m或Li以及這些材料的化合物、組合或合金。第一電極層14能夠由在TC0層上的金屬層的組合的層堆形成或反之亦然。一個實例是施加在銦錫氧化物層(IT0)上的銀層(在IT0上的Ag)或ITO-Ag-1TO多層。
[0052]對于上述材料替選或附加地，第一電極層14能夠具有一種或多種下述材料:由例如Ag構成的金屬納米線和微粒構成的網絡；由碳納米管構成的網絡；石墨烯微粒和層；由半導體納米線構成的網絡。此外，第一電極層14具有導電的聚合物或過渡金屬氧化物或透明導電氧化物。
[0053]在不同的實施例中，第一電極層14和載體12能夠半透明或透明地構成。第一電極層14例如能夠具有在大約lnm至大約500nm的范圍中的層厚度、例如在大約10nm至大約250nm的范圍中的層厚度、例如在大約lOOnm至大約150nm的范圍中的層厚度。
[0054]第一電極層14能夠構成為陽極、即構成為注入空穴的電極，或構成為陰極、即構成為注入電子的電極。
[0055]除了第一電極層14以外，在載體12上構成第一接觸饋電部18，所述第一接觸饋電部與第一電極層14電耦合。第一接觸饋電部18能夠與第一電勢(由未示出的能量源、例如電流源或電壓源提供)耦合。替選地，第一電勢能夠施加到載體12上并且然后經由其間接地施加到第一電極層14上。第一電勢例如能夠是接地電勢或其他預設的參考電勢。
[0056]在第一電極層14上方構成功能層結構22，例如有機功能層結構。功能層結構22能夠具有例如帶有發射熒光和/或發射磷光的發射體的一個或多個發射體層，以及一個或多個空穴傳導層(也稱作空穴傳輸層)。在不同的實施例中，替選地或附加地能夠設有一個或多個電子傳導層(也稱作電子傳輸層)。
[0057]在根據不同的實施例的光電子器件10中能夠用于發射體層的發射體材料的實例包含:有機的或有機金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物(例如2-或2，5-取代的聚-對-亞苯基乙烯撐);以及金屬絡合物，例如銥絡合物，如發藍色磷光的FIrPic (雙(3，5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基_ (2-羧基吡啶基)-銥III)、發綠色磷光的Ir (ppy) 3 (三(2-苯基吡啶)銥III)、發紅色磷光的Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6))(三[4，4’ - 二-叔-丁基_(2，2’)_聯吡啶]釕(III)絡合物)、以及發藍色熒光的DPAVBi (4, 4-雙[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯苯)、發綠色熒光的TTPA(9，10-雙[N，N-二-(對-甲苯基)-氨基]蒽)和發紅色熒光的DCM2(4-二氰基亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作為非聚合物發射體。這種非聚合物發射體例如能夠借助于熱蒸鍍或借助于刮涂沉積。此外，能夠使用聚合物發射體，所述聚合物發射體尤其能夠借助于濕法化學法、例如旋涂法(也稱作Spin Coating)來沉積。發射體材料能夠以適合的方式嵌入在基體材料中。
[0058]發射體層的發射體材料例如能夠被選擇為，使得光電子器件10發射白光。(多個)發射體層能夠具有多個不同色地(例如藍色和黃色或者藍色、綠色和紅色)發射的發射體材料，替選地，(多個)發射體層也能夠由多個子層構成，如發藍色熒光的發射體層或者發藍色磷光的發射體層，發綠色磷光的發射體層和發紅色磷光的發射體層。通過不同顏色的混合，能夠實現具有白色的色彩印象的光的發射。替選地，也能夠提出，在通過這些層產生的初級發射的射束路徑中設置有轉換材料，所述轉換材料至少部分地吸收初級輻射并且發射其他波長的次級輻射，使得從(還不是白色的)初級輻射中通過將初級輻射和次級輻射組合得到白色的色彩印象。
[0059]功能層結構22通常能夠具有一個或多個電致發光層。電致發光層能夠具有有機聚合物、有機低聚物、有機單體、有機的、非聚合物的小的分子(“小分子(smallmolecules)”)或這些材料的組合。例如，功能層結構22能夠具有構成為空穴傳輸層的一個或多個電致發光層，使得例如在0LED的情況下能夠實現將空穴有效地注入到進行電致發光的層或進行電致發光的區域中。替選地，在不同的實施例中，功能層結構22能夠具有構成為電子傳輸層的一個或多個功能層，使得例如在0LED中能夠實現將電子有效地注入到進行電致發光的層或進行電致發光的區域中。例如能夠使用叔胺、咔唑衍生物、導電的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作為用于空穴傳輸層的材料。在不同的實施例中，電致發光層能夠構成為進行電致發光的層。
[0060]在不同的實施例中，空穴傳輸層能夠施加、例如沉積在第一電極層14上或上方，并且發射體層能夠施加、例如沉積在空穴傳輸層上或上方。在不同的實施例中，電子傳輸層能夠施加、例如沉積在發射體層上或上方。
[0061]在不同的實施例中，功能層結構22能夠具有在大約10nm至大約3μπι的范圍中、例如大約lOOnm至大約1 μπι的范圍中、例如大約300nm至大約800nm的范圍中的層厚度。在不同的實施例中，功能層結構22例如能夠具有彼此疊加設置的所提出的層的層堆。
[0062]光電子器件10可選地通常能夠具有例如設置在一個或多個發射體層上或上方或者電子傳輸層上或上方的其他的功能層，所述功能層用于進一步改進光電子器件10的功能進而效率。
[0063]在功能層結構22上方構成第二電極層24。在第一電極層14旁邊，更確切地說在第一電極層14的背離第一接觸饋電部18的側上在載體12上方構成第二接觸饋電部16。第二接觸饋電部16與第二電極層24電耦合。第二接觸饋電部16用于電接觸第二電極層
24。能夠將第二電勢施加到第二接觸饋電部16上。第二電勢例如能夠具有如下數值:即與第一電勢的差具有在大約1.5V至大約20V的范圍中的值、例如具有在大約2.5V至大約15V的范圍中的值、例如具有在3V至大約12V的范圍中的值。第二電極層24能夠具有與第一電極層14相同的材料或由其形成。第二電極層24例如能夠具有在大約lnm至大約lOOnm的范圍中、例如大約10nm至大約50nm的范圍中、例如大約15nm至大約30nm的范圍中的層厚度。第二電極層24通常能夠以與第一電極層14類似地構成或與其不同地構成。第二電極層24能夠構成為陽極、即構成為注入空穴的電極，或構成為陰極、即構成為注入電子的電極。
[0064]在不同的實施例中，第一電極層14和第二電極層24這兩者都半透明地或透明地構成。因此，光電子器件10能夠構成為頂部和底部發射器和/或構成為透明的光電子器件10。
[0065]電接觸饋電部18、16例如能夠用作陽極或陰極的一部分。電接觸饋電部18、16例如能夠構成為是透明的或非透明的。電接觸饋電部18、16例如能夠具有子層，所述子層例如具有鉬/鋁/鉬，絡/鋁/絡，銀/鎂或僅具有鋁。第二電極層24與第一接觸饋電部18和第一電極層14通過第一絕緣體層20和第二絕緣體層26隔開。絕緣體層20、26例如具有聚酰亞胺并且可選地構成。
[0066]具有第一電極層14、接觸饋電部16、18和絕緣體層20、26的載體12也能夠稱作襯底。在襯底上構成功能層結構22。
[0067]在第二電極層24上方并且部分地在第一接觸饋電部18、第二接觸饋電部16和第二絕緣體層26上方構成封裝層28。因此，封裝層28覆蓋第一接觸饋電部18和第二接觸饋電部16，其中為了電接觸接觸饋電部18、16隨后能夠至少部分地露出所述接觸饋電部。封裝層28例如能夠以阻擋薄層或薄層封裝部的形式構成。將“阻擋薄層”或“薄層封裝部”能夠理解為適合于形成相對于化學污染或大氣物質、尤其相對于水(濕氣)和氧氣的阻擋物的層或層結構。換言之，封裝層28構成為，使得所述封裝層不會由例如損害0LED的物質，如水、氧氣或溶劑穿透或最多以極其小的份額穿透。
[0068]根據一個設計方案，封裝層28構成為單個層(換言之，構成為單層)。根據一個替選的設計方案，封裝層28能夠具有多個彼此疊加構成的子層。換言之，根據一個設計方案，封裝層28能夠構成為層堆(層疊)。封裝層28或封裝層28的一個或多個子層例如能夠借助于適合的沉積法形成，例如借助于原子層沉積方法(Atomic Layer Deposit1n (ALD))，例如為等離子增強的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n(PEALD))或無等離子的原子層沉積方法(Plasma-less Atomic Layer Deposit1n (PLALD))，或借助于化學氣相沉積方法(Chemical Vapor Deposit1n (CVD))來形成，例如為等離子增強的氣相沉積方法(Plasma Enha