低溫多晶硅tft基板的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及顯示技術領域，尤其設及一種低溫多晶娃TFT基板的制作方法。
【背景技術】 陽002] 液晶顯示裝置化iquid化ystal Display, LCD)具有機身薄、省電、無福射等眾多 優點，得到了廣泛的應用，如：移動電話、個人數字助理（PDA)、數字相機、計算機屏幕或筆 記本電腦屏幕等。
[0003] 現有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示裝置，其包括殼體、設于殼 體內的液晶面板及設于殼體內的背光模組度ackli曲t mo化Ie)。傳統的液晶面板的結構 是由一彩色濾光片基板（Color Filter Substrate)、一薄膜晶體管陣列基板（Thin Film Transistor Array Substrate, TFT Array Substrate) W及一配置于兩基板間的液晶層 (Liquid化ystal Layer)所構成，其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅動電壓來控 制液晶層的液晶分子的旋轉，將背光模組的光線折射出來產生畫面。
[0004] 低溫多晶娃(Xow Temperature化ly-silicon, LTP巧技術是新一代TFT基板的制 造技術，與傳統非晶娃（a-Si)技術的最大差異在于，低溫多晶娃顯示器反應速度較快，且 有高亮度、高解析度與低耗電量等優點。 陽0化]請參閱圖1，為一種現有低溫多晶娃TFT基板的剖面結構示意圖，其制作方法主要 包括如下步驟：先依次在基板100上沉積緩沖層200、非晶娃（a-Si)層，非晶娃層經由準分 子激光退火處理巧XCimer LaserAnneal, ELA)結晶轉變為多晶娃（Pol廠Si),然后通過黃 光/蝕刻制程得到多晶娃層300,再在多晶娃層300上用兩次光罩（Mask)通過黃光光阻分 別對多晶娃層300進行離子植入，得到N型重滲雜（N+)區域和N型輕滲雜（N-)區域，得到 輕滲雜漏區（LDD);之后通過多次沉積、黃光、蝕刻制程得到柵極絕緣層400、柵極500、層間 絕緣層600、源/漏極700,最終得到圖1所示結構的低溫多晶娃TFT基板。
[0006] 上述低溫多晶娃TFT基板的制作方法存在一定缺點，即在定義低溫多晶娃TFT基 板的N型重滲雜區域和N型輕滲雜區域后需要用到兩次離子植入，制作工序流程復雜，制造 成本高。因此，有必要提供一種低溫多晶娃TFT基板的制作方法，W解決上述問題。
【發明內容】
[0007] 本發明的目的在于提供一種低溫多晶娃TFT基板的制作方法，可減少一次離子植 入制程，簡化工藝流程，降低生產成本。
[0008] 為實現上述目的，本發明提供一種低溫多晶娃TFT基板的制作方法，包括如下步 驟：
[0009] 步驟1、提供基板，在所述基板上沉積緩沖層；
[0010] 步驟2、在所述緩沖層上沉積非晶娃層，對所述非晶娃層進行去氨處理后，通過結 晶制程使其轉變為多晶娃層，對多晶娃層進行圖案化處理，得到島狀多晶娃層；
[0011] 步驟3、在所述島狀多晶娃層上涂覆光阻，對所述光阻進行曝光、顯影后形成光阻 層；W所述光阻層為遮蔽層，對所述島狀多晶娃層兩側進行離子植入，形成位于所述島狀多 晶娃層兩側的N型重滲雜區域及位于兩個N型重滲雜區域之間的未滲雜區域，之后剝離所 述光阻層；
[0012] 步驟4、在所述島狀多晶娃層上沉積第一柵極絕緣層，在所述第一柵極絕緣層上沉 積第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖案化處理，得到對應所述未滲雜區域上方的第 一柵極，且所述第一柵極的寬度小于所述未滲雜區域的寬度；
[0013] 步驟5、在所述第一柵極絕緣層、第一柵極上沉積第二柵極絕緣層，在所述第二柵 極絕緣層上沉積第二金屬層，并對所述第二金屬層進行圖案化處理，得到對應所述第一柵 極上方的第二柵極，所述第二柵極的寬度等于所述未滲雜區域的寬度，且所述第二柵極的 兩端均超出所述第一柵極的兩端一段距離，從而在所述未滲雜區域上被所述第一柵極與第 二柵極進行雙重覆蓋的區域形成具有強電場的溝道區，在所述未滲雜區域的兩側僅被所述 第二柵極覆蓋的區域形成低電場區；
[0014] 步驟6、在所述第二柵極絕緣層與第二柵極上沉積層間絕緣層；通過黃光制程在 所述層間絕緣層、第一柵極絕緣層、及第二柵極絕緣層上對應所述島狀多晶娃層兩側的N 型重滲雜區域的上方形成過孔；
[0015] 步驟7、在所述層間絕緣層上沉積第=金屬層，對所述第=金屬層進行圖案化處 理，得到源/漏極，所述源/漏極經由所述過孔與所述島狀多晶娃層兩側的N型重滲雜區域 相接觸。
[0016] 所述步驟1中，所述基板為玻璃基板；所述緩沖層為氮化娃層與氧化娃層的復合 層；所述氮化娃層的厚度為40~IOOnm;所述氧化娃層的厚度為100~200nm。
[0017] 所述步驟2中，所述非晶娃層的厚度為40~60nm ;所述結晶制程為準分子激光退 火處理或者固相結晶化制程。
[0018] 所述第一柵極絕緣層、第二柵極絕緣層的材料為氮化娃或氧化娃；所述第一柵極、 第二柵極的材料為鋼；所述層間絕緣層為氮化娃層、氧化娃層、或二者的組合；所述源/漏 極為鋼/侶/鋼復合層。
[0019] 所述第二柵極的兩端超出于所述第一柵極的兩端的距離均為1~2 ym。
[0020] 本發明還提供另一種低溫多晶娃TFT基板的制作方法，包括如下步驟：
[0021] 步驟1、提供基板，在所述基板上沉積緩沖層；
[0022] 步驟2、在所述緩沖層上沉積第一金屬層，并對所述第一金屬層進行圖案化處理， 得到第一柵極；在所述第一柵極上沉積第一柵極絕緣層；
[0023] 步驟3、在所述第一柵極絕緣層上沉積非晶娃層，對所述非晶娃層進行去氨處理 后，通過結晶制程使其轉變為多晶娃層，對多晶娃層進行圖案化處理，得到對應所述第一柵 極上方的島狀多晶娃層；
[0024] 步驟4、在所述島狀多晶娃層上涂覆光阻，對所述光阻進行曝光、顯影后形成光阻 層；W所述光阻層為遮蔽層，對所述島狀多晶娃層兩側進行離子植入，形成位于所述島狀多 晶娃層兩側的N型重滲雜區域及位于兩個N型重滲雜區域之間的未滲雜區域，之后剝離所 述光阻層，其中，所述未滲雜區域的寬度大于所述第一柵極的寬度；
[00巧]步驟5、在所述島狀多晶娃層上沉積第二柵極絕緣層，并在所述第二柵極絕緣層上 沉積第二金屬層，對所述第二金屬層進行圖案化處理，得到對應所述未滲雜區域上方的第 二柵極；其中，所述第二柵極絕緣層的厚度大于第一柵極絕緣層的厚度，所述第二柵極的寬 度等于所述未滲雜區域的寬度，且所述第二柵極的兩端均超出所述第一柵極的兩端一段距 離，從而在所述未滲雜區域上被所述第一柵極與第二柵極進行雙重覆蓋的區域形成具有強 電場的溝道區，在所述未滲雜區域的兩側僅被所述第二柵極覆蓋的區域形成低電場區； [00%] 步驟6、在所述第二柵極絕緣層、第二柵極上沉積層間絕緣層，通過黃光制程在所 述層間絕緣層、及第二柵極絕緣層上對應所述島狀多晶娃層兩側的N型重滲雜區域的上方 形成過孔；
[0027] 步驟7、