用于半導體器件的接觸焊盤的制作方法
【專利說明】用于半導體器件的接觸焊盤
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請要求于2014年5月28日提交的標題為“InFO RDL Routing CapabilityImprovement Design”的美國臨時申請第62/003，979號的優先權，其全部內容結合于此作為參考。
技術領域
[0003]本發明涉及用于半導體器件的接觸焊盤。
【背景技術】
[0004]半導體器件被應用于各種電子應用，作為實例，諸如個人電腦、手機、數碼相機和其他的電子設備。通常通過在半導體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導電層和半導體材料層，然后使用光刻圖案化各個材料層以在其上形成電路組件和元件來制造半導體器件。通常在單個半導體晶圓上制造數十或數百個集成電路。通過沿著劃線鋸切集成電路來劃分為單獨的管芯。然后，例如，以多芯片模式或其他封裝類型來分別封裝單獨的管芯。
[0005]半導體產業通過持續降低最小部件尺寸來不斷改進各種電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成度，這使得更多的組件集成在給定的區域內。在一些應用中，這些較小的電子部件(諸如集成電路管芯)也需要比過去的封裝件利用更少面積的更小的封裝件。
[0006]集成的扇出(InFO)封裝技術正變得越來越受歡迎，特別是當與晶圓級封裝(WLP)技術結合時，在晶圓級封裝(WLP)技術中，將集成電路封裝在通常包括重分布層(RDL)或后鈍化互連(PPI)的封裝件中，使用重分布層(RDL)或后鈍化互連(PPI)來扇出用于封裝件的接觸焊盤的引線，因此可以在比集成電路的接觸焊盤更大的節距上制造電接觸件。這樣產生的封裝結構提供具有相對較低成本和較高性能的高功能密度的封裝件。
【發明內容】
[0007]為了解決現有技術中存在的問題，根據本發明的一個方面，提供了一種方法，包括:提供襯底；在所述襯底上形成接觸焊盤，所述接觸焊盤包括第一接觸焊盤，所述接觸焊盤提供至所述襯底上的電路的電連接；鄰近所述第一接觸焊盤形成偽焊盤部件，所述偽焊盤部件不提供電連接性；以及在所述第一接觸焊盤上形成外部電連接件。
[0008]在上述方法中，所述外部電連接件包括焊球。
[0009]在上述方法中，所述偽焊盤部件包括金屬。
[0010]在上述方法中，所述偽焊盤部件包括在平面圖中部分地環繞所述第一接觸焊盤的環形件。
[0011 ] 在上述方法中，在封裝件的拐角中的模塑料上方形成所述第一接觸焊盤和所述偽焊盤部件。
[0012]在上述方法中，在管芯和模塑料之間的界面區域上方形成所述第一接觸焊盤和所述偽焊盤部件。
[0013]在上述方法中，在所述接觸焊盤與管芯的中心相對的一側上設置所述偽焊盤部件。
[0014]根據本發明的另一方面，還提供了一種方法，包括:提供管芯；沿著所述管芯的側壁形成模塑料；在所述管芯和所述模塑料上方形成接觸焊盤；鄰近所述接觸焊盤的子集形成偽焊盤部件，所述偽焊盤部件與所述接觸焊盤電隔離；在所述接觸焊盤上形成電連接件；以及將襯底附接至所述電連接件。
[0015]在上述方法中，在所述模塑料的拐角區域中設置所述偽焊盤部件。
[0016]在上述方法中，在所述管芯的拐角區域中設置所述偽焊盤部件。
[0017]在上述方法中，沿著所述管芯的邊緣在所述管芯和所述模塑料之間的界面區域中設置所述偽焊盤部件。
[0018]在上述方法中，由與所述接觸焊盤相同的材料形成所述偽焊盤部件。
[0019]在上述方法中，每個所述偽焊盤部件均形成部分地環繞所述接觸焊盤中的相應的一個的環形件。
[0020]根據本發明的又一方面，還提供了一種器件，包括:管芯；模塑料，沿著所述管芯的側壁；接觸焊盤，位于所述管芯和所述模塑料上方；以及偽焊盤部件，鄰近所述接觸焊盤中的任選一個，所述偽焊盤部件不提供電連接性。
[0021]在上述器件中，所述偽焊盤部件設置在所述模塑料的外部拐角區域中。
[0022]在上述器件中，所述偽焊盤部件設置在所述管芯的拐角區域中。
[0023]在上述器件中，所述偽焊盤部件設置在所述管芯的邊緣和所述模塑料之間的界面區域中。
[0024]在上述器件中，所述偽焊盤部件包括部分地環繞所述接觸焊盤的環形件。
[0025]在上述器件中，所述偽焊盤部件包括金屬。
[0026]在上述器件中，進一步包括使用電連接件電連接至所述接觸焊盤的襯底。
【附圖說明】
[0027]當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發明的各方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。
[0028]圖1是根據一些實施例的集成的扇出封裝件的部分的平面圖。
[0029]圖2是根據一些實施例的具有偽焊盤部件的接觸焊盤的平面圖。
[0030]圖3A至圖3J根據一些實施例示出了具有接觸焊盤的封裝件在制造中的各個中間的工藝步驟。
[0031]圖4是根據一些實施例的示出可實施以制造器件的步驟的流程圖。
【具體實施方式】
[0032]以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。另外，本發明可在各個實例中重復參考標號和/或字符。該重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。
[0033]而且，為了便于描述，本文可以使用諸如“在…之下”、“下面”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空間相對術語以描述如圖中所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關系。除了圖中所示的方位之外，空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位上)，并且本文使用的空間相對描述符可以同樣地作出相應的解釋。
[0034]本發明的一些實施例涉及用于半導體器件的封裝器件及其制造方法。例如，諸如本文中論述的實施例提供了可以用于例如集成的扇出(InFO)封裝件的焊盤結構和布置。在一些實施例中，降低焊盤尺寸以提供用于線路由的額外的區域，諸如在重分布層(RDL)中提供的區域。同樣，諸如本文中公開的實施例通過降低焊盤尺寸擴展了重分布層的路由能力而不會引起額外的可靠性問題。大的RDL焊盤通常占據單個RDL層上的高面積比例，從而路由能力受到限制并且經常需要額外的一層或多層以確保路由完整性，這又增加了成本。此外，降低焊盤臨界尺寸頻繁地導致特定臨界位置處(諸如球柵陣列結構的管芯拐角)的介電(例如，聚合物)層上的可靠性問題。在倒裝芯片封裝件中也已觀察到類似的問題。
[0035]為了解決這些問題，一些實施例引入了鄰近接觸焊盤并且沿著凸塊下金屬(UBM)的邊緣的偽焊盤部件，諸如偽金屬部件。一般地，如下文更詳細討論，偽焊盤部件是與焊盤分隔開并且部分地圍繞焊盤的諸如金屬部件的部件。在一些實施例中