br>[0114] 實施例4
[0115] 按照實施例1的方法，僅將步驟5)中的錫巧紙柵極替換為雙金屬片，得到本發明 提供的多功能傳感器。
[0116] 該器件的結構與實施例1所得器件結構相同，區別僅為柵極材料。
[0117] 利用該器件對溫度進行檢測，器件表面溫度的增加會造成電流明顯上升。可見，基 于上述懸空柵極場效應晶體管傳感器，可W實現對溫度的有效檢測。
[om] 實施例5
[0119] 按照實施例1的方法，將步驟1)中的襯底替換為透明PET襯底，將步驟5)中的錫 巧紙柵極替換為透明口0/PET柵極，得到本發明提供的多功能傳感器。
[0120] 該器件的結構與實施例1所得器件結構相同，區別僅為襯底和柵極材料。
[0121] 將所得基于懸空柵極場效應晶體管的傳感器置于500帕壓力的作用下，所得的源 漏電流和時間的響應曲線如圖8所示，由圖可知，當對器件施加壓力，器件的源漏電流迅速 上升，停止加壓，電流迅速恢復。可見，基于上述懸空柵極場效應晶體管傳感器，可W實現對 壓力的有效檢測。
[0122] 利用該器件對聲波、加速度進行檢測，所得結果與實施例2無實質性差別，不再賞 述。
[0123] 實施例6
[0124] 1)將玻璃襯底經二次水、己醇、丙麗超聲、沖洗、氮氣吹干后，在真空度為 7 X 10 4Pa的條件下W 0.8 A /S的速度在襯底上蒸錐金，厚度為30nm，得到源電極和漏電 極；
[0125] 2)利用無水己醇沖洗、氮氣吹干后W4000rpm的轉速在步驟1)所得的源電極和漏 電極上旋涂PBTT3T (參見圖3)，并在熱臺上熱處理10分鐘，得到有機半導體層；
[0126]3) W 2000巧m的轉速在步驟2)所得的半導體層上旋涂CYTOP (參見圖3)，并在熱 臺上熱處理1小時，得到絕緣層；
[0127] 4)將厚度為50微米的聚醜亞胺（PI)膠帶轉移到步驟3)所得的絕緣層上，得到支 撐物。
[0128] 5)將厚度為4微米的錫巧紙轉移到步驟4)所得的支撐物上，得到懸空柵極。
[0129] 6)將100微米的儘媒銅合金和媒鐵合金復合雙金屬片轉移到步驟5)所得的柵極 上，得到功能層。
[0130] 該器件的結構如圖2所示，由襯底1，源電極2、漏電極3、有機半導體層4、絕緣層 5、支撐物6和7、柵極8、功能層9組成；其結構為結構b :
[0131] 源電極、漏電極位于襯底之上；
[0132] 半導體層覆蓋源電極和漏電極及襯底上未被源電極和漏電極覆蓋的區域；
[0133] 絕緣層位于半導體層之上；
[0134] 支撐物位于絕緣層之上，且部分覆蓋絕緣層；
[0135] 柵極覆蓋支撐物及絕緣層上未被支撐物覆蓋的區域；
[0136] 功能層位于柵極層之上。
[0137] 構成襯底的材料為玻璃；
[0138] 構成半導體層的材料為PBTT3T;
[0139] 構成源電極和漏電極的材料均為金；
[0140] 構成絕緣層的材料為CYTOP ;
[0141] 構成柵極的材料為鉛巧；
[0142] 構成支撐物的材料為聚醜亞胺；
[0143] 構成功能層的材料為儘媒銅合金和媒鐵合金雙金屬片；
[0144] 襯底的厚度為800 y m ;
[0145] 半導體層的厚度為30nm;
[0146] 源電極和漏電極的厚度均為30nm;
[0147] 絕緣層的厚度為IOOnm ;
[014引支撐物的厚度為50ym;
[0149] 柵極層的厚度為4Um;
[0150] 功能層的厚度為100 U m。
[0151] 利用所得的基于懸空柵極場效應晶體管的傳感器對溫度進行檢測，將其交替置于 室溫和55攝氏度的環境溫度下，所得的源漏電流和時間的響應曲線如圖9所示。由圖可知， 器件表面溫度的增加會造成電流明顯上升。可見，基于上述懸空柵極場效應晶體管傳感器， 可W實現對溫度的有效檢測。
[0152] 實施例7
[0153] 1)將玻璃襯底經二次水、己醇、丙麗超聲、沖洗、氮氣吹干后，在真空度為 7 X 10 4Pa的條件下W化8 A /S的速度在襯底上蒸錐金，厚度為30nm，得到源電極和漏電極；
[0154]。利用無水己醇沖洗、氮氣吹干后在真空度為7X10中a的條件下W 0.2 A怒的 速度蒸錐并五苯（參見圖3)，厚度為20nm，得到有機半導體層；
[01巧]3) W 2000巧m的轉速在步驟2)所得的半導體層上旋涂CYTOP (參見圖3)，并在熱 臺上熱處理1小時，得到絕緣層；
[0156] 4)將厚度為50微米的聚醜亞胺（PI)膠帶轉移到步驟3)所得的絕緣層上，得到支 撐物。
[0157] 5)將厚度為4微米的錫巧紙轉移到步驟4)所得的支撐物上，得到懸空柵極。
[015引該器件的結構如圖1所示，由襯底1，源電極2、漏電極3、有機半導體層4、絕緣層 5、支撐物6和7、柵極8組成；其結構為結構a :
[0159] 其結構為如下結構a:
[0160] 源電極、漏電極位于襯底之上；
[0161] 半導體層覆蓋源電極和漏電極及襯底上未被源電極和漏電極覆蓋的區域；
[0162] 絕緣層位于半導體層之上；
[0163] 支撐物位于絕緣層之上，且部分覆蓋絕緣層；
[0164] 柵極覆蓋支撐物及絕緣層上未被支撐物覆蓋的區域。
[0165] 構成襯底的材料為玻璃；
[0166] 構成半導體層的材料為并五苯；
[0167] 構成源電極和漏電極的材料均為金；
[0168] 構成絕緣層的材料為CYTOP;
[0169] 構成柵極的材料為鉛巧；
[0170] 構成支撐物的材料為聚醜亞胺；
[0171] 襯底的厚度為SOOym ;
[0172] 半導體層的厚度為20nm ;
[017引源電極和漏電極的厚度均為30nm;
[0174] 絕緣層的厚度為IOOnm ;
[0175] 支撐物的厚度為50ym;
[0176] 柵極層的厚度為4 U m。
[0177] 利用該器件對壓力、聲波、加速度進行檢測，所得結果與實施例2無實質性差別， 不再賞述。
[017引 實施例8
[0179] 按照實施例1的方法，僅將步驟2)中的PBTT3T替換為蔡醜亞胺衍生物NDI (20D) (4巧uPh) -DTYM2，得到本發明提供的多功能傳感器。
[0180] 該器件的結構與實施例1所得器件結構相同，區別僅為半導體層。
[0181] 利用該器件對壓力、聲波、加速度進行檢測，所得結果與實施例2無實質性差別， 不再賞述。
[0182] 實施例9
[0183] 按照實施例1的方法，僅將步驟2)中的PBTT3T替換為NDI3皿-DTYM2,得到本發明 提供的多功能傳感器。
[0184] 該器件的結構與實施例1所得器件結構相同，區別僅為半導體層。
[0185] 利用該器件對壓力、聲波、加速度進行檢測，所得結果與實施例2無實質性差別， 不再賞述。
[0186] 實施例10
[0187]按照實施例1的方法，僅將步驟2)中的PBTT3T替換為碳納米管，得到本發明提供 的多功能傳感器。
[018引該器件的結構與實施例I所得器件結構相同，區別僅為半導體層。
[0189] 利用該器件對壓力、聲波、加速度進行檢測，所得結果與實施例2無實質性差別， 不再賞述。
[0190] 實施例11
[0191] 按照實施例1的方法，僅將步驟2)中的PBTT3T替換為P3HT，得到本發明提供的多 功能傳感器。
[0192] 該器件的結構與實施例1所得器件結構相同，區別僅為半導體層。
[0193] 利用該器件對壓力、聲波、加速度進行檢測，所得結果與實施例2無實質性差別， 不再賞述。
[0194] 實施例12
[0195] 按照實施例6的方法，僅將步驟2)中的并五苯替換為獻菁銅