電容連接電路及數模轉換器的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體制造技術，特別涉及一種電容連接電路及數模轉換器。
【背景技術】
[0002]在數模轉換器(Digitalto Analog Converter，簡稱 DAC)、模數轉換器(Analogto Digital Converter，簡稱ADC)和放大器等電路中，均包含一種常用的電容連接電路；請參見圖1，電容連接電路100包括電容C10和電容C20，電容C10的第一極板連接電容C20的第二極板，并作為電容連接電路100的輸入端，電容C20的第一極板作為電容連接電路100的輸出端。電容C10和電容C20是一種MIM(Metal-1nsulator_Metal，金屬-絕緣介質-金屬)電容，由于Μ頂電容具有寄生效應，因此Μ頂電容的下極板和半導體襯底之間存在寄生電容；如圖1所示，電容C30和電容C40分別是電容C10和電容C20的下極板寄生電容。
[0003]在現有技術中，電容連接電路100的半導體結構200請參見圖2。所述電容C30的第二極板和所述電容C40的第二極板為半導體襯底201，所述半導體襯底201上形成有金屬結構207，所述金屬結構207為所述電容C30的第一極板和所述電容C10的第二極板，所述金屬結構207與半導體襯底201之間形成有絕緣結構206 ;所述半導體襯底201上還形成有金屬結構203，所述金屬結構203為所述電容C40的第一極板和電容C20的第二極板，所述金屬結構203和半導體襯底201之間形成有絕緣結構202 ;所述金屬結構207上形成有金屬結構209，所述金屬結構209為所述電容C10的第一極板，所述金屬結構209與所述金屬結構207之間形成有絕緣結構208 ;所述金屬結構203上形成有金屬結構205，所述金屬結構205為所述電容C20的第一極板，所述金屬結構205與所述金屬結構203之間形成有絕緣結構204 ;金屬結構209與金屬結構203通過導電結構連接。
[0004]由于現有技術的電容連接電路100的半導體結構中存在下極板寄生電容，使用電容連接電路100數模轉換器的精度受到影響。
【發明內容】
[0005]本發明解決的技術問題是使用現有技術的電容連接電路的數模轉換器精度不高。
[0006]為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種電容連接電路，包括:第一電容、第二電容、第三電容、第四電容和第五電容；
[0007]所述第一電容的第二極板連接所述第二電容的第一極板和第三電容的第一極板；
[0008]所述第四電容的第一極板連接所述第五電容的第一極板、第二電容的第二極板和第三電容的第二極板；
[0009]所述第四電容的第二極板和第五電容的第二極板均接地；
[0010]所述第二電容的第一極板為所述電容連接電路的第一連接端，所述第一電容的第一極板為所述電容連接電路的第二連接端，所述第二電容的第二極板為所述電容連接電路的第三連接端，所述第三電容的第二極板為所述電容連接電路的第四連接端。
[0011]可選的，所述第五電容的第二極板和所述第四電容的第二極板為半導體襯底，所述半導體襯底上形成有第一金屬結構，所述第一金屬結構為所述第四電容的第一極板和所述第二電容的第二極板，所述第一金屬結構和半導體襯底之間形成有第一絕緣結構；
[0012]所述半導體襯底上還形成有第二金屬結構，所述第二金屬結構為所述第五電容的第一極板和第三電容的第二極板，所述第二金屬結構和半導體襯底之間形成有第二絕緣結構；
[0013]所述第二金屬結構上形成有第三金屬結構，所述第三金屬結構為所述第三電容的第一極板和所述第一電容的第二極板，所述第三金屬結構和所述第二金屬結構之間形成有第三絕緣結構；
[0014]所述第一金屬結構上形成有第四金屬結構，所述第四金屬結構為所述第二電容的第一極板，所述第四金屬結構和所述第一金屬結構之間形成有第四絕緣結構；
[0015]所述第三金屬結構上形成有第五金屬結構，所述第五金屬結構為所述第一電容的第一極板，所述第五金屬結構和所述第三金屬結構之間形成有第五絕緣結構。
[0016]可選的，所述第一金屬結構通過第一導電結構連接所述第二金屬結構。
[0017]可選的，所述第一金屬結構和所述第二金屬結構由同一金屬層實現。
[0018]可選的，所述第三金屬結構通過第二導電結構連接所述第四金屬結構。
[0019]可選的，所述第三金屬結構和第四金屬結構由同一金屬層實現。
[0020]可選的，所述半導體襯底上還形成有第三導電結構和第六金屬結構，所述第三導電結構連接所述第一金屬結構和第六金屬結構，所述第六金屬結構位于所述第一絕緣結構或第四絕緣結構中。
[0021]可選的，所述半導體襯底上還形成有第四導電結構和第七金屬結構，所述第四導電結構連接所述第四金屬結構和第七金屬結構，所述第七金屬結構位于所述第四絕緣結構中。
[0022]可選的，所述半導體襯底上還形成有第五導電結構和第八金屬結構，所述第五導電結構連接所述第五金屬結構和第八金屬結構，所述第八金屬結構位于所述第五絕緣結構中。
[0023]可選的，所述半導體襯底上還形成有第六導電結構和第九金屬結構，所述第六導電結構連接所述第三金屬結構和第九金屬結構，所述第九金屬結構位于所述第三絕緣結構或第五絕緣結構中。
[0024]可選的，所述半導體襯底上還形成有第七導電結構和第十金屬結構，所述第七導電結構連接所述第二金屬結構和第十金屬結構，所述第十金屬結構位于所述第二絕緣結構或第三絕緣結構中。
[0025]為解決上述技術問題，本發明實施例還提供一種數模轉換器，包括:N個以上所述的電容連接電路、N個第一開關、N個第二開關、第六電容和第七電容，N多1 ;
[0026]所述第六電容的第二極板、所述第七電容的第一極板和所述第七電容的第二極板接地；
[0027]所述第一開關的第一端連接參考電壓輸出端，所述第二開關的第一端接地；
[0028]所述第一開關的第二端與所述電容連接電路的第三連接端一一對應連接；
[0029]所述第二開關的第二端與所述電容連接電路的第四連接端一一對應連接；
[0030]第1個電容連接電路的第一連接端連接所述第六電容的第一極板，第2個至第N個電容連接電路的第一連接端連接前一電容連接電路的第二連接端，第N個電容連接電路的第二連接端為所述數模轉換器的輸出端。
[0031]與現有技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下有益效果:
[0032]本發明電容連接電路包括第一電容、第二電容、第三電容、第四電容和第五電容；所述第一電容的第二極板連接所述第二電容的第一極板和第三電容的第一極板；所述第四電容的第一極板連接所述第五電容的第一極板、第二電容的第二極板和第三電容的第二極板；所述第四電容的第二極板和第五電容的第二極板均接地。所述第三電容和第四電容分別所述第一電容和第二電容的下極板寄生電容。本發明數模轉換器包括:N個級聯的所述電容連接電路、N個第一開關、N個第二開關、第六電容和第七電容，N多1。本發明將對數模轉換器精度影響較大的第二電容的下極板寄生電容轉移到對數模轉換器精度不敏感的第一電容下極板，有效降低下極板寄生電容對數模轉換器的影響，提高數模轉換器精度。此夕卜，本發明實施例將所述第二電容的下極板寄生電