具橋接結構的半導體封裝構造及其制造方法
【專利說明】具橋接結構的半導體封裝構造及其制造方法
[0001]本申請是申請日為2013年5月8日，申請號為“201310166686.7”，而發明名稱為“具橋接結構的半導體封裝構造及其制造方法”的申請的分案申請。
技術領域
[0002]本發明涉及一種半導體封裝構造，特別是有關于一種具橋接結構的半導體封裝構造及其制造方法。
【背景技術】
[0003]半導體封裝產業發展出各種不同型式的封裝構造，例如將多個芯片整合于單一封裝模組內。當欲將多個芯片(例如邏輯芯片跟儲存芯片)整合設置在一封裝基板上時，通常必須先設置一中介層(interposer)于所述基板上，接著再將所述芯片設置于所述中介層上，通過中介層上下表面進行線路重新布局，完成芯片與基板之間的電性連接。
[0004]然而，現有的半導體封裝構造通常都是將數個芯片共同配置于單一中介層上，當主要芯片(例如邏輯芯片)先行設置于所述中介層上時，中介層會因為主要芯片設置的關系受到應力作用而在側邊產生翹曲現象，使得中介層的表面呈現非平面，如此一來，后續設置其他芯片(例如儲存芯片)時，將會因為中介層表面翹曲度過大的關系而導致后續設置的芯片結合于中介層上的結合良率下降。
[0005]再者，若將多個芯片個別配置于多個中介層上，以期達成降低翹曲度或降低成本的結構時，配置于其中一中介層上的芯片通常必須先通過所述中介層的穿硅導通孔，再通過所述中介層底下的基板的布局線路，最后再從基板再次通過另個中介層的穿硅導通孔，才能將訊號迂回的傳遞給設置于所述另個中介層上的其他芯片。由于基板的線路密度較低，通過基板進行芯片之間的訊號傳遞路徑不但因過長而相對限制半導體封裝構造的電性特性，同時也會占用基板可供配置線路的有限面積。
[0006]故，有必要提供一種具橋接結構的半導體封裝構造及其制造方法，以解決現有技術所存在的問題。
【發明內容】
[0007]本發明的主要目的在于提供一種具橋接結構的半導體封裝構造，其使用相鄰的兩個半導體連接件取代單一中介層可強化結構，避免翹曲，還可提升電性特性。
[0008]為達成前述目的，本發明一實施例提供一種具橋接結構的半導體封裝構造，所述半導體封裝構造包含一基板；一第一半導體連接件具有多個第一穿硅導通孔，電性連接所述基板；至少一第二半導體連接件具有多個第二穿硅導通孔，電性連接所述基板且間隔設于所述第一半導體連接件旁；以及一第一芯片，橋接所述第一半導體連接件與第二半導體連接件，使得所述第一半導體連接件通過所述第一芯片的一有源電路層電性連接所述第二半導體連接件。
[0009]再者，本發明另一實施例提供一種具橋接結構的半導體封裝構造的制造方法，其包含步驟:間隔設置至少一第一半導體連接件與至少一第二半導體連接件于一基板上；設置一第一芯片，使所述第一芯片的一部分接墊電性連接所述第一半導體連接件上且另一部分接墊電性連接所述第二半導體連接件，使得所述第一半導體連接件通過所述第一芯片的一有源電路層電性連接所述第二半導體連接件；以及設置一第二芯片于所述第二半導體連接件上，使得所述第二芯片的一有源電路層通過所述第二半導體連接件電性連接所述第一芯片的有源電路層，再進而通過所述第一芯片的有源電路層電性連接所述第一半導體連接件。
[0010]本發明的具橋接結構的半導體封裝構造通過至少兩間隔相鄰的半導體連接件取代傳統單一的硅中介層，可減少封裝構造的翹曲問題，所述半導體連接件可配合芯片的有源電路布線，達到芯片之間更高的訊號傳輸的線路密度，因此有助于提升半導體封裝構造的電性特性。
【附圖說明】
[0011]圖1是本發明一實施例的具橋接結構的半導體封裝構造的結構示意圖。
[0012]圖2是本發明另一實施例的具橋接結構的半導體封裝構造的結構示意圖。
[0013]圖3是本發明又一實施例的具橋接結構的半導體封裝構造的結構示意圖。
[0014]圖4是本發明又一實施例的具橋接結構的半導體封裝構造的結構示意圖。
[0015]圖5是本發明又一實施例的具橋接結構的半導體封裝構造的結構示意圖。
[0016]圖6A?6C是本發明一實施例的具橋接結構的半導體封裝構造的制造流程示意圖。
[0017]圖6AA是圖6A—實施例的具橋接結構的半導體封裝構造的局部放大示意圖。
[0018]圖7是本發明一實施例的具橋接結構的半導體封裝構造的俯視示意圖。
[0019]圖8是本發明另一實施例的具橋接結構的半導體封裝構造的俯視示意圖。
【具體實施方式】
[0020]為讓本發明上述目的、特征及優點更明顯易懂，下文特舉本發明較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。再者，本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。
[0021]請參照圖1所示，圖1是本發明一實施例的具橋接結構的半導體封裝構造的結構示意圖。本發明所揭示的具橋接結構的半導體封裝構造包含一基板1、一第一半導體連接件2、至少一第二半導體連接件3以及一第一芯片4。
[0022]所述基板1可以是一封裝基板，由絕緣層與電路層交替堆疊而成。所述基板1具有一上重布線層10與一下重布線層11分別形成于其上下表面。所述基板1的下重布線層11可設置錫球12。
[0023]所述第一半導體連接件2電性連接所述基板1的上重布線層10，本實施例中，所述第一半導體連接件2是從一晶圓切割出的一硅中介層，其具有一上重布線層20與一下重布線層21分別形成于其上下表面，并具有多個第一穿硅導通孔22成形且連接于所述第一半導體連接件2的上重布線層20與所述第一半導體連接件2的下重布線層21之間。所述第一半導體連接件2的下重布線層21連接多個第一導電件100a而電性連接所述基板1。所述第一導電件100a可以是金屬凸塊或凸柱，例如錫凸塊、銅凸柱等。
[0024]所述第二半導體連接件3電性連接所述基板1且間隔設于所述第一半導體連接件2旁。本實施例中，所述第二半導體連接件3同樣是從一晶圓切割出的一硅中介層，但也可來自另一不同的晶圓。所述第二半導體連接件3同樣具有一上重布線層30與一下重布線層31分別形成于其上下表面，并具有多個第二穿硅導通孔32成形且連接于所述第二半導體連接件3的上重布線層30與所述第二半導體連接件3的下重布線層31之間。所述第二半導體連接件3的下重布線層31連接多個第二導電件100b而電性連接所述基板1。所述第二導電件100b可以是金屬凸塊或凸柱，例如錫凸塊、銅凸柱等。
[0025]所述第一芯片4可以是一輸出/輸入端子較多的邏輯芯片，其具有一朝下的有源電路層40。所述第一芯片4橋接所述第一半導體連接件2與第二半導體連接件3，亦即所述第一芯片4的有源電路層40同時電性連接所述第一半導體連接件2的上重布線層20與所述第二半導體連接件3的上重布線層30。也就是說，所述第一芯片4的有源電路層40在