苯基）氨基）螺-二芴），BPAPF(9,9-二[4-(N，N-雙-聯苯-4-基-氨基）苯基]-9H-芴），Spir〇-2NPB(2, 2'，7, 7' -四[N-萘（苯基）氨基]-9, 9' -螺二芴），Spiro-5 (2, 7-雙 [N，N-雙（9, 9-螺-聯芴-2-基）-氨基]-9, 9-螺二芴），2, 2' -Spiro-DBP(2, 2' -雙 [N，N-二（聯苯-4-基）氨基]-9, 9-螺二芴），ΡΑΡΒ(Ν，Ν' -雙（菲-9-基）-N，Ν' -雙 (苯基）-聯苯胺），ΤΝΒ(Ν，Ν，Ν'，Ν' -四-萘-2-基-聯苯胺），Spir〇-BPA(2, 2' -雙 (N，N-二苯基-氨基）-9,9-螺二芴），NPAPF(9,9-雙[4-(N，N-雙苯-2-基-氨基）苯 基]-9H-芴），NPBAPF(9, 9-雙[4-(Ν，Ν' -雙-萘-2-基-N，Ν' -雙-苯基-氨基）-苯 基]-9Η-芴），TiOPC(酞菁氧鈦），CuPC(酞菁銅），F4-TCNQ(2, 3, 5, 6-四氟-7, 7, 8, 8-四 氰二甲基對苯醌），111-101^了六(4,4'，4"-三（13-甲基苯基4-苯基-氨基）三苯胺）， 2T-NATA(4, 4'，4〃-三（N-(萘-2-基）-N-苯基-氨基）三苯胺），1T-NATA(4, 4'，4〃-三 (1(萘-1-基）4-苯基氨基）三苯胺），嫩14(4,4'，4〃-三汎^雙苯基-氨基）三苯 胺），PTON(吡嗪[2, 3-F] [1，10]菲啰啉-2, 3-二腈），Me〇-Tro(N，N，Ν'，Ν' -四（4-甲氧 基苯基）聯苯胺），MeO-Spiro-TPD(2, 7-雙[Ν，Ν-雙（4-甲氧基-苯基）氨基]-9, 9-螺 二芴），2, 2' -MeO-Spiro-TPD(2, 2' -雙[N，N-雙（4-甲氧基-苯基）氨基]-9, 9-螺二 芴），β-NPP(Ν,Ν' -二（萘-2-基）-Ν,Ν' -二苯基苯-1，4-二胺），ΝΤΝΡΒ(Ν,Ν' -二-苯 基-Ν,Ν' -二-[4-(Ν，Ν-二-間甲苯基-氨基）苯基]聯苯胺）和ΝΡΝΡΒ(Ν,Ν' -二-苯 基-Ν，Ν' -二-[4-(Ν，Ν-二苯基-氨基）苯基]聯苯胺）。該列舉絕非是限制性的。通常傳 輸空穴的任意基體材料都適于作為有機功能層的組成部分。
[0118] 根據一個實施方式，基體材料在有機功能層中的份額大于50%、優選大于80%、 尤其優選大于90 %、例如95 %。
[0119] 在另一實施方式中，有機功能層是電子阻擋層。
[0120] 此外，提供一種有機功能層，所述有機功能層包括基體材料、第一化合物、第二化 合物，其中第一化合物與第二化合物經由至少一個配位鍵構成電子供體-電子受體-絡合 物，并且其中第一化合物和/或第二化合物作為電子受體與基體材料相互作用，并且其中 通過相互作用在電子供體-電子受體-絡合物中產生有機功能層的導電率。
[0121] 對于有機功能層、基體材料、第一化合物和/或第二化合物適用與其之前在對于 光電子器件的描述所提出的相同的定義和實施方式。
[0122] 根據一個實施方式，有機功能層的導電率大于第一導電率和第二導電率組成的總 和，所述第一導電率通過第一化合物與基體材料的唯一的相互作用產生，所述第二導電率 通過第二化合物與基體材料的唯一的相互作用產生。
[0123] 根據一個實施方式，有機功能層是有機發光二極管、晶體管、例如場效應晶體管、 太陽能電池或光電探測器的組成部分。
[0124] 此外，提供一種用于制造光電子器件的方法，所述方法包括下列方法步驟：
[0125] Α)提供一種襯底，
[0126] Β)施加第一電極，
[0127] C)在襯底上沉積至少一個有機功能層或多個有機功能層，
[0128] D)施加第二電極，
[0129] 其中有機功能層的沉積通過同時從第一化合物、第二化合物和基體材料的不同源 中蒸發來進行。
[0130] 有機功能層的沉積通過從第一化合物、第二化合物和基體材料的不同源中蒸發引 起有機功能層的更高的導電率。尤其在使用如下有機功能層的情況下能夠進一步降低有機 功能層之上的豎直壓降進而提高光電子器件的效率和光產量，所述有機功能層具有5nm至 600nm的厚度、優選100nm至400nm的厚度以降低光電子器件，例如在大面積的0LED中的易 受電短路干擾性。附加地，當有機功能層的導電率位于第一電極和/或第二電極的導電率 的數量級中時、例如銦錫氧化物=錫摻雜的氧化銦（ΙΤ0)的數量級中時，能夠改進光電子 器件的橫向的電流分布。
[0131] 替選地或附加地，在方法步驟D中，至少第一化合物和第二化合物能夠在蒸發前 混合，其中有機功能層的沉積通過從第一化合物和第二化合物的源和基體材料的其他的源 的蒸發來進行。
[0132] 對于用于制造光電子器件的方法適用與其在上面在對于光電子器件的描述所提 出的相同的定義和實施方式。
[0133] 根據一個實施方式，在第一有機化合物和第二有機化合物之間的配位鍵的數量和 /或第一有機化合物和基體材料之間的配位鍵的數量和/或第二有機化合物和基體材料之 間的配位鍵的數量能夠在蒸發時通過濃度變化來控制。
【附圖說明】
[0134] 根據本發明的主題的改進形式和有利的實施方式和其他的優點在下面應根據附 圖和實施例詳細闡述。
[0135] 附圖示出：
[0136] 圖1不出光電子器件的不意側視圖，
[0137] 圖2示出比較例和依據根據本發明的實施方式的比電導率K的濃度，
[0138] 圖2a示出有機的測試結構的測量幾何結構，
[0139] 圖3示出與比較例相比，根據另一實施方式的通過第一化合物和第二化合物的相 互作用產生的比電導率K。
【具體實施方式】
[0140] 在實施例和附圖中，相同的或起相同作用的組成部分分別設有相同的附圖標記。 所示出的元件和其彼此間的大小比例基本上不能夠視為是符合比例的。此外，第一化合物 和第二化合物與基體材料的相同的實施例設有相同的縮寫名稱。
[0141] 圖1示出在有機發光二極管（0LED)的實施例的光電子器件的示意側視圖。0LED 包括襯底1，所述襯底能夠完全在下方并且例如能夠是透明的并且能夠由玻璃構成。在襯 底1上設置第一電極2,所述第一電極能夠構成為層，并且例如能夠是透明導電氧化物，例 如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物（ΙΤ0)。在所述電極層2上方存在 空穴注入層3,在所述空穴注入層上方又設置空穴傳輸層4。在所述空穴傳輸層上存在發射 輻射的層，所述發射輻射層能夠例如具有多個單獨的層。在發射輻射的層5上存在空穴阻 擋層6,在所述空穴阻擋層上能夠設置電子傳輸層7并且最后設置電子注入層8與鄰接的第 二電極9。第二電極9能夠例如是金屬電極或其他透明的電極，例如由上述透明導電氧化物 構成的透明的電極。例如，根據本發明的有機功能層是空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋 層或發射輻射的層。
[0142] 如果在第一電極2和第二電極9之間施加電壓，那么電流流動經過光電子器件。在 此，從一個電極、陰極將電子注入電子注入層8中并且從另一電極、陽極注入所謂的空穴。 在發射輻射的層5中，空穴和電子復合，其中產生電子空穴對、即所謂的激子并且能夠放射 電磁輻射。
[0143] 替選地，光電子器件（在此未示出）以具有襯底1、第一電極2、有機功能層和第二 電極9的0LED形式成形。
[0144] 替選地，光電子器件（在此未示出）的設置呈由襯底1、第一電極2、空穴注入層3、 電子傳輸層5和第二電極9構成的0LED形式是可行的。
[0145] 替選地或附加地，基體材料中的第一化合物和第二化合物成形為薄膜或灌封件并 且設置或施加在第一電極上或上方（在此未示出）。
[0146] 替選地，空穴注入層3、空穴傳輸層4或發射輻射的層5成形為有機功能層是可行 的，其中有機功能層包括在基體材料中的第一化合物和第二化合物。
[0147] 在此，根據本發明的有機功能層能夠是其中傳輸空穴的任意的層。優選地，根據該 發明的有機功能層是空穴注入層3或空穴傳輸層4。但有機功能層也能夠例如是發射輻射 的層5,因此例如，又一其他的發射輻射的材料與第一化合物和第二化合物一起蒸發。但替 選地，發射輻射的材料也能夠以其他方式引入發射輻射的層5中。通過改進的空穴傳輸能 力，更多的空穴和電子能夠復合，使得形成更多的激子（電子空穴對）。由此，在發射輻射的 層5中提高激子密度，其中光電子器件的發光密度和效率提高。
[0148] 在此和在下文中，對于基體材料中的第一化合物或第二化合物的比較例使用下列 縮寫命名：
[0149] VI:在Merck公司的基體材料HTM-014中的第一化合物Cu(I)pFBz的比較例
[0150] V8 :基體材料HTM-014中的第二化合物HAT-CN的比較例，并且
[0151] A1 :基體材料HTM-014中的具有5%的固定份額的第一化合物Cu(I)pFBz和具有 可變份額的第二化合物HAT-CN的實施例。
[0152] 圖2示出比較例VI和V8以及實施例A1的以每米西門子（SXm3為單位的比電 導率K，其與第一化合物Cu(I)pFBz或第二化合物HAT-CN的按體積百分比說明的濃度c相 關。在此，使用有機的測試結構以進行根據圖2a的導電率測量。在此，在圖2a中d表示有 機的測試結構的厚度、L表不有機的測試結構的長度、S表不有機的測試結構的寬度、K1表 示第一接觸部、K2表示第二接觸部。在K1接觸部和K2接觸部之間施加電壓，由此在半導 體中構成均勻的電場F。然后，比電導率K根據下式得出：
[0154] 其中j是電流密度和U是電壓。
[0155] 在ΙΤ0 上（銦錫氧化物，IndiumTinOxide=zinnoxiddotiertesIndiumoxid氧 化錫摻雜的氧化銦），電子通過同時從各基體材料、第一化合物和第二化合物的不同的源中 熱蒸發沉積為總共120nm厚的有機功能層。比電導率K從電流電壓特性曲線中算出并且以 圖形的方式繪制在圖2或圖3中。
[0156] 基體材料示出相對差的小于106SXm1 (在此未示出）的比電導率。然而，通過基 體材料中的第一化合物或第二化合物的蒸發，能夠實現明顯大于10esxm1的比電導率K。 在基體材料HTM-014(V1)中的第一化合物Cu(I