顯示裝置的制造方法
【專利說明】曰??士罷業不表直
[0001]本申請基于2014年6月11日提交的在先的日本專利申請N0.2014-120438，并且要求其優先權，其全部內容在此引為參考。
技術領域
[0002]本發明涉及顯示裝置。特別是涉及與設置有發光元件的基板相對的相對基板側的膜構造。
【背景技術】
[0003]近年，在移動用途的發光顯示裝置中，對于高精細化、低耗電化的要求變強。作為移動用途的顯示裝置，采用液晶顯示裝置(IXD:Liquid Crystal Display Device)、有機EL顯示裝置等利用了自發光元件(0LED:Organic Light-Emitting D1de)的顯示裝置、電子紙等。
[0004]其中，有機EL顯示裝置、電子紙不需要在液晶顯示裝置中所需的背光源或偏振片。而且，由于發光元件的驅動電壓低，所以作為低耗電且薄型的發光顯示裝置非常受到矚目。此外，由于能夠僅由薄膜形成顯示裝置，所以例如如日本特開2007 — 183605號公報所示，能夠實現能夠折彎的顯示裝置(柔性顯示器)。而且，這些顯示裝置由于沒有使用玻璃基板，所以能夠實現輕且不易損壞的顯示裝置，非常受到矚目。
【發明內容】
[0005]發明要解決的問題
[0006]但是，作為有機EL顯示裝置的一個技術問題，例如在有機EL顯示裝置的各像素中配置的有機EL元件等的發光元件中使用的發光材料，已知當暴露于氧或水分中時容易發生劣化而導致發光效率降低。特別是在柔性顯示器中，作為柔性基板使用樹脂材料非常薄的基板，因此，來自外部的氧或水分容易透過該柔性基板到達發光材料，產生發光元件劣化的問題。
[0007]用于解決問題的技術手段
[0008]本發明的一實施方式的顯示裝置包括:第一基板；配置在第一基板上的發光元件；具有防濕性的與第一基板相對的第二基板；配置在第二基板上、具有比第二基板的防濕性高的防濕性的第一阻擋層；配置在第一阻擋層上的與發光元件相對的位置的有機層；和配置在有機層上、具有比第二基板的防濕性高的第三防濕性的第二阻擋層。
[0009]根據本發明，能夠提供抑制發光元件的劣化的顯示裝置。
【附圖說明】
[0010]圖1是表示本發明的一實施方式的顯示裝置的層結構的截面圖。
[0011]圖2是表示本發明的一實施方式的顯示裝置的立體圖。
[0012]圖3是表示本發明的一實施方式的顯示裝置的俯視圖的圖。
[0013]圖4A是表示本發明的一實施方式的顯示裝置的A-B截面圖的圖。
[0014]圖4B是表示本發明的一實施方式的顯示裝置的A-B截面圖的圖。
[0015]圖5是表示在本發明的一實施方式的顯示裝置的制造方法中，在第一支承基板上形成第一基板、發光元件和保護膜的工序的圖。
[0016]圖6是表示在本發明的一實施方式的顯示裝置的制造方法中在第二支承基板上形成第二基板和第一阻擋層的工序的圖。
[0017]圖7是表示在本發明的一實施方式的顯示裝置的制造方法中形成濾色片和遮光層的工序的圖。
[0018]圖8是表示在本發明的一實施方式的顯示裝置的制造方法中形成第二阻擋層的工序的圖。
[0019]圖9是表示在本發明的一實施方式的顯示裝置的制造方法中將第一支承基板與第二支承基板粘合的工序的圖。
[0020]圖10是表示在本發明的一實施方式的顯示裝置的制造方法中剝離第一支承基板和第二支承基板的工序的圖。
[0021]圖11是表示本發明的一實施方式的顯示裝置的第一阻擋層的層結構的截面圖的圖。
[0022]圖12是表示本發明的一實施方式的顯示裝置的第二阻擋層的層結構的截面圖的圖。
【具體實施方式】
[0023]以下，參照【附圖說明】本發明的各實施方式。而且，公開只是一個例子，對于本領域技術人員，容易想到的在保持發明的主旨的情況下的適當變更，當然也包含于本發明的范圍中。此外，附圖為了使說明更明確，有時與實際上的方式相比，示意性地表示各部分的寬度、厚度、形狀等，以下各實施方式僅是一個例子，不限定本發明的解釋。此外，在本說明書和各圖中，對附圖中出現的相同要素添加相同的符號，并適當省略詳細的說明。
[0024]〈實施方式1〉
[0025]使用圖1說明本發明的實施方式1的顯示裝置的層結構。在實施方式1中，說明具有發光元件的頂部發光型的柔性顯示裝置的層結構。
[0026][顯示裝置的層結構]
[0027]圖1是表示本發明的實施方式1的顯示裝置的層結構的截面圖。如圖1所示，顯示裝置10包括第一基板100和配置在第一基板100上的發光元件110。此外，顯示裝置10包括:具有防濕性的第二基板200 ;第一阻擋層210，其配置在第二基板200上，具有比第二基板200的防濕性高的防濕性；配置在第一阻擋層210上的有機層220 ;和第二阻擋層230，其配置在有機層220上，具有比第二基板200的防濕性高的防濕性。而且，第一基板100和第二基板200以各自的上表面相對的方式隔著填充件300粘合。此處，第一基板100的上表面是第一基板100的第二基板200側的面，第二基板200的上表面是第二基板200的第一基板100側的面。此處，防濕性高是指透濕率低、水蒸氣難以透過的材料。此外，換言之，防濕性尚也是指對水分的阻擋能力尚的材料。
[0028]第一基板100和第二基板200能夠使用柔性的材料。具體而言，第一基板100和第二基板200能夠使用聚酰亞胺樹脂或者丙烯酸樹脂等。該情況下，第一基板100的厚度優選為3 μπι以上50 μm以下。進一步優選第一基板100的厚度為5 μπι以上20 μm以下。此外，如實施方式1在頂部發光型的顯示裝置中，從發光元件110發出的光從第二基板200側射出，因此第一基板100不必具有高的透光性。例如，為了提高對晶體管形成工序中的熱處理的耐性，可以對第一基板100導入雜質。其結果是，可以使第一基板100的透光性變低。相反，第二基板200優選透光性高的材料。另一方面，在底部發光型的顯示裝置的情況下，從發光元件110發出的光從第一基板100側射出，則第一基板100優選透光性高的材料。
[0029]發光元件110具有晶體管層和發光層。晶體管層具有晶體管元件和配線。晶體管元件能夠使用非晶硅晶體管元件、多晶硅晶體管元件、單晶硅晶體管元件、氧化物半導體晶體管元件、有機半導體晶體管元件等。但是，發光元件110也不必具有晶體管元件，例如，也可以如無源型發光裝置，在第一基板100上配置有配線和發光層的構造。此外，作為發光層，能夠使用有機EL、無機EL等。此外，代替上述那樣的自發光的發光層，也可以使用電子紙那樣的反射型的顯示層。
[0030]此處，發光元件110在第一基板100與晶體管層之間也可以具有基底阻擋層。基底阻擋層抑制來自第一基板100的雜質或者從第一基板100側浸入的水分擴散到晶體管層和發光層。作為基底阻擋層，能夠使用氮化硅膜(SiNj莫)、氧化硅膜(S1 J莫)、氮氧化硅膜(SiNx0y膜)、氧氮化硅膜(S1 xNy膜)、氮化鋁膜(AIN JI)、氧化鋁膜(A10 JI)、氮氧化鋁膜(A10xNy膜)、氧氮化鋁膜(A10xNy膜)等0^、7為任意值)。此外，作為基底阻擋層，還可以使用將這些膜層疊而成的結構。此處，氮氧化硅膜是含有氧比氮少的氮化硅膜，氧氮化硅膜是含有的氮比氧少的氧化硅膜。
[0031]第一阻擋層210可以是單膜構造，也可以是層疊膜構造。此外，第一阻擋層210包含第一防濕膜，該第一防濕膜含有硅和氮，具有比第二基板200的防濕性高的防濕性。第一阻擋層210是單膜構造的情況，是指第一防濕膜為第一阻擋層210。此外，第一阻擋層210是層疊膜構造的情況，是指第一阻擋層210的至少一層使用第一防濕膜。作為第一防濕膜，能夠使用SiNj莫、SiNx0y膜或者在這些膜中混入有雜質的膜。此外，上述的膜以外，作為第一防濕膜還能夠使用A1NJ莫、AIN x0y膜、其他的氮化金屬膜、氮化氧化金屬膜。
[0032]第二阻擋層230可以是單膜構造，也可以是層疊膜構造。此外，第二阻擋層230包含第二防濕膜，該第二防濕膜含有硅和氮，具有比第二基板200的防