、TMIn、TEIn、TIPIn、TMGa、TEGa、TIPGa、TIBGa 及 TTBGa 的至少其中之一以及 V 族材料:PH3、TBP、AsH3、DMAs、TMAs、TEAs、DEAs、TBAs、TESb、TMSb、DMHy、MMHy 及 NH3的至少其中之一。
[0082]如圖1所示，本發明的集極層40可由N型GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP及InGaAsP的至少其中之一形成，且基極層50可由P型GaAs、InGaAs、InGaAsN及GaAsSb的至少其中之一形成，射極層60可由N型AlGalnP、InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成。
[0083]如圖1所示，本發明的射極蓋層70可由N型GaAs、InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成，且歐姆接觸層80可由N型GaAs及InGaAs的至少其中之一形成。
[0084]如圖2所示，圖2為本發明第二較佳實施例的異質接面雙極性晶體管的示意圖。
[0085]根據本發明第二較佳實施例，如圖2所示，本發明的異質接面雙極性晶體管包括:一由GaAs形成的基板10 ;—次集極層20，堆棧在基板10上，且一部份或全部次集極層由摻雜雜質至少包含Te及/或Se的N型II1-V族半導體形成；一阻隔層結構30，直接或間接的堆棧在次集極層上，且由以至少包含IV族原子為摻雜雜質的N型II1-V族半導體形成，其中，阻隔層結構30的IV族原子摻雜總量為一阻隔層的厚度T或多個阻隔層的厚度T的總和乘以該(多個)阻隔層的IV族原子摻雜濃度D大于或等于lX1012cm2(亦即，ΣΤΧ? ^ lX1012cm 2);一集極層40，堆棧在阻隔層結構30上，且由N型II1-V族半導體形成；一基極層50，堆棧在集極層40上，且由P型II1-V族半導體形成；一射極層60，堆棧在基極層50上，且由不同于基極層50的N型II1-V族半導體形成；一射極蓋層70，堆棧在射極層60上，且由N型II1-V族半導體形成；以及一歐姆接觸層80，堆棧在射極蓋層70上，且由N型II1-V族半導體形成。
[0086]此外，如圖2所示，本發明的阻隔層結構30可由多個阻隔層31、33、35形成。
[0087]如圖2 所示，阻隔層結構 30 可由 GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP、InGaAsP、GaAsSb、InGaAsN、AlAs及AlGalnP的至少其中之一形成，或者可由上述的材料的組合及/或超晶格(superlattice)形成。
[0088]如圖2所示，阻隔層結構30的IV族摻雜原子可由S1、Ge及Sn的至少其中之一形成。
[0089]另外，本發明的阻隔層結構30可由有機金屬化學氣相沉積法磊晶成長，且成長該阻隔層結構的材料可包括 III 族材料:TMA1、TEA1、TMIn、TEIn、TIPIn、TMGa、TEGa、TIPGa、TIBGa 及 TTBGa 的至少其中之一以及 V 族材料:PH3、TBP、AsH3、DMAs、TMAs、TEAs、DEAs、TBAs、TESb、TMSb、DMHy、MMHy 及 NH3的至少其中之一。
[0090]如圖2所示，本發明的集極層40可由N型GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP及InGaAsP的至少其中之一形成，且基極層50可由P型GaAs、InGaAs、InGaAsN及GaAsSb的至少其中之一形成，射極層60可由N型AlGalnP、InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成。
[0091]如圖2所示，本發明的射極蓋層70可由N型GaAs、InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成，且歐姆接觸層80可由N型GaAs及InGaAs的至少其中之一形成。
[0092]如圖3所示，圖3為本發明第三較佳實施例的異質接面雙極性晶體管的示意圖。
[0093]根據本發明第三較佳實施例，本發明的異質接面雙極性晶體管包括:一由GaAs形成的基板10 ; —晶體管15，直接或間接地堆棧在基板10上；一次集極層20，堆棧在晶體管15上，且一部份或全部次集極層由摻雜雜質至少包含Te及/或Se的N型II1-V族半導體形成；一阻隔層結構30，直接或間接地堆棧在次集極層20上，且由以至少包含IV族原子為摻雜雜質的N型II1-V族半導體形成，其中，阻隔層結構30的IV族原子摻雜總量為一阻隔層的厚度T或多個阻隔層的厚度T的總和乘以該(多個)阻隔層的IV族原子摻雜濃度D大于或等于lX1012cm2(亦即，ΣΤΧ? ^ 1 X 1012cm 2);一集極層40，堆桟在阻隔層結構30上，且由N型II1-V族半導體形成；一基極層50，堆棧在集極層40上，且由P型II1-V族半導體形成；一射極層60，堆棧在基極層50上，且由不同于基極層50的N型II1-V族半導體形成；一射極蓋層70，堆棧在射極層60上，且由N型II1-V族半導體形成；以及一歐姆接觸層80，堆棧在射極蓋層70上，且由N型II1-V族半導體形成。
[0094]根據本發明第三較佳實施例，如圖3所示，本發明的晶體管可為場效晶體管。
[0095]此外，如圖3所示，本發明的阻隔層結構30可由單一阻隔層形成。
[0096]如圖3 所示，阻隔層結構 30 可由 GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP、InGaAsP、GaAsSb、InGaAsN、AlAs及AlGalnP的其中之一形成。
[0097]如圖3所示，阻隔層結構30的IV族摻雜原子可由S1、Ge及Sn的至少其中之一形成。
[0098]另外，本發明的阻隔層結構30可由有機金屬化學氣相沉積法磊晶成長，且成長該阻隔層結構的材料可包括 III 族材料:TMA1、TEA1、TMIn、TEIn、TIPIn、TMGa、TEGa、TIPGa、TIBGa 及 TTBGa 的至少其中之一以及 V 族材料:PH3、TBP、AsH3、DMAs、TMAs、TEAs、DEAs、TBAs、TESb、TMSb、DMHy、MMHy 及 NH3的至少其中之一。
[0099]如圖3所示，本發明的集極層40可由N型GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP及InGaAsP的至少其中之一形成，且基極層50可由P型GaAs、InGaAs、InGaAsN及GaAsSb的至少其中之一形成，射極層60可由N型AlGalnP、InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成。
[0100]如圖3所示，本發明的射極蓋層70可由N型GaAs、InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成，且歐姆接觸層80可由N型GaAs及InGaAs的至少其中之一形成。
[0101]再者，若本發明的晶體管15為假性高電子迀移率晶體管，則假性高電子迀移率晶體管包含在基板上由下至上依序堆棧的至少一緩沖層、一第一摻雜層、一第一間隔層、一通道層、一第二間隔層、一第二摻雜層、一蕭特基層、一蝕刻終止層及一用于歐姆接觸的頂蓋層，其中至少一緩沖層是由II1-V族半導體形成，第一摻雜層及第二摻雜層為N型的GaAs、N型的AlGaAs、N型的InAlGaP、N型的InGaP及N型的InGaAsP的至少其中之一形成，第一間隔層及第二間隔層由GaAs、AlGaAs、InAlGaP、InGaP及InGaAsP的至少其中之一形成，通道層是由GaAs、InGaAs、AlGaAs、InAlGaP、InGaP及InGaAsP的至少其中之一形成，蕭特基層是由GaAs、AlGaAs、InAlGaP、InGaP及InGaAsP的至少其中之一形成，蝕刻終止層是由GaAs、AlGaAs、InAlGaP、InGaAsP、InGaP及AlAs的至少其中之一形成，而頂蓋層是由N型II1-V族半導體形成。
[0102]如圖4所示，圖4為本發明第四較佳實施例的異質接面雙極性晶體管的示意圖。
[0103]根據本發明第四較佳實施例，如圖4所示，本發明的異質接面雙極性晶體管包括:一由GaAs形成的基板10 ; —晶體管15，直接或間接地堆棧在基板10上；一次集極層20，堆棧在晶體管15上，且一部份或全部次集極層由摻雜雜質至少包含Te及/或Se的N型II1-V族半導體形成；一阻隔層結構30，直接或間接地堆棧在次集極層20上，且由以至少包含IV族原子為摻雜雜質的N型II1-V族半導體形成，其中，阻隔層結構30的IV族原子摻雜總量為一阻隔層的厚度T或多個阻隔層的厚度T的總和乘以該(多個)阻隔層的IV族原子摻雜濃度D大于或等于lX1012cm2(亦即，ΣΤΧ?蘭lX1012cm 2);一集極層40，堆棧在阻隔層結構30上，且由N型II1-V族半導體形成；一基極層50，堆棧在集極層40上，且由P型II1-V族半導體形成；一射極層60，堆棧在基極層50上，且由不同于基極層50的N型II1-V族半導體形成；一射極蓋層70，堆棧在射極層60上，且由N型II1-V族半導體形成；以及一歐姆接觸層80，堆棧在射極蓋層70上，且由N型II1-V族半導體形成。
[0104]根據本發明第四較佳實施例，本發明的晶體管15可為場效晶體管。
[0105]此外，如圖4所示，本發明的阻隔層結構30可由多個阻隔層31、33、35形成。
[0106]如圖4 所示，阻隔層結構 30 可由 GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP、InGaAsP、GaAsSb、InGaAsN、AlAs及AlGalnP的至少其中之一形成，或者可由上述的材料的組合及/或超晶格(superlattice)形成。
[0107]如圖4所示，阻隔層結構30的IV族摻雜原子可由S1、Ge及Sn的至少其中之一形成。
[0108]另外，本發明的阻隔層結構30可由有機金屬化學氣相沉積法磊晶成長，且成長該阻隔層結構的材料可包括 III 族材料:TMA1、TEA1、TMIn、TEIn、TIPIn、TMGa、TEGa、TIPGa、TIBGa 及 TTBGa 的至少其中之一以及 V 族材料:PH3、TBP、AsH3、DMAs、TMAs、TEAs、DEAs、TBAs、TESb、TMSb、DMHy、MMHy 及 NH3的至少其中之一。
[0109]如圖4所示，本發明的集極層40可由N型GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP及InGaAsP的至少其中之一形成，且基極層50可由P型GaAs、InGaAs、InGaAsN及GaAsSb的至少其中之一形成，射極層60可由N型AlGalnP、InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成。
[0110]如圖4所示，本發明的射極蓋層70可由N型GaAs、InGaP、InGaAsP及AlGaAs的至少其中之一形成，且歐姆接觸層80可由N型GaAs及InGaAs的至少其中之一形成。
[0111]再者，