布線層5b上，同上述第2半導體芯片2b與第2絕緣材料層4、第2布線層5b及層疊間通孔部16的層疊構造同樣的構造按半導體芯片的數量重復。并且，在最上層的布線層上形成布線保護層，并且在預定的位置形成外部電極7而完成半導體裝置。
[0195]基于圖17?19說明制造上述實施方式8中所示的半導體裝置的方法的實施方式。
[0196]在以下說明的制造方法中，將支撐板1設為比本發明的半導體芯片2的尺寸大得多，將多個半導體芯片2分別隔著間隔搭載于支撐板1而通過預定的處理工序同時制造多個半導體裝置，并最終分割為各個半導體裝置，從而能夠獲得多個半導體裝置。
[0197]這樣，通過同時制造多個半導體裝置，可以大幅抑制制造成本。
[0198]另外，在以下的實施方式中，描述了在支撐板上具有一個半導體芯片的半導體裝置，但是在支撐板上具有多個半導體芯片的情況也是本發明的實施方式。
[0199]圖17是表示復合支撐板1的構成的圖。
[0200]復合支撐板1通過使用粘接劑3c將第1平板la和第2平板lb附著固定而層疊。
[0201]上述第1平板la及第2平板lb是具有均一厚度的平坦的板。第1平板la與第2平板lb相比，包含熱傳導率高的材料，優選材料是銅。第2平板lb優選包含使絕緣樹脂固化而成的樹脂固化體或者不銹鋼和/或42合金等金屬。復合支撐板1的第1平板la和第2平板lb的合計厚度只要是不會因后述的絕緣材料層的形成而發生翹曲的程度的厚度即可。
[0202]圖18A?圖18E是表示直至將半導體裝置單片化之前的工序為止的半導體裝置的制造工序的圖。
[0203]其內容由于除了復合支撐板1是圖17B所示的復合支撐板以外，與在實施方式3的說明中基于圖4A?圖4E所示的內容同樣，所以省略說明。
[0204]圖19是表示將通過圖18A?圖18E所示工序獲得的半導體裝置20單片化的工序的圖。
[0205]通過如圖19A所示沿著切斷線CL進行切斷，如圖19B所示將半導體裝置20單片化為各單片。
【主權項】
1.一種半導體裝置，其特征在于，具備: 支撐板； 半導體芯片，其經由粘接層以元件電路面朝上的方式搭載于上述支撐板的一個主面； 絕緣材料層，其封裝上述半導體芯片及其周邊； 開口，其在上述絕緣材料層中，形成于在上述半導體芯片的上述元件電路面配置的電極上； 導電部，其以與上述半導體芯片的上述電極連接的方式形成于上述開口內； 布線層，其以在上述絕緣材料層上與上述導電部連接的方式形成，并且一部分延伸至上述半導體芯片的周邊區域；以及 外部電極，其形成于上述布線層上， 其中上述支撐板是在半導體裝置的制造過程中使用的將多個平板層疊而成的復合支撐板之中的、搭載有上述半導體芯片的平板，是從構成上述復合支撐板的其他平板分離了的平板。2.—種權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 將多個平板層疊而制作復合支撐板的工序； 在構成上述復合支撐板的第1平板的主面，對齊配置多個半導體芯片，并通過粘接劑附著固定這些半導體芯片的與元件電路面相反側的面的工序； 在上述半導體芯片的上述元件電路面上及上述第1平板的主面上形成絕緣材料層的工序； 在配置于上述半導體芯片的上述元件電路面的電極上的位置，在上述絕緣材料層形成開口的工序； 在上述絕緣材料層上形成一部分延伸至上述半導體芯片的周邊區域的布線層，并且在上述絕緣材料層的上述開口內形成與上述半導體芯片的上述電極連接的導電部的工序； 在上述布線層上形成外部電極的工序； 通過在預定的位置切斷上述第1平板及上述絕緣材料層，將包含一個或多個半導體芯片的半導體裝置單片化的工序；以及 在上述的將包含一個或多個半導體芯片的半導體裝置單片化的工序之前或之后，將構成上述復合支撐板的多個平板內的上述第1平板以外的平板從半導體裝置分離的工序。3.權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 上述復合支撐板是第1平板與第2平板通過粘接劑層疊而成的支撐板，通過除去粘接劑而將上述第1平板以外的平板從半導體裝置分離。4.權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 上述第1平板與第2平板之間的粘接劑沿著用于將包含一個或多個半導體芯片的半導體裝置單片化的切斷線而設置，在將包含一個或多個半導體芯片的半導體裝置單片化時，通過與上述第1平板及上述絕緣材料層一并切斷上述第1平板與第2平板之間的粘接劑而將上述第1平板與第2平板分離。5.權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 在上述第2平板沿著上述切斷線設置凹部，在上述凹部中設置粘接劑。6.權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 上述復合支撐板通過第1平板、第3平板和第2平板按照該順序層疊而成， 上述第3平板的面積比上述第1平板及第2平板小， 上述第2平板與上述第3平板通過粘接劑粘接， 在上述第1平板與上述第3平板之間不存在粘接劑而直接接觸， 上述第2平板的不存在上述第3平板的區域部分與上述第1平板的不存在上述第3平板的區域部分通過粘接劑粘接， 在將包含一個或多個半導體芯片的半導體裝置單片化時，通過與上述第1平板及上述絕緣材料層一并切斷上述第1平板、上述第3平板及第2平板層疊著的區域部分而將上述第1平板與第3平板及第2平板分離。7.權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 上述復合支撐板通過在第1平板與第2平板緊密附著的狀態下在第1平板和第2平板的外周部分進行焊接而層疊形成， 在將包含一個或多個半導體芯片的半導體裝置單片化時，通過切斷除去上述第1平板與第2平板焊接起來的外周部分而將上述第1平板與第2平板分離。8.權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于， 上述復合支撐板其第1平板與第2平板通過具有粘接性的暫時固定膜附著固定，在將包含一個或多個半導體芯片的半導體裝置單片化時，通過將上述第1平板從上述暫時固定膜分離而將上述第1平板與第2平板分離。9.一種半導體裝置，其特征在于，具備: 復合支撐板，其通過將多個平板層疊而成； 半導體芯片，其經由粘接層以元件電路面朝上的方式搭載于構成上述復合支撐板的最上層的第1平板的主面； 絕緣材料層，其封裝上述半導體芯片及其周邊； 開口，其在上述絕緣材料層中，形成于在上述半導體芯片的上述元件電路面配置的電極上； 導電部，其以與上述半導體芯片的上述電極連接的方式形成于上述開口內； 布線層，其以在上述絕緣材料層上與上述導電部連接的方式形成，并且一部分延伸至上述半導體芯片的周邊區域；以及 外部電極，其形成于上述布線層上， 其中上述第1平板包含在構成復合支撐板的平板中熱傳導率最高的材料。10.一種權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 將包含在多個平板中熱傳導率最高的材料的第1平板作為最上層，將第1平板與其他平板層疊而制作復合支撐板的工序； 在上述第1平板的主面，對齊配置多個半導體芯片，并通過粘接劑附著固定這些半導體芯片的與元件電路面相反側的面的工序； 在上述半導體芯片的上述元件電路面上及上述第1平板的主面上形成絕緣材料層的工序； 在配置于上述半導體芯片的上述元件電路面的電極上的位置，在上述絕緣材料層形成開口的工序； 在上述絕緣材料層上形成一部分延伸至上述半導體芯片的周邊區域的布線層，并且在上述絕緣材料層的上述開口內形成與上述半導體芯片的上述電極連接的導電部的工序； 在上述布線層上形成外部電極的工序；以及 通過在預定的位置切斷上述第1平板及上述絕緣材料層，將包含一個或多個半導體芯片的半導體裝置單片化的工序。
【專利摘要】本發明提供低高度、低熱阻的半導體裝置及其制造方法。本發明的半導體裝置具備：支撐板(1)；半導體芯片(2)，其經由粘接層以元件電路面朝上的方式搭載于支撐板(1)的一個主面；絕緣材料層(4)，其封裝半導體芯片(2)及其周邊；開口，其在絕緣材料層(4)中，形成于在半導體芯片(2)的元件電路面配置的電極上；導電部(6)，其以與半導體芯片的電極連接的方式形成于開口內；布線層(5)，其在絕緣材料層(4)上以與導電部(6)連接的方式形成，一部分向半導體芯片(2)的周邊區域延伸；外部電極(7)，其形成于布線層(5)上，其中支撐板(1)是構成從在半導體裝置的制造過程中使用的、將多個平板層疊而成的復合支撐板分離了的復合支撐板最上層的平板。
【IPC分類】H01L23/14, H01L23/373
【公開號】CN105304580
【申請號】CN201510431806
【發明人】池元義彥, 井上廣司, 石堂仁則, 松原寬明, 今泉有加里
【申請人】株式會社吉帝偉士
【公開日】2016年2月3日
【申請日】2015年7月21日
【公告號】US20160027695