涂次數為3-4 次，光敏層的厚度為2微米。
[0106] 本實施例中，陶瓷基體由純度為93 %W上的=氧化二侶制備而成。
[0107] 實施例四：一種光敏電阻的制作方法，包括W下步驟：
[010引①制備陶瓷基體；
[0109] ②制備光敏溶液：
[0110] ②-1按照W下配比配置光敏層原料并將各原料混合均勻后得到光敏層混合物：
[0111] CdS 50% (重量百分比） CdSe 巧％ (運量百分化 Cd〇2 14.9% (重量百分比） 稀±氯化物 化1% (重量百分比）
[0112] 稀±氯化物為氯化鐵、氯化欽、氯化禮、氯化鋪和氯化衫中的一種或者為兩種或兩 種W上的混合物；
[0113] ②-2將光敏層混合物溶解在離子水中得到光敏溶液，其中光敏溶液中，光敏層混 合物的重量百分比為30%，離子水的重量百分比為70% ;
[0114] ③將光敏溶液噴涂在陶瓷基體的表面，形成光敏層；
[0115] ④將噴涂后的陶瓷基體在常溫常壓下靜置10-15分鐘后，再在380-1300°C高溫下 燒結15分鐘，得到光敏電阻主體。
[0116] ⑥將兩個電極安裝在光敏電阻主體兩端，得到光敏電阻。
[0117] 本實施例中，稀±氯化物為氯化鐵、氯化欽、氯化禮、氯化鋪和氯化衫的混合物，所 述的稀±氯化物由W下組分組成：
[011引 氯化鐵 45% (重量百分比） 氯化錠 20% (重量百分比） 氯化亂 10% (重量百分比） 氯化縮 15% (重量百分比） 氛化侈 10% (重量百分比）。
[0119] 本實施例中，步驟④之后，步驟⑥之前還包括涂隔離層的步驟，涂隔離層的步驟 為：在光敏層的表面噴涂隔離層，隔離層的材料為環氧樹脂。
[0120] 本實施例中，步驟③中將光敏溶液多次噴涂在陶瓷基體的表面，噴涂次數為3-4 次，光敏層的厚度為2微米。
[0121] 本實施例中，陶瓷基體由純度為93 % W上的=氧化二侶制備而成。
[0122] 實施例五：一種光敏電阻的制作方法，包括W下步驟：
[0123] ①制備陶瓷基體；
[0124] ②制備光敏溶液：
[0125] ②-1按照W下配比配置光敏層原料并將各原料混合均勻后得到光敏層混合物：
[0126] C娘 50% (重量百分比） CdSe %% (重量百分比） CdCla 14.9% (重量百分比） 稀上氯化物 0.1% (重量百分比）
[0127] 稀±氯化物為氯化鐵、氯化欽、氯化禮、氯化鋪和氯化衫中的一種或者為兩種或兩 種W上的混合物；
[0128] ②-2將光敏層混合物溶解在離子水中得到光敏溶液，其中光敏溶液中，光敏層混 合物的重量百分比為30%，離子水的重量百分比為70% ;
[0129] ③將光敏溶液噴涂在陶瓷基體的表面，形成光敏層；
[0130] ④將噴涂后的陶瓷基體在常溫常壓下靜置10-15分鐘后，再在380-1300°C高溫下 燒結15分鐘，得到光敏電阻主體。
[0131] ⑥將兩個電極安裝在光敏電阻主體兩端，得到光敏電阻。
[0132] 本實施例中，稀±氯化物為氯化鐵、氯化欽、氯化禮、氯化鋪和氯化衫的混合物，所 述的稀±氯化物由W下組分組成：
[0133] 氯化欽 45% (重量百分比） 氯化巧 20% (重量百分比） 氯化乳 10% (重量百分比） 氯化銅 15% (重量百分比） 氯化杉 10% (重量百分比）。
[0134] 本實施例中，步驟④之后，步驟⑥之前還包括涂隔離層的步驟，涂隔離層的步驟 為：在光敏層的表面噴涂隔離層，隔離層的材料為環氧樹脂。
[0135] 本實施例中，步驟③中將光敏溶液多次噴涂在陶瓷基體的表面，噴涂次數為3-4 次，光敏層的厚度為5微米。本實施例中陶瓷基體由純度為93% W上的=氧化二侶制備而 成。
[0136] 將采用本發明的制作方法制作的光敏電阻與采用現有技術的方法制作的光敏電 阻進行老化測試，在25°C常溫下老化10天后，分別加100V、150V、200V電壓，測量無光下的 暗電阻和IOOLux光照射10秒后的亮電阻，兩者性能測試結果對照表如下表1所示：
[0139]分析表1中的數據可知，由表中數據分析可知，本發明的制作方法制作的光敏電 阻相對于現有技術的制作方法制作的光敏電阻，其靈敏度提高了 50%，且老化后穩定性高， 廢品率由15%或者15%W上降到低于5%。除靈敏度、穩定性W外，光敏電阻的其它性能未 受影響。
【主權項】
1. 一種光敏電阻，包括陶瓷基體、光敏層和兩個電極，所述的光敏層包覆在所述的陶瓷 基體表面，所述的光敏層和所述的陶瓷基體形成光敏電阻主體，兩個電極分別安裝在所述 的光敏電阻主體的兩端，其特征在于所述的光敏層由以下組分組成： CdS 50%-70% (重量百分比） CdSe: 20%-35% (重量百分比） CdCl2 9·9%-14·9% (重量百分比） 稀土氯化物 0.1% (重量百分比） 所述的稀土氯化物為氯化鈥、氯化釹、氯化釓、氯化鏑和氯化釤中的一種或者為兩種或 兩種以上的混合物。2. 根據權利要求1所述的一種可見光光敏電阻，其特征在于稀土氯化物為氯化鈥、氯 化釹、氯化釓、氯化鏑和氯化釤的混合物，所述的稀土氯化物由以下組分組成： 氯化欽 40%-45% (重量百分比） 氯化釹 20%-25% (重量百分比） 氯化釓 10%-20% (重量百分比） 氯化鏑 10%-15% (重量百分比） 氯化釤 10%-15% (重量百分比）。3. 根據權利要求1所述的一種光敏電阻，其特征在于所述的光敏層的厚度為2-5微米。4. 根據權利要求1所述的一種光敏電阻，其特征在于所述的陶瓷基體由純度為93%以 上的三氧化二鋁制備而成。5. -種權利要求1所述的一種光敏電阻的制作方法，其特征在于包括以下步驟： ① 制備陶瓷基體； ② 制備光敏溶液： ②-1按照以下配比配置光敏層原料并將各原料混合均勻后得到光敏層混合物： CdS 5G%-7G% (重量百分比） CdSe 20%-35% (重量百分比） CdCh 9.9%-14.9% (重量百分比） 稀土氯化物 0.1% (重量百分比） 所述的稀土氯化物為氯化鈥、氯化釹、氯化釓、氯化鏑和氯化釤中的一種或者為兩種或 兩種以上的混合物； ② -2將光敏層混合物溶解在離子水中得到光敏溶液，其中光敏溶液中，光敏層混合物 的重量百分比為30%，離子水的重量百分比為70% ; ③ 將光敏溶液噴涂在陶瓷基體的表面，形成光敏層； ④ 將噴涂后的陶瓷基體在常溫常壓下靜置10-15分鐘后，再在380-1300°C高溫下燒結 15分鐘，得到光敏電阻主體。 ⑤ 將兩個電極安裝在光敏電阻主體兩端，得到光敏電阻。6. 根據權利要求5所述的一種可見光光敏電阻的制作方法，其特征在于稀土氯化物為 氯化鈥、氯化釹、氯化釓、氯化鏑和氯化釤的混合物，所述的稀土氯化物由以下組分組成： 氯化鈥 40%-45% (重量百分比） 氯化釹 20%-25% (重量百分比） 氯化釓 10%-20% (重量百分比） 氯化鏑 10%-15% (重量百分比） 氯化釤 10%-15% (重量百分比）。7. 根據權利要求5所述的一種光敏電阻的制作方法，其特征在于所述的步驟④之后， 所述的步驟⑤之前還包括涂隔離層的步驟，所述的涂隔離層的步驟為：在光敏層的表面噴 涂隔離層，隔離層的材料為環氧樹脂。8. 根據權利要求5所述的一種光敏電阻的制作方法，其特征在于所述的步驟③中將光 敏溶液多次噴涂在陶瓷基體的表面，噴涂次數為3-4次，所述的光敏層的厚度為2-5微米。9. 根據權利要求5所述的一種光敏電阻的制作方法，其特征在于所述的陶瓷基體由純 度為93%以上的三氧化二鋁制備而成。
【專利摘要】本發明公開了一種光敏電阻及其制作方法，采用稀土氯化物取代CuCl，通過在光敏層材料CdS、CdSe和CdCl2中添加重量百分比為0.1％的稀土氯化物，稀土氯化物為氯化鈥、氯化釹、氯化釓、氯化鏑和氯化釤中的一種或者為兩種或兩種以上的混合物，并調整CdS、CdSe和CdCl2三種材料的配比，稀土氯化物含量很小，不會影響光敏電阻的材料成本，且稀土氯化物和CdS、CdSe和CdCl2三種材料組合在一起可以增加光敏電阻的暗電阻，減小光敏電阻的亮電阻；優點是可以提高光敏電阻的靈敏度，并且稀土氯化物的穩定性較高，光敏電阻在老化工藝中不容易產生變化，不會導致光敏電阻其它性能參數的降低，光敏電阻老化工藝中穩定性較高，廢品率大幅降低。
【IPC分類】H01L31/08, H01L31/0296
【公開號】CN105336798
【申請號】CN201510647860
【發明人】魯道邦, 朱永勝, 宋玉玲, 惠明, 海濤, 孫國良
【申請人】南陽師范學院
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2015年10月9日