層疊陶瓷電容器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及層疊陶瓷電容器。
【背景技術】
[0002]層疊陶瓷電容器一般包括層疊構造的電容器主體和分別設置在該電容器主體的相對的端部的外部電極。電容器主體包括:由多個內部電極層隔著陶瓷層層疊而成的電容形成部；和配置在該電容形成部的層疊方向兩側的陶瓷制的保護部。另外，多個內部電極層的一部分的端緣與一方的外部電極連接，剩余部分的端緣與另一方的外部電極連接。
[0003]在這種層疊陶瓷電容器中，為了抵抗因安裝到電路基板等時受到的應力和安裝后的熱沖擊等的原因而受到的應力，需要與其相應的彎曲強度。并且，該彎曲強度通常由在基板的一個面焊接層疊陶瓷電容器后，在用擋塊支承該基板的一個面的狀態下利用治具以一定速度向下側按壓其另一個面的與電容器焊接部位對應的部位而使其變形，在該變形過程中層疊陶瓷電容器產生了規定百分率以上的電容降低時的治具的壓入量(單位為mm)表不ο
[0004]下述專利文獻1和2中公開有能夠用于提高層疊陶瓷電容器的彎曲強度的構造。但是，兩者都在電容器主體內設置有對電容形成沒有貢獻的偽電極層或者金屬層，因此，電容器主體的構造復雜化。
[0005]現有技術文獻
[0006]專利文獻
[0007]專利文獻1:日本特開平07-335473號公報
[0008]專利文獻2:日本特開平08-181032號公報
【發明內容】
[0009]發明要解決的技術問題
[0010]本發明的目的在于提供一種層疊陶瓷電容器，其在電容器主體內部不設置對電容形成沒有貢獻的偽電極層或者金屬層，而能夠提高彎曲強度。
[0011]用于解決技術課題的技術方案
[0012]為了實現上述目的，本發明提供一種層疊陶瓷電容器，其包括:層疊構造的電容器主體；和分別設置在該電容器主體的相對的端部的外部電極，該層疊陶瓷電容器中，上述電容器主體包括:陶瓷制的保護部；多個內部電極層隔著陶瓷層層疊而成的電容形成部；和陶瓷制的非電容形成部，并且，上述保護部、上述電容形成部和上述非電容形成部從層疊方向一側向另一側去按保護部-電容形成部-非電容形成部-電容形成部-保護部的順序形成，設各上述保護部的層疊方向厚度為Τ2、各上述電容形成部的層疊方向厚度為Τ3、上述非電容形成部的層疊方向厚度為Τ4時，上述Τ2?Τ4滿足Τ2 < Τ3 < Τ4的關系。
[0013]發明效果
[0014]根據本發明，能夠提供一種層疊陶瓷電容器，其在電容器主體內部不設置對電容形成沒有貢獻的偽電極層或者金屬層，而能夠提高彎曲強度。
[0015]本發明的上述目的和其它的目的以及與各目的對應的特征和效果，根據以下的說明和附圖而能夠明確。
【附圖說明】
[0016]圖1是表示應用本發明的層疊陶瓷電容器的基本構造的縱截面。
[0017]圖2是用于說明圖1所示的層疊陶瓷電容器的制造方法例的圖。
[0018]圖3是效果檢驗用的試樣I?23的規格和檢查結果的圖。
【具體實施方式】
[0019]《層疊陶瓷電容器的基本構造》
[0020]首先，使用圖1說明應用本發明的層疊陶瓷電容器10的基本構造。
[0021]層疊陶瓷電容器10包括:呈大致長方體狀的層疊構造的電容器主體11 ;和分別設置在該電容器主體11的長度方向端部的外部電極12。
[0022]電容器主體11從層疊方向一側向另一側按保護部Ila-電容形成部I Ib-非電容形成部Ilc-電容形成部IIb-保護部Ila的順序包括:陶瓷制的保護部Ila ;由多個內部電極層Ilbl隔著陶瓷層llb2層疊而成的電容形成部Ilb ;和陶瓷制的非電容形成部12c。并且，圖1中的L表示層疊陶瓷電容器10的長度，Tl表示電容器主體11的層疊方向厚度，T2表示各保護部Ila的層疊方向厚度，T3表示各電容形成部Ilb的層疊方向厚度，T4表示非電容形成部Ilc的厚度，T5表示T2和T3的和。
[0023]各保護部Ila的層疊方向厚度T2的基準值相同，各電容形成部Ilb的層疊方向厚度T3的基準值相同，各內部電極層Ilbl的厚度的基準值相同，各陶瓷層llb2的厚度(夾在內部電極層Ilbl之間的部分的厚度)的基準值相同。各內部電極層Ilbl的輪廓呈矩形(參照圖2)，規定該輪廓的尺寸的基準值相同。各內部電極層Ilbl在長度L方向上交替錯開，一部分(從圖1中的上方起第奇數個)的端緣與一個(圖1中的左側)的外部電極12連接，剩余部分(從圖1中的上方起第偶數個)的端緣與另一個(圖1中的右側)的外部電極12連接。
[0024]各保護部11a、各陶瓷層llb2和非電容形成部Ilc由相同材料形成，該材料中使用鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、二氧化鈦等的電介質陶瓷，優選使用ε >1000或者2類(CLASS2、高介電常數類)的電介質陶瓷。各內部電極層Ilbl由相同材料形成，該材料能夠使用鎳、銅、鈀、鈾、銀、金、它們的合金等的金屬。
[0025]各外部電極12分別覆蓋電容器主體11的長度方向端面和與該端面相鄰的4個側面的一部分。雖然省略圖示，但是，各外部電極12具有與電容器主體11的外表面緊貼的基底膜和與該基底膜的外表面緊貼的表面膜的2層構造、或者具有在基底膜和表面膜之間至少具有一個中間膜的多層構造。基底膜例如由烤印(印制)金屬膜形成，其材料能夠使用鎳、銅、鈀、鈾、銀、金、它們的合金等的金屬。表面膜例如由鍍覆金屬膜形成，其材料能夠使用錫、鈀、金、鋅等的金屬。中間膜例如由鍍覆金屬膜形成，其材料能夠使用鉑、鈀、金、銅、鎳等的金屬。
[0026]《層疊陶瓷電容器的制造方法例》
[0027]接著，引用圖2說明上述層疊陶瓷電容器10的制造方法例。
[0028]首先，涂敷含有上述電介質陶瓷的粉末的陶瓷漿料，進行干燥，準備第一片材S1，并且，將含有上述金屬的粉末的電極膏印刷在該第一片材S1上，進行干燥，準備形成有電極圖案EP的第二片材S2和第三片材S3。第二片材S2和第三片材S3中，電極圖案EP的位置錯開，使得能夠得到各內部電極層llbl在長度L方向上交替錯開的形態(參照圖1)。
[0029]接著，重疊多個第一片材S1，在其上交替重疊多個第三片材S3和第二片材S2，然后在其上重疊多個第一片材S1，然后交替重疊多個該第三片材S3和第二片材S2，然后在其上交替重疊多個第一片材S1，對整體進行熱壓接，制作片材層疊物。
[0030]接著，切割片材層疊物，制作與電容器主體11對應的未燒制芯片。此外，圖2表示了與1個電容器主體11對應的層結構，但實際的第一?第三片材和片材層疊物是對應能夠獲得多個電容器主體的層結構，因此，上述電極圖案EP以矩陣排列或交錯排列形成，由此，通過切割能夠獲得多個電容器主體的片材層疊物來制作未燒制芯片。
[0031]接著，以與上述陶瓷漿料和上述電極膏相應的氣氛和溫度曲線對未燒制芯片進行燒制(含脫粘合劑處理)。
[0032]接著，在燒制芯片的長度方向端部分別涂敷上述電極膏并進行烤印來制作基底膜，在該基底膜上通過電鍍來制作表面膜或者制作中間膜和表面膜。此外，能夠在未燒制芯片的長度方向端部分別涂敷上述電極膏并干燥后，通過將基底膜與未燒制芯片同時進行燒制來制作成。
[0033]《試樣1?23的規格》
[0034]接著，引用圖3，說明效果檢驗用的試樣1?23的規格。
[0035]試樣1?23均具有與上述層疊陶瓷電容器10相同的構造，且根據上述制造方法例制作而成，它們的共同點在于:在各保護部11a、各陶瓷層llb2和非電容形成部11c使用鈦酸鋇的方面；各內部電極層llbl使用了鎳的方面；各外部電極12具有使用了鎳的基底膜、使用了銅的中間膜和使用了錫的表面膜的3層構造的方面；以及各外部電極12的厚度的基準值為0.01mm的方面。
[0036]試樣1?23的不同點在于:試樣1?8的長度L的基準值為1.00mm、試樣9?16的長度L的基準值為0.60mm、試樣17?23的長度L的基準值為0.40mm這一方面；試樣1?8的各電容形成部llb(T3為0.10mm)具有52層的內部電極層llbl (厚度為1 μ m)和51層的陶瓷層llb2(厚度為Ιμπι)、試樣9?16的各電容形成部lib (Τ3為0.06mm)具有32層的內部電極層llbl (厚度為1 μm)和31層的陶瓷層llb2(厚度為1 μm)、試樣17?23的各電容形成部llb(T3S0.04mm)具有22層的內部電極層llbl (厚度為1 μ m)和21層的陶瓷層1