基板液體處理裝置和基板液體處理方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種使用處理液對基板進行液體處理的基板液體處理裝置、基板液體處理方法以及存儲有基板液體處理程序的計算機可讀存儲介質。
【背景技術】
[0002]以往，在制造半導體部件、平板顯示器等時，使用基板液體處理裝置并使用蝕刻液等處理液對半導體晶圓、液晶基板等基板實施蝕刻等處理。
[0003]例如，在專利文獻1中公開的基板液體處理裝置中，使基板浸漬在貯存于處理槽的處理液(蝕刻液:磷酸水溶液)中，來進行對形成于基板的表面的氮化膜進行蝕刻的處理。
[0004]在該基板液體處理裝置中，作為處理液使用利用純水將磷酸稀釋成規定的濃度而得到的磷酸水溶液。而且，在基板液體處理裝置中，在使磷酸水溶液成為規定的濃度時，將利用純水稀釋磷酸而得到的磷酸水溶液加熱至規定的溫度來使之沸騰，使磷酸水溶液的濃度成為該溫度(沸點)下的濃度。
[0005]專利文獻1:日本特開2013-93478號公報
【發明內容】
_6] 發明要解決的問題
[0007]對基板進行處理的處理液的濃度受大氣壓的影響。例如，當大氣壓降低時，處理液的沸點降低，從而被加熱至高于處理液的沸點的溫度，因此導致處理液中的稀釋液(在此為純水)的蒸發量增加，從而處理液的濃度增加。因此，為了使對基板進行處理的處理液的濃度固定，需要對處理液供給更多的稀釋液。
[0008]然而，存在如下擔憂:當增大稀釋液的供給量時，導致稀釋液過度沸騰，從而變得無法良好地對基板進行液體處理。
[0009]用于解決問題的方案
[0010]因此，在本發明中，基板液體處理裝置具有:液體處理部，其利用處理液對基板進行處理；處理液供給部，其供給上述處理液；稀釋液供給部，其供給用于稀釋上述處理液的稀釋液；控制部，其控制上述稀釋液供給部；濃度檢測部，其檢測上述處理液的濃度；以及大氣壓檢測部，其檢測大氣壓，其中，上述控制部獲取來自上述濃度檢測部和上述大氣壓檢測部的信號，控制從上述稀釋液供給部供給的上述稀釋液的量，使得獲取到的上述處理液的濃度成為預先設定的濃度即設定濃度，并且根據獲取到的大氣壓來校正上述設定濃度。
[0011]另外，上述處理液供給部構成為，通過使上述處理液在規定溫度下沸騰來將上述處理液的濃度設為上述規定溫度下的濃度，并將該處理液供給到上述液體處理部，上述控制部將上述設定濃度設為預先設定的大氣壓下的上述規定溫度時的濃度。
[0012]另外，上述控制部將上述設定濃度校正為與獲取到的大氣壓下的上述處理液的沸點對應的上述處理液的濃度。
[0013]另外，將同一大氣壓下沸點比上述處理液的沸點低的液體用作上述稀釋液。
[0014]另外，上述控制部在校正了上述設定濃度的情況下，根據校正后的濃度來變更通過上述液體處理部對上述基板進行處理的時間。
[0015]另外，在本發明的基板液體處理方法中，檢測大氣壓和對基板進行處理的處理液的濃度，利用稀釋液來稀釋上述處理液使得檢測出的上述處理液的濃度成為預先設定的濃度即設定濃度，并對上述基板進行處理，根據檢測出的大氣壓來校正上述設定濃度。
[0016]另外，通過使上述處理液在規定溫度下沸騰來將上述處理液的濃度設為上述規定溫度下的濃度，并將該處理液供給到上述基板來對上述基板進行處理，將上述設定濃度設為預先設定的大氣壓下的上述規定溫度時的濃度。
[0017]另外，將上述設定濃度校正為與檢測出的大氣壓下的上述處理液的沸點對應的上述處理液的濃度。
[0018]另外，將同一大氣壓下沸點比上述處理液的沸點低的液體用作上述稀釋液。
[0019]另外，在校正了上述設定濃度的情況下，根據校正后的濃度來變更通過上述液體處理部對上述基板進行處理的時間。
[0020]另外，在本發明中，提供一種在存儲有用于使用基板液體處理裝置對上述基板進行液體處理的基板液體處理程序的計算機可讀存儲介質，該基板液體處理裝置具有:液體處理部，其利用處理液對基板進行處理；處理液供給部，其供給上述處理液；以及稀釋液供給部，其供給用于稀釋上述處理液的稀釋液，在該計算機可讀存儲介質中，檢測上述處理液的濃度和大氣壓，控制從上述稀釋液供給部供給的上述稀釋液的量，使得檢測出的上述處理液的濃度成為預先設定的濃度即設定濃度，并且根據檢測出的大氣壓來校正上述設定濃度。
[0021]發明的效果
[0022]在本發明中，即使大氣壓發生變動也能夠良好地對基板進行液體處理。
【附圖說明】
[0023]圖1是表示基板液體處理裝置的說明圖。
[0024]圖2是表不基板液體處理程序的流程圖。
[0025]圖3是表示基板液體處理裝置的動作說明圖。
[0026]圖4是表示基板液體處理裝置的動作說明圖。
[0027]附圖標iP,說曰月
[0028]1:基板液體處理裝置；2:基板；3:液體處理部；4:處理液供給部；5:稀釋液供給部；6:處理液排出部；7:控制部；21:濃度傳感器(濃度檢測部);28:大氣壓傳感器(大氣壓檢測部)。
【具體實施方式】
[0029]下面，參照附圖來說明本發明所涉及的基板液體處理裝置、基板液體處理方法以及基板液體處理程序的具體結構。
[0030]如圖1所示，基板液體處理裝置1具有:液體處理部3，其利用處理液對基板2進行處理；處理液供給部4，其向液體處理部3供給處理液；稀釋液供給部5，其將用于稀釋處理液的稀釋液供給到液體處理部3 ;處理液排出部6，其將處理液從液體處理部3排出；以及控制部7，其控制這些液體處理部3、處理液供給部4、稀釋液供給部5以及處理液排出部
6ο
[0031]液體處理部3具有液體處理室8和基板輸送機構9，在該液體處理室8中利用處理液對基板2進行處理，該基板輸送機構9向液體處理室8輸送基板2。
[0032]液體處理室8在使上端部開口的處理槽10的上端外周部形成使上端部開口的溢出槽11。
[0033]基板輸送機構9在能夠升降的臂12的下端部安裝有將多個基板2以垂直地排列的方式支承的基板支承體13。通過控制部7對基板輸送機構9進行升降控制。
[0034]而且，液體處理部3將處理液貯存于處理槽10，通過使用基板輸送機構9將基板2浸漬到處理液中，來利用處理液對基板2進行處理。此外，從處理槽10溢出的處理液流入溢出槽11。溢出槽11的內部的處理液如后述那樣再次被供給到處理槽10。
[0035]處理液供給部4具有處理液供給流路14和處理液循環流路15，該處理液供給流路14用于向液體處理室8的溢出槽11供給處理液，該處理液循環流路15用于使處理液從溢出槽11循環至處理槽10。
[0036]在處理液供給流路14中，在基端部設置有處理液供給源(在此為磷酸的供給源)16，并且在中途部設置有流量調整器17。通過控制部7對流量調整器17進行流量控制。
[0037]在處理液循環流路15的中途部，從上游側(溢出槽11側)起依次設置有栗18、加熱器19、過濾器20以及濃度傳感器21 (濃度檢測部)。通過控制部7對栗18和加熱器19進行驅動控制。另外，濃度傳感器21與控制部7連接，檢測在處理液循環流路15中流動的處理液的濃度并將該濃度通知給控制部7。
[0038]而且，處理液供給部4將處理液從處理液供給源16經由處理液供給流路14供給到溢出槽11，并且使溢出槽11的處理液經由處理液循環流路15循環來供給到處理槽10。此時，通過加熱器19將處理液加熱至規定溫度。
[0039]稀釋液供給部5具有稀釋液供給流路22，該稀釋液供給流路22用于向液體處理室8的溢出槽11供給稀釋液。
[0040]在稀釋液供給流路22中，在基端部設置有稀釋液供給源(在此為純水的供給源)23，并且在中途部設置有流量調整器24。通過控制部7對流量調整器24進行流量控制。
[0041]而且，稀釋液供給部5將稀釋液從稀釋液供給源23經由稀釋液供給流路22供給到溢出槽11。此外，將被供給到溢出槽11的稀釋液與處理液一起從溢出槽11經由處理液循環流路15供給到處理槽10。此時，處理液與稀釋液混合，處理液被稀釋液稀釋。
[0042]處理液排出部6在液體處理室8的處理槽10的底部具有用于排出處理液的處理液排出流路25。
[0043]在處理液排出流路25的中途部設置有開閉閥26，該處理液排出流路25的前端部與外部的排出部連接。通過控制部7對開閉閥26進行開閉控制。
[0044]而且，處理液排出部6將貯存于處理槽10的處理液經由處理液排出流路25排出到外部的排出部。
[0045]控制部7包括計算機，按照計算機可讀取的存儲介質27中存儲的基板液體處理程序來控制基板液體處理裝置1，來進行基板2的液體處理。該控制部7與用于檢測大氣壓的大氣壓傳感器28 (大氣壓檢測部)連接。控制部7獲取與由濃度傳感器21、大氣壓傳感器28檢測出的濃度、大氣壓對應的信號。此外，存儲介質27只要是能夠存儲基板液體處理程序等各種程序的介質即可，既可以是ROM、