一種底發光型oled顯示面板的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種底發光型0LED顯示面板。
【背景技術】
[0002] 有機電致發光顯示裝置（OrganicLight-EmittingDisplay，簡稱為0LED)相對于 液晶顯示裝置具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、色彩艷、輕薄等優點，被認為是下一代 顯示技術。其中的自發光元件即0LED器件主要由依次遠離基板設置的陽極層、有機材料功 能層（通常包括電子傳輸層、發光層以及空穴傳輸層等功能層）以及陰極層構成。根據發 光方向的不同，0LED器件可分為底發光型（即相對于基板向下發光）和頂發光型（即相對 于基板向上發光）兩種類型。
[0003] 其中，由于陰極層通常采用低功函數的金屬單質和/或合金材料構成，其光透過 率較低，為了減小陰極層對頂發光型0LED器件整體出光率的影響，陰極層的厚度需要制作 地較薄，并同時采用反射金屬作為陽極層以進一步增加光的透過率。然而，陰極層厚度越 小，其方塊電阻（符號為Rs，表達式為Rs=p/t;其中，P為電極的電阻率，t為電極的厚 度）的阻值Rs較大，導致頂發光型的0LED器件電壓降（IRDrop，即電阻兩端的電位差） 嚴重，使得離電源供給地點，即與陽極層相連的驅動晶體管越遠的0LED發光面電壓降越明 顯，從而導致頂發光型0LED器件出現明顯的發光不均現象。
[0004] 此外，由于頂發光型0LED器件采用陰極層作為出光側，由于構成陰極層的材料自 身光透過率較低，陰極層相當于一層具有反射功能的半透明薄膜，使得陰極層與位于下方 的反射陽極層之間形成了一個微腔，導致頂發光型0LED器件存在較強的微腔效應，即具有 特定腔長的頂發光型0LED器件只能發出特定波長的光，故在制備頂發光型0LED器件時對 各層厚度要求相對更為嚴格。因此，上述各因素均導致目前頂發光型0LED器件量產困難。
[0005] 因此，目前0LED器件多采用制備工藝簡單、技術相對更成熟且量產容易的底發光 型結構，底發光型0LED發出的光線穿透陽極層從基板一側射出，陽極層可采用高功函數且 光透過率較高的IT0(IndiumTinOxide，氧化銦錫）以及石墨稀等材料，對出光率影響較 小，也不會出現微腔效應；同時，由于光線不從陰極層一側發出，因此不會出現由于陰極層 厚度較小而導致的Rs電阻過大的問題。
[0006] 然而，如圖1所示，由于底發光型0LED器件發光方向向下，若光線照射到下方的驅 動晶體管中會導致驅動晶體管出現光生漏電流現象，影響顯示性能，因此，用于界定出各個 底發光型0LED器件發光區域大小的像素界定層（PixelDefiningLayer，簡稱為roL)80的 開口部分801在基板上的投影與驅動晶體管所在區域在基板上的投影之間具有一定間距， 即將PDL的開口部分801設置地遠離驅動晶體管。這樣一來帶著底發光型0LED器件的發 光面積有限，其出光效率也有限，對0LED器件中的發光材料的使用壽命損耗較大。
【發明內容】
[0007] 鑒于此，為解決現有技術的不足，本發明的實施例提供一種底發光型0LED顯示面 板，可提升OLED器件的發光面積，并提高出光效率以及OLED器件中的發光材料的使用壽 命。
[0008] 為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：
[0009]本發明實施例提供了一種底發光型0LED顯示面板，所述底發光型0LED顯示面板 包括：設置在基板上呈陣列排布的多個驅動晶體管、覆蓋所述驅動晶體管的保護層、位于所 述保護層上方的平坦層以及位于所述平坦層上方的0LED器件；所述底發光型0LED顯示面 板還包括：設置在所述保護層與所述平坦層之間且與所述驅動晶體管對應的反射結構，所 述反射結構用于反射所述0LED器件發光時照射到所述反射結構上的光線；其中，所述反射 結構靠近所述保護層一側的底面至少覆蓋所述驅動晶體管所在的區域。
[0010] 優選的，所述反射結構包括主體部分與反射層；其中，所述主體部分由平行設置的 底面與頂面構成，連接所述底面與所述頂面的側面為凹弧面或平面；所述底面的面積大于 所述頂面的面積，所述底面與所述頂面為幾何中心相重疊的矩形，且矩形相鄰的兩邊分別 平行于所述底發光型0LED顯示面板的柵線與數據線；所述反射層至少覆蓋在所述主體部 分的一個側面上；或者，沿垂直于所述底發光型0LED顯示面板的板面方向，所述主體部分 的截面圖形為圓弧形，所述圓弧形的弧為半圓或劣弧；所述反射層至少覆蓋在所述圓弧形 的一半弧面上，所述一半弧面以平行于所述底發光型0LED顯示面板的柵線或數據線方向 為分割線。
[0011] 進一步優選的，若所述反射層設置在所述主體部分的四個側面上，則所述頂面與 所述底面均為正方形。
[0012] 進一步優選的，若所述主體部分的側面為凹弧面，則覆蓋有所述反射層的凹弧面 的弧度為5~30° ;若所述主體部分的側面為平面，則覆蓋有所述反射層的平面與所述底 面的夾角為5~30° ;若所述主體部分的截面圖形為圓弧形，且所述圓弧形的弧為劣弧，則 沿所述劣弧端點的切線與所述圓弧形靠近所述保護層一側的底邊之間的夾角為5~30°。
[0013] 進一步優選的，所述0LED器件包括依次遠離所述基板的透明陽極、有機材料功能 層以及金屬陰極；所述透明陽極通過貫通所述平坦層、所述反射結構以及所述保護層的貫 通孔與所述驅動晶體管的漏極相連。
[0014] 進一步優選的，所述貫通孔通過所述主體部分的頂面貫通所述反射結構；或者，所 述貫通孔通過未被所述反射層覆蓋的另一半弧面貫通所述反射結構。
[0015] 在上述基礎上優選的，所述反射層主要由金屬單質和/或金屬合金構成；其中，金 屬元素包括銀、鋅、鋁、銅、錳、鍺、釔、鉍、鈧以及鈷中的任一種。
[0016] 在上述基礎上優選的，所述反射層的厚度為20~500nm。
[0017] 在上述基礎上優選的，所述主體部分主要由感光樹脂材料構成。
[0018] 在上述基礎上優選的，所述主體部分的厚度為1~10 μ m。
[0019] 基于此，通過本發明實施例提供的上述底發光型OLED顯示面板，由于在對應于驅 動晶體管的位置上方設置了反射結構，且反射結構靠近保護層一側的底面至少覆蓋驅動晶 體管所在的區域，即反射結構的底面長寬至少要等于驅動晶體管的長寬，這樣一來，由于反 射結構遮擋住了照射到驅動晶體管上的光線，因此可以提高用于限定0LED器件中發光面 積的TOL的開口部分的面積，即提高了底發光型的0LED器件的發光面積。
[0020] 并且，由于在驅動晶體管的位置上方對應設置了可對照射到其表面的光線進行反 射的反射結構，這部分光線經過二次和/或多次反射后，最終能夠重新從像素中部射出，從 而增加了OLED器件的出光效率以及OLED器件中的發光材料的壽命。
【附圖說明】
[0021] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以 根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0022] 圖1為現有技術提供的一種底發光型0LED顯示面板的剖面