用于在oled制程中量測子像素偏移量的方法
【技術領域】
[0001]本公開總地涉及一種量測0LED的基板上子像素偏移量的方法，具體而言，涉及用于在0LED制程中量測其基板上子像素偏移量的方法。
【背景技術】
[0002]隨著0LED制造的高分辨率與高產量的趨勢，對于鍍膜精準度的要求越來越高，因此，如何準確快速的進行鍍膜的偏移量的測量及對于偏移量的補償對于實現上述要求至關重要。
[0003]圖1、2分別示出了利用鍍膜設備進行0LED子像素鍍膜的主視圖和俯視圖。鍍膜設備包括蒸發源1、金屬框架2、掩膜板3及玻璃基板4，掩膜板3例如為高精度金屬掩模板(Fine Metal Mask，FMM)，其上具有鏤空部31，并固定在金屬框架2上，蒸鍍前，將玻璃基板4與掩膜板3對位設置，即，使玻璃基板4上的發光單元41的預設位置與鏤空部31相對應，蒸發盛有0LED材料的蒸發源1，使0LED材料經由掩膜板3上的鏤空部31沉積在玻璃基板4的發光單元41上，形成RGB等子像素P，如圖3、4所示。接著，以同樣的方式，利用其它布局的掩膜板在玻璃基板4上堆疊形成多層結構，以分別形成三層子像素。直到0LED制程完全結束，對玻璃基板4通電，使其發光，觀察通電后發光單元41與0LED材料的蒸鍍的子像素之間是否存在偏移，并測量偏移量。
[0004]接著，通過移動玻璃基板4或掩膜板3進行該偏移量的補償，以避免再次發生偏移。
[0005]然而，上述偏移測量步驟必須在0LED制程完全結束后對玻璃基板4通電，才能進行，因此，即使檢測并補償偏移，實際上偏移的蒸鍍層已經嚴重影響了后續制程，無法對大批量生產出的存在缺陷的基板進行彌補，因此無法使用。
[0006]因此，現在的偏移測量方法只能在制程完成后才能發現、測量偏移量，導致制程效率降低，浪費原料，使得廢品率提升。
[0007]因此，需要一種量測0LED的基板上子像素偏移量的方法，以及早的發現鍍膜偏移，提高制程效率、產品合格率。
[0008]在所述【背景技術】部分公開的上述信息僅用于加強對本公開的背景的理解，因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
【發明內容】
[0009]公開了一種用于在0LED制程中量測子像素偏移量的方法，以及早的發現鍍膜偏移，提高制程效率、產品合格率。
[0010]本公開的額外方面和優點將部分地在下面的描述中闡述，并且部分地將從描述中變得顯然，或者可以通過本公開的實踐而習得。
[0011]根據本公開的一個方面，一種用于在0LED制程中量測子像素偏移量的方法，包括以下步驟:將0LED材料透過掩模板上的鏤空部蒸鍍到基板上的顯示屏單元，顯示屏單元包含有效區域和該有效區域外圍的外圍測量區域，所述OLED材料在該有效區域內形成多個有效子像素，在該外圍測量區域內形成多個虛設子像素；及利用UV光使0LED材料的至少部分所述虛設子像素受激發光并測量該虛設子像素相對于所對應位于該基板上的發光單元預定位置的偏移量。
【附圖說明】
[0012]通過參照附圖詳細描述其示例實施方式，本公開的上述和其它特征及優點將變得更加明顯。
[0013]圖1示出利用現有的鍍膜設備進行鍍膜的主視圖。
[0014]圖2示出利用現有的鍍膜設備進行鍍膜的俯視圖。
[0015]圖3示出在基板上形成子像素的主視圖。
[0016]圖4示出在基板上形成子像素的俯視圖。
[0017]圖5示出0LED顯示屏單元及其周圍的外圍測量區域的示意圖。
[0018]圖6示出觀察到的外圍測量區域內的子像素偏移示意圖。
【具體實施方式】
[0019]現在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限于在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本公開將全面和完整，并將示例實施方式的構思全面地傳達給本領域的技術人員。在圖中，為了清晰，夸大了區域和層的厚度。在圖中相同的附圖標記表示相同或類似的結構，因而將省略它們的詳細描述。
[0020]所描述的特征、結構或特性可以以任何合適的方式結合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節從而給出對本公開的實施方式的充分理解。然而，本領域技術人員將意識到，可以實踐本公開的技術方案而沒有所述特定細節中的一個或更多，或者可以采用其它的方法、組元、材料等。在其它情況下，不詳細示出或描述公知結構、材料或者操作以避免模糊本公開的各方面。
[0021]實施方式1
[0022]請一并參照圖5及圖6，本實施方式提供一種用于在0LED制程中量測子像素偏移量的方法，用于測量鍍膜形成的子像素與相應的發光單元之間的偏移量，包括以下步驟:
[0023]步驟1:將0LED材料透過掩模板3上的鏤空部31蒸鍍到基板4上形成多個子像素，使子像素與基板4上的發光單元41相對應以形成0LED顯示屏單元43。如圖5，0LED顯示屏單元43包括有效區域A1和有效區域A1外圍的外圍測量區域A2，形成在有效區域A1內的子像素定義為有效子像素P1，形成在外圍測量區域A2內子像素定義的形成虛設子像素P2，有效子像素P1和虛設子像素P2的分布情況相同 '及
[0024]步驟2:請參照圖6，圖6是圖5中外圍測量區域A2的部分放大圖，例如是區域A2-1的放大圖。其中R、G、B分別表示紅、綠、藍0LED材料實際蒸鍍于基板外外圍測量區域A2虛設子像素P2的位置，而r、g、b則表示預定紅、綠、藍發光單元的位置，虛設子像素的面積大于發光單元的面積。利用UV光使0LED材料的紅色虛設子像素R受激發光，觀察并測量紅色虛設子像素R相對于所對應的紅色發光單元r預定位置的偏移量D1，而外圍測量區域A2內的虛設子像素P2的偏移量與有效區域內A1的有效子像素P1的偏移量D2 —致，偏移量D2與掩模板3相對于基板4的偏移量D3 —致，因此，通過觀察并測量偏移量D1，即可確定偏移量D3。
[0025]本實施方式中，是利用配備UV光源的測量顯微鏡觀察虛設子像素P2圖像，UV光源是通過光纖的方式傳遞并照射于基板4上的外圍測量區域A2處，該UV光照射范圍在0.5mm以內。可在外圍測量區域A2內的多處區域進行測量，例如圖