向開放的方向斷裂時，容易朝向略深地形成在背面側的二級分割槽破裂，因此也不易發生芯片電阻器的端面形狀不良。
[0005]現有技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2004 - 259767號公報
【發明內容】
[0008]發明所要解決的技術問題
[0009]另外，在這種芯片電阻器的制造方法中，使大張基板沿一級分割槽斷裂成長條狀的一級分割需要利用比二級分割大的力來進行分割，該二級分割使該長條狀基板沿二級分割槽斷裂成單片，因此在進行一級分割時，容易在一級分割槽與二級分割槽的交叉部分產生碎片(肩片)。即，在使大張基板沿一級分割槽斷裂成長條狀時，由于以橫截該一級分割槽的方式空開恒定間隔地形成多條二級分割槽，因此上述一級分割槽與二級分割槽的交叉的交錯部分比其它區域易壞，該交錯部分可能在一級分割時成為碎片。
[0010]另外，在專利文獻1公開的現有技術中，通過使一級分割槽及二級分割槽的槽深度在正反兩面相對不同，來減少在一級分割及二級分割時發生的端面形狀不良，但由于只有每個一級分割槽及二級分割槽以均勻的深度形成，因此一級分割槽與二級分割槽的交錯部分比其它區域易壞，不能抑制在一級分割時產生的交錯部分的碎片。
[0011]本發明是鑒于上述那樣的現有技術的實際情況而做成的，其目的在于提供一種能夠抑制在一級分割槽與二級分割槽的交錯部分產生的碎片的芯片電阻器的制造方法。
[0012]解決技術問題所采用的技術方案
[0013]為了達到上述的目的，由本發明獲得的芯片電阻器的制造方法包括:在片狀的大張基板上形成橫豎延伸的多個一級分割槽及二級分割槽的工序；在上述大張基板的一面以橫跨上述一級分割槽的方式形成多對電極的工序；形成與上述多對電極連接的多個電阻的工序；以包覆上述多個電阻的方式形成保護層的工序；將上述大張基板沿上述一級分割槽分割而形成多個長條狀基板的工序；在上述長條狀基板的分割面上形成端面電極的工序；以及將上述長條狀基板沿上述二級分割槽分割而形成各個元件的工序，該芯片電阻器的制造方法將上述一級分割槽中的包含與上述二級分割槽的交叉部分在內未形成上述電極的區域的槽深度，設定為比形成有上述電極的區域的槽深度大，將上述大張基板沿上述一級分割槽分割而形成上述長條狀基板。
[0014]在利用上述這樣的工序制成的芯片電阻器中，當在大張基板的一面形成了電極及電阻等后，以使形成有該電極及電阻等的面側開放的方式將大張基板沿一級分割槽分割時，首先從槽深度小且具有強度的形成有電極的區域開始裂開，隨后槽深度大且易壞的交錯部分被分割，因此能不對強度低的交錯部分施加大負荷地進行一級分割，不會在交錯部分產生碎片(肩片)。
[0015]在上述的芯片電阻器的制造方法中，理想的是，在將未形成有電極的區域的槽深度設定為D1，將形成有電極的區域的槽深度設定為D2時，將上述槽深度設定為D1 彡(D2+20 μπ?)。
[0016]另外，在上述的芯片電阻器的制造方法中，也可以預先在大張基板上形成槽深度在每個區域不同的一級分割槽，以橫跨該一級分割槽的槽深度較淺的區域的方式形成電極，但當在不具有分割槽的大張基板上以30 μπ??60 μπ?的膜厚形成了電極后，以橫截該電極的方式照射激光而形成一級分割槽時，能夠簡單地形成槽深度不同的一級分割槽，是理想的。
[0017]發明效果
[0018]在由本發明獲得的芯片電阻器的制造方法中，使一級分割槽的槽深度在形成有電極的區域及該區域以外的區域不同，當在大張基板的一面形成了電極及電阻等后，以使形成有該電極及電阻等的面側開放的方式將大張基板沿一級分割槽分割時，首先從槽深度小且具有強度的形成有電極的區域開始裂開，隨后槽深度大且易壞的交錯部分被分割，因此能不對強度低的交錯部分施加大負荷地進行一級分割，不會在交錯部分產生碎片(肩片)。
【附圖說明】
[0019]圖1是表示本發明的芯片電阻器的俯視圖。
[0020]圖2是沿著圖1的I1-1I線的剖視圖。
[0021]圖3是表示該芯片電阻器的第一實施方式例的制造方法的說明圖。
[0022]圖4是沿著圖3 (a)的IV -1V線的放大剖視圖。
[0023]圖5是表示該芯片電阻器的第二實施方式例的制造方法的說明圖。
[0024]圖6是沿著圖5 (c)的V1- VI線的放大剖視圖。
【具體實施方式】
[0025]以下，參照【附圖說明】發明的實施方式。如圖1及圖2所示，本發明的芯片電阻器(chip-resistor) 1主要由長方體形狀的絕緣基板2、設置在絕緣基板2的正面(在圖2中是上表面)的長度方向兩端部的一對正面電極3、設置在絕緣基板2的背面(在圖2中是下表面)的長度方向兩端部的一對背面電極4、兩端部與一對正面電極3重疊并設置在絕緣基板2的正面的電阻5、包覆電阻5的內涂層6、包覆內涂層6的外涂層7、將正面電極3與背面電極4橋接的一對端面電極8、以及將各正面電極3的一部分、各背面電極4及端面電極8包覆的電鍍層9構成。
[0026]絕緣基板2由陶瓷等構成，將后述的大張基板沿橫豎延伸的第一分割槽及第二分割槽分割而獲得許多個該絕緣基板2。通過對Ag焊糊進行網版印刷并進行干燥?燒制而得到正面電極3，同樣也通過對Ag焊糊進行網版印刷并進行干燥.燒制而得到背面電極4。通過對氧化釕等的電阻焊糊進行網版印刷并進行干燥.燒制而得到電阻5，在該電阻5上形成有休整槽10，以調節電阻值。通過對玻璃焊糊進行網版印刷并進行燒制而得到內涂層6，該內涂層6形成為在形成休整槽10之前包覆電阻5。通過對環氧樹脂焊糊進行網版印刷并加熱硬化而得到外涂層7，在電阻5上形成了休整槽10之后，形成該外涂層7。
[0027]以包覆絕緣基板2的端面及正面電極3的方式通過噴濺來形成端面電極8，該端面電極8由與絕緣基板2的密合性佳的鎳鉻耐熱合金(Ni/Cr)構成。以包覆正面電極3的一部分、背面電極4及端面電極8的方式通過電解鍍來形成電鍍層9，該電鍍層9由成為阻擋層的鎳(Ni)、錫(Sn)-鉛(Pb)及無鉛的Sn等構成。
[0028]接下來，參照圖3及圖4對上述那樣構成的芯片電阻器1的第一實施方式例的制造方法進行說明。
[0029]首先，如圖3(a)所示，準備形成有許多個絕緣基板2的片狀的大張基板20。該大張基板20是例如0.5mm厚的陶瓷基板(氧化鋁96%基板)，在該大張基板20的一面(正面)預先以橫豎延伸的格子狀排列方式形成有一級分割槽21及二級分割槽22。上述一級分割槽21及二級分割槽22均是截面為V字形狀的槽，二級分割槽22以均勻的槽深度呈直線狀延伸，但一級分割槽21以淺部分與深部分交替連續的不均勻的槽深度呈直線狀延伸。
[0030]S卩，如圖4所示，與二級分割槽交叉的交錯部分的一級分割槽21的槽深度(=D1)比由相鄰的交錯部分夾著的部分的一級分割槽21的槽深度(=D2)大，上述槽深度設定為D1彡(D2+20ym)的關系。另外，D1部分的寬度W1比二級分割槽22、即V字形狀的槽寬度W2大，上述槽寬度設定為Wl > W2的關系。在本實施方式例的情況下，在使用0.5mm厚的大張基板20的關系上，使D1 = 130μπι?160μπι，使D2 = 80 μπ??100 μπ?。另外，在大張基板20的另一面(背面)也以橫豎延伸的格子狀排列方式形成有一級分割槽23及二級分割槽24，上述第一分割槽23以及第二分割槽24的槽深度設定為比正面側的第一分割槽21以及第二分割槽22淺，并且第一分割槽23以及第二分割槽24全設定為均勻的槽深度(30 μ m ?60 μ m) ο
[0031]接著，以橫跨在各一級分割槽21上的方式對Ag焊糊進行網版印刷并進行燒制，從而如圖3(b)所示，在大張基板20的正面形成多對的正面電極3。理想的是，這些正面電極3形成在一級分割槽21的槽深度較淺的區域(圖4中的D2部分)內，包含交錯部分在內在一級分割槽21的槽深度較深的區域(圖4中的D1部分)不形成正面電極3，以不使沿分割槽相鄰的正面電極3彼此相連。另外，正面電極3只要形成在一級分割槽21的槽深度較深的區域內即可，正面電極3的寬度尺寸與D1部分的寬度W1可以不必一致，也可以將正面電極3的寬度尺寸設定為比D1部分的寬度W1窄一些。雖然省略了圖示，但在大張基板20的背面也以橫跨在各一級分割槽23上的方式形成有多對背面電極4。
[0032]接著，以橫跨在成對的正面電極3上的方式對氧化釕系的電阻焊糊進行網版印刷并進行燒制，從而如圖3(c)所示，一并形成長度方向的兩端部與正面電極3重疊的多個電阻5。
[0033]接著，當在分別包覆各電阻5的區域內對玻璃焊糊進行網版印刷并進行燒制，從而在各電阻5上形成了內涂層6后，對被內涂層6包覆的電阻5照射激光束而形成休整槽10。而后，在將各內涂層6及電阻5包覆的區域內對環氧樹脂焊糊進行網版印刷并加熱使環氧樹脂焊糊固化，從而如圖3 (d)所示，形成將二級分割槽22橫截并呈帶狀延伸的外涂層7。
[0034]以上的工序是