機發(fā)光層中產(chǎn)生的光，如箭頭235r，235w，235g，235b所示。偏振片201遮擋外部光(或周圍光)從外部進入有機發(fā)光顯示裝置，并將從有機發(fā)光層發(fā)射的光傳輸?shù)酵獠俊?br>[0036]圖3顯示了當去除偏振片時白色像素區(qū)域中的光反射。
[0037]當去除偏振片時，在其中分別形成有遮光層310的區(qū)域中，外部光不允許進入顯示裝置。然而，在其中沒有形成遮光層的區(qū)域中，外部光入射并被反射。在其中沒有形成遮光層的區(qū)域之中，其中形成有濾色器的每一像素區(qū)域230r，230g，230b反射20 %到30 %的入射光，但因為在白色像素區(qū)域230w中沒有形成單獨的濾色器并因而入射光在金屬部分上被反射，所以白色像素區(qū)域230w反射70 %到90 %的入射光。
[0038]在沒有偏振片的情形中，紅色、綠色和藍色像素區(qū)域230r，230g，230b每一個由于其濾色器而僅反射大約20%入射到其上的外部光。更具體地說，紅色濾色器區(qū)域具有20%或更小的反射率，綠色和藍色濾色器區(qū)域分別具有10%或更小的反射率。然而，因為白色像素區(qū)域不具有單獨的濾色器，所以其反射70%到90%的外部入射光。
[0039]就是說，當由于偏振片的去除而入射非偏振的外部光時，需要通過控制白色像素區(qū)域的反射率來減小外部光的反射。當去除偏振片時，因為像素電極具有較高的反射率，所以整體平均反射率增加，這降低了視覺靈敏度。還需要在形成低反射層的工藝中通過不增加單獨的工藝或應用最少的工藝來降低成本。
[0040]本發(fā)明的第一個實施方式意在即使在不具有偏振片的顯示裝置中，通過在白色像素區(qū)域中形成減小反射的材料來解決光反射的問題。此外，當不具有偏振片時，為了減小每一像素區(qū)域和薄膜晶體管區(qū)域中的外部光的反射，本發(fā)明第二個實施方式考慮了一種在薄膜晶體管區(qū)域和像素區(qū)域中形成不同類型的低反射層的方法。
[0041]本發(fā)明的第一和第二個實施方式均可應用于在半導體和顯示元件的開發(fā)中典型的任何薄膜晶體管(TFT)結(jié)構(gòu)。例如，本發(fā)明的第一和第二個實施方式可應用于底柵結(jié)構(gòu)、頂柵結(jié)構(gòu)、雙柵極結(jié)構(gòu)、共面(coplanar)結(jié)構(gòu)等。此外，本發(fā)明的第一和第二個實施方式可應用于不具有偏振膜或偏振片的結(jié)構(gòu)。
[0042]當采用本發(fā)明的第一和第二個實施方式時，薄膜晶體管的有源層可由包括基于Si的材料、基于氧化物的材料、包含碳納米管(CNT)的基于石墨的材料、基于氮化物的材料和有機半導體在內(nèi)的任何類型的半導體材料形成。
[0043]當采用本發(fā)明的第一和第二個實施方式時，薄膜晶體管的配線，如源極電極、漏極電極和柵極電極可由Cu，Al，Au，kg, Ti，Mo, W，Ta及它們的一個或多個的合金形成，但并不限于此，合金元素的例子可包括 Ca，Mg, Zn，Μη, Ti, Mo, Ni，Nd，Zr，Cd，Au, Ag，Co, Fe，Rh，In，Ta, Hf，ff和Cr，但并不限于此。
[0044]本發(fā)明的第一和第二個實施方式均涉及形成低反射層，特別是形成于像素區(qū)域中的低反射層可包括引起空腔效應的層。
[0045]首先，將描述本發(fā)明的第一個實施方式。
[0046]第一個實施方式提供了改善在其中去除偏振膜的有機發(fā)光顯示裝置中由于白色像素區(qū)域的高反射率而導致的視覺靈敏度降低的例子。作為實例1-1，通過在用作陽極電極或像素電極的電極下方形成薄的低反射層來確保低反射率，并因而確保出色的視覺靈敏度。作為實例1-2，通過形成遮光層并還在與白色像素區(qū)域相對的區(qū)域中形成由與遮光層相同的材料形成的低反射層來確保減小的外部光的反射，并因而確保出色的視覺靈敏度。
[0047]圖4A到4C圖解了本發(fā)明的實例1 -1 ;
[0048]圖4A是其中根據(jù)本發(fā)明的實例1-1在對應于白色像素區(qū)域的像素電極區(qū)域中形成低反射層的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0049]在基板400的薄膜晶體管(TFT)區(qū)域491中，形成有源層410、柵極介電層415、柵極420和層間介電(ILD)層425，且ILD層425被部分蝕刻，從而形成源極電極/漏極電極430、鈍化層435和覆層440。此外，在像素區(qū)域492中形成像素電極480、有機層485和公共電極490，在像素區(qū)域492的白色像素區(qū)域450中沒有形成單獨的濾色器。
[0050]在圖4A中，形成在對應于白色像素區(qū)域的像素電極480處的低反射層470減小通過白色像素區(qū)域450入射的外部光的反射。白色像素區(qū)域450可對應于整個像素區(qū)域492，也可對應于一部分像素區(qū)域492。在圖4A中，附圖標記“450”表示白色像素區(qū)域。然而，因為在白色像素區(qū)域中沒有形成單獨的濾色器，所以當實現(xiàn)顯示裝置時在白色像素區(qū)域450與像素區(qū)域492之間沒有分隔，可通過在像素區(qū)域492的特定部分中形成擋肋(barrierrib)并將該部分限定為白色像素區(qū)域450來形成白色像素區(qū)域。白色像素區(qū)域的這些特征適用于下面所述的本發(fā)明的實施方式。
[0051]柵極420和源極電極/漏極電極430是導電金屬層，該導電金屬層可由選自A，W，Cu, Mo, Cr, Ti, Moff, MoTi和Cu/MoTi構(gòu)成的導電金屬組中的至少一種形成，但并不限于此。
[0052]公共電極490可形成為A1陰極，但并不限于此。此外，像素電極480是透明材料層，所述透明材料層可由ΙΤ0 (氧化銦錫)，ΙΖ0 (氧化銦鋅)和CNT (碳納米管)構(gòu)成的組中的至少一種形成，但并不限于此。
[0053]在圖4A中，為了減小白色像素區(qū)域450中的反射率，形成由附圖標記“ 470 ”表示的低反射層。在與白色像素區(qū)域450的透明電極對應的像素電極480下方較薄形成的低反射層470可在使亮度降低最小化的同時確保低反射率。外部入射光300穿過白色像素區(qū)域450，并在形成于像素電極480處的低反射層470上經(jīng)歷減小的反射。低反射層470可與像素電極480的ΙΤ0組合形成，如圖4B中所示，圖4B以放大圖圖解了由附圖標記“475”表示的部分。
[0054]圖4B顯示了在圖4A的像素電極處形成低反射層的詳細例子。
[0055]以放大的比例顯示了圖4A的部分475的幾個結(jié)構(gòu)，這幾個結(jié)構(gòu)由附圖標記“ 475a”，“ 475b ” 和 “475c ” 表示。
[0056]在475a的結(jié)構(gòu)中，低反射層470a形成在像素電極480a的一側(cè)上。
[0057]在475b的結(jié)構(gòu)中，在像素電極480b的兩側(cè)上形成第一低反射層470b和第二低反射層470c。
[0058]在475c的結(jié)構(gòu)中，低反射層470d形成在像素電極480c，480d之間。
[0059]低反射層的材料的例子可包括MoTi，Mo等。更具體地說，作為一個例子，低反射層可由MoTi形成，作為另一個例子，低反射層可由Mo，Ti，Zr, Hf，Ta, Cr, ff, V，Nb，Mn，F(xiàn)e, Co,Ni, Cu, Zn, Ag, Al, Au及它們的一個或多個的合金中的至少一種形成。
[0060]圖4C是在箭頭499的方向上看時的平面圖。薄膜晶體管區(qū)域491與像素電極480連接。低反射層470形成在像素電極下方。此外，在R/G/B像素區(qū)域中分別形成濾色器452，454，456，且在白色像素區(qū)域450中形成低反射層470。由像素電極480占據(jù)的區(qū)域由虛線表不。
[0061]盡管4A到4C中未示出，但可包括遮光層。
[0062]圖5A和5B圖解了本發(fā)明的實例1_2。
[0063]圖5A是其中根據(jù)本發(fā)明的實例1-2，在對應于白色像素區(qū)域的基板區(qū)域上與遮光層一起形成低反射層的結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0064]在圖5A中，與圖4A中相同的附圖標記表示相同的元件，從而將由上面圖4A的描述代替其描述。在白色像素區(qū)域450中沒有形成單獨的濾色器，且在與白色像素區(qū)域450對應的基板上的區(qū)域中形成低反射層570。外部入射光300穿過基板，并在低反射層570上經(jīng)歷減小的反射。
[0065]在基板上形成遮光層和緩沖層，并通過使用與遮光層相同的材料在與白色像素區(qū)域450對應的基板上的區(qū)域中形成低反射層570。
[0066]圖5B是在箭頭599的方向上看時的平面圖。在與白色像素區(qū)域?qū)幕迳系膮^(qū)域中形成低反射層570。此外，在R/G/B像素區(qū)域中分別形成濾色器452，454，456，且在白色像素區(qū)域450中低反