一種印刷型高分辨率顯示器件及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種印刷型高分辨率顯示器件及其制作方法。
【背景技術】
[0002]采用溶液加工制作0LED以及QLED顯示器的方法，由于其低成本、高產能、易于實現大尺寸等優點，是未來顯示技術發展的重要方向。其中，印刷技術被認為是實現0LED以及QLED低成本和大面積全彩顯示的最有效途徑。
[0003]在印刷工藝中，由于受設備精度以及液滴尺寸的影響，對于傳統的RGB Stripe(RGB條狀)排列的像素結構，很難實現高分辨率顯示器件的制備。當顯示器件的分辨率達到200 ppi時，各子像素的寬度會減小到42 μm，同時由于像素界定層的存在，子像素的真實寬度會進一步減小到35 μ m左右，而對于10 pL體積的墨水，其直徑就達27 μ m。如果再進一步提高分辨率，子像素尺寸會進一步減小，所以就很難控制各子像素內墨水相互獨立而不溢出像素。
[0004]中國專利(CN 104009066A)中公開了一種像素排布結構，如圖1所示，該像素排布結構是由像素單元100排列組成，通過將相連像素的子像素共用Mask(掩膜)上的開口，從而有效提高顯示器件的分辨率。但是，在印刷工藝中，單純的引入這種像素排布結構，隨著分辨率的增大，各子像素內的墨水還是會因像素尺寸變小而溢出像素坑，與相鄰不同顏色的子像素發生顏色串擾，引起顯示器件顯示效果下降，因此在印刷工藝中直接應用這種結構，還是無法減小子像素的尺寸同時保持不同顏色子像素間沉積墨水的相互獨立，因此這種像素結構無法實現高分辨率顯示器的印刷工藝的制作。
[0005]因此，現有技術還有待于改進和發展。
【發明內容】
[0006]鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種印刷型高分辨率顯示器件及其制作方法，旨在解決現有的印刷工藝難以進一步提高顯示器分辨率的問題。
[0007]本發明的技術方案如下:
一種印刷型高分辨率顯示器件的制作方法，其中，包括步驟:
A1、在具有圖案化底電極的TFT基板上形成一層用于制作像素bank的薄膜層，然后在薄膜層上形成一層光阻層；
A2、通過曝光掩膜對光阻層進行曝光，其中子像素發光區域進行全曝光、相同顏色子像素相連區域進行半曝光、不同顏色子像素相連區域不曝光，隨后進行顯影以將光阻層圖案化；
A3、通過光阻掩膜對薄膜層進行刻蝕，將全曝光區域全部刻蝕至露出像素電極，將半曝光區域部分刻蝕至殘留部分薄膜層，未曝光區域未被刻蝕，隨后剝離光阻層，從而形成所需的厚度不一的像素bank ； A4、對完成上述步驟的TFT基板進行清洗，隨之對其進行表面疏水處理，形成疏水的像素bank表面；
A5、通過印刷工藝依次沉積各色子像素發光元件，最后沉積電極，并對器件進行封裝。
[0008]一種印刷型高分辨率顯示器件的制作方法，其中，包括步驟:
B1、在具有圖案化底電極的TFT基板上形成一層用于制作像素bank的光阻層；
B2、通過曝光掩膜對光阻層進行曝光，其中子像素發光區域進行全曝光、相同顏色子像素相連區域進行半曝光、不同顏色子像素相連區域不曝光；
B3、隨后進行顯影處理，將全曝光區域光阻層全部去除，露出像素電極，半曝光區域光阻層部分去除，未曝光區域光阻層不變，從而形成所需的厚度不一的像素bank ;
B4、對完成上述步驟的TFT基板進行清洗，隨之對其進行表面疏水處理，形成疏水的像素bank表面；
B5、通過印刷工藝依次沉積各色子像素發光元件，最后沉積電極，并對器件進行封裝。
[0009]所述的制作方法，其中，不同顏色子像素相連區域的像素bank的厚度為1000nm_3000nm。
[0010]所述的制作方法，其中，相同顏色子像素相連區域的像素bank的厚度為100nm_500nmo
[0011 ] 所述的制作方法，其中，所述步驟A4或B4中，對TFT基板進行表面氟化疏水處理。
[0012]所述的制作方法，其中，所述TFT基板上的像素結構包括三種顏色的子像素構成的多個像素單元；每一像素單元由三種子像素成品字型排列形成正方形結構。
[0013]所述的制作方法，其中，所述子像素包括紅色子像素、綠色子像素和藍色子像素。
[0014]—種印刷型高分辨率顯示器件，其中，采用如上所述的制作方法制成。
[0015]有益效果:本發明在像素bank (像素界定層)的制作過程中，對像素發光區域進行全曝光，相同顏色子像素相鄰區域進行半曝光，不同顏色子像素相連區域不曝光，通過刻蝕、顯影等處理將像素bank圖案化，其中相同顏色子像素相連區域的像素bank較薄，定義子像素發光區域，不同顏色子像素相連區域bank較厚，定義印刷工藝中的墨水沉積區域，從而成倍的增大墨水的沉積區域，可以有效減小各子像素的面積，結合像素bank表面疏水處理，實現印刷型高分辨顯示器的制作。
【附圖說明】
[0016]圖1為現有技術中的像素結構的排列結構示意圖。
[0017]圖2為本發明的一種印刷型高分辨率顯示器件制作方法實施例1的流程圖。
[0018]圖3為本發明的實施例1的具體流程示意圖。
[0019]圖4為本發明的一種印刷型高分辨率顯示器件制作方法實施例2的流程圖。
[0020]圖5為本發明的實施例2的具體流程示意圖。
[0021]圖6為實施例1和實施例2中印刷了紅、綠、藍子像素的效果圖。
【具體實施方式】
[0022]本發明提供一種印刷型高分辨率顯示器件及其制作方法，為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0023]本發明是采用半曝光工藝一次性形成不同區域厚度不同的像素bank結構，簡化了像素bank的制作工藝，結合像素bank表面的疏水處理，從而實現高分辨率顯示器件的印刷工藝制作。
[0024]實施例1:
一種印刷型高分辨率顯示器件的制作方法，結合圖2和圖3所示，其包括步驟:
51、在具有圖案化底電極13的TFT基板10(其上具有TFT陣列11、鈍化平坦層12和圖案化底電極13)上形成一層用于制作像素bank的薄膜層14，然后在薄膜層14上形成一層光阻層15 ;
52、通過曝光掩膜對光阻層15進行曝光，其中子像素發光區域進行全曝光、相同顏色子像素相連區域進行半曝光、不同顏色子像素相連區域不曝光，隨后進行顯影以將光阻層15圖案化；全曝光是將光阻層15全部去除，半曝光是將光阻層15部分去除以保留一層薄的光阻層15，不曝光則是保留全部的光阻層15。
[0025]S3、通過光阻掩膜對薄膜層14進行刻蝕，將全曝光區域全部刻蝕至露出像素電極，將半曝光區域部分刻蝕至殘留部分薄膜層，未曝光區域未被刻蝕，隨后剝離光阻層15，從而形成所需的厚度不一的像素bank ;其中的全曝光區域由于沒有光阻層15的保護所以被全部刻蝕露出底電極，半曝光區域由于有一層薄的光阻層15保護而被部分刻蝕，最后殘留一層較薄的像素bank，未曝光區域由于有光阻層15的保護而沒有被刻蝕。
[0026]S4、對完成上述步驟的TFT基板10進行清洗，隨之對其進行表面疏水處理，形成疏水的像素bank表面；該疏水處理可以是表面氟化疏水處理以得到疏水表面。
[0027]S5、通過印刷工藝依次沉積各色子像素發光元件，最后沉積電極(頂電極)，并對器件進行封裝。
[0028]在本實施例圖案化的像素bank中，不同顏色子像素相連區域的較厚的像素bank厚度為1000nm-3000nm，相同顏色子像素相連區域的較薄的像素bank厚度為100nm-5