具有保護層的自對準互連件的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及集成電路器件，更具體地，涉及具有保護層的自對準互連件。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路的制造技術的發展，集成電路器件變得越來越小。集成電路通過導電部件(諸如金屬線、通孔和接觸插塞)互連以形成功能電路。因此，導電部件之間的間距也變得越來越小。
【發明內容】
[0003]為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種集成電路結構，包括:第一層間電介質(ILD);柵極堆疊件，位于所述第一 ILD中；第二 ILD，位于所述第一 ILD上方；第一接觸插塞，位于所述第二 ILD中；介電保護層，位于所述第一接觸插塞的相對兩側上并且與所述第一接觸插塞接觸，其中，所述第一接觸插塞和所述介電保護層位于所述第二 ILD中；以及介電覆蓋層，位于所述第一接觸插塞上方并且與所述第一接觸插塞接觸。
[0004]在上述集成電路結構中，其中，所述集成電路結構進一步包括:第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及第二接觸插塞，從所述第三ILD的頂面延伸到所述第二 ILD的底面，其中，所述第二接觸插塞電連接至所述柵極堆疊件。
[0005]在上述集成電路結構中，其中，所述集成電路結構進一步包括:第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及第二接觸插塞，從所述第三ILD的頂面延伸到所述第二 ILD的底面，其中，所述第二接觸插塞電連接至所述柵極堆疊件；其中，所述第二接觸插塞包括與所述介電保護層的頂部邊緣接觸的第一底面。
[0006]在上述集成電路結構中，其中，所述第一接觸插塞包括與所述第一 ILD的頂面接觸的底面。
[0007]在上述集成電路結構中，其中，所述介電保護層和所述介電覆蓋層由相同的介電材料形成。
[0008]在上述集成電路結構中，其中，所述集成電路結構進一步包括:源極/漏極區；第三接觸插塞，位于所述源極/漏極區上方并且電連接至所述源極/漏極區，其中，所述第三接觸插塞位于所述第一 ILD中；第四接觸插塞，位于所述第三接觸插塞上方并且接觸所述第三接觸插塞，其中，所述第四接觸插塞位于所述第二 ILD中；以及第五接觸插塞，位于所述第四接觸插塞上方并且與所述第四接觸插塞接觸，其中，所述第五接觸插塞從第三ILD的頂面延伸到所述第二 ILD內。
[0009]在上述集成電路結構中，其中，所述集成電路結構進一步包括:源極/漏極區；第三接觸插塞，位于所述源極/漏極區上方并且電連接至所述源極/漏極區，其中，所述第三接觸插塞位于所述第一 ILD中；第四接觸插塞，位于所述第三接觸插塞上方并且接觸所述第三接觸插塞，其中，所述第四接觸插塞位于所述第二 ILD中；以及第五接觸插塞，位于所述第四接觸插塞上方并且與所述第四接觸插塞接觸，其中，所述第五接觸插塞從第三ILD的頂面延伸到所述第二 ILD內；其中，所述第五接觸插塞的底面與所述第一接觸插塞的頂面基本共平面。
[0010]在上述集成電路結構中，其中，所述介電覆蓋層的頂面與所述第二 ILD的頂面基本共平面。
[0011]根據本發明的另一個方面，提供了一種集成電路結構，包括:第一層間電介質(ILD);蝕刻停止層，位于所述第一 ILD上方；第二 ILD，位于所述蝕刻停止層上方；第一狹槽式接觸插塞，位于所述第二 ILD中，其中，所述第一狹槽式接觸插塞穿透所述蝕刻停止層以接觸所述第一 ILD的頂面；介電保護層，包括位于所述第一狹槽式接觸插塞的相對兩側上并且與所述第一狹槽式接觸插塞接觸的部分；以及介電覆蓋層，位于所述第一狹槽式接觸插塞上方并且與所述第一狹槽式接觸插塞接觸，其中，所述第一狹槽式接觸插塞、所述介電保護層和所述介電覆蓋層均位于所述第二 ILD中。
[0012]在上述集成電路結構中，其中，所述介電覆蓋層包括與所述介電保護層的相對部分接觸的相對邊緣。
[0013]在上述集成電路結構中，其中，所述介電覆蓋層的頂面、所述介電保護層的頂部邊緣以及所述第二 ILD的頂面基本共平面。
[0014]在上述集成電路結構中，其中，所述集成電路結構進一步包括:第一源極/漏極區，位于所述第一 ILD下方；柵極堆疊件，位于所述第一 ILD中；第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及柵極接觸插塞，位于所述第二 ILD和所述第三ILD中。
[0015]在上述集成電路結構中，其中，所述集成電路結構進一步包括:第二源極/漏極區，位于所述第一 ILD下方；第二狹槽式接觸插塞，位于所述第二源極/漏極區上方并且電連接至所述第二源極/漏極區，其中，所述第二狹槽式接觸插塞位于所述第一 ILD中；第三狹槽式接觸插塞，位于所述第二狹槽式接觸插塞上方并且接觸所述第二狹槽式接觸插塞，其中，所述第三狹槽式接觸插塞位于所述第二 ILD中；第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及接觸插塞，穿透所述第三ILD,其中,所述接觸插塞與所述第三狹槽式接觸插塞接觸。
[0016]在上述集成電路結構中，其中，所述集成電路結構進一步包括:第二源極/漏極區，位于所述第一 ILD下方；第二狹槽式接觸插塞，位于所述第二源極/漏極區上方并且電連接至所述第二源極/漏極區，其中，所述第二狹槽式接觸插塞位于所述第一 ILD中；第三狹槽式接觸插塞，位于所述第二狹槽式接觸插塞上方并且接觸所述第二狹槽式接觸插塞，其中，所述第三狹槽式接觸插塞位于所述第二 ILD中；第三ILD，位于所述第二 ILD上方；以及接觸插塞，穿透所述第三ILD,其中，所述接觸插塞與所述第三狹槽式接觸插塞接觸；其中，所述接觸插塞的底面低于所述第二 ILD的頂面。
[0017]根據本發明的又一方面，提供了一種方法，包括:在第一 ILD上方形成第二層間電介質(ILD)，柵極堆疊件位于所述第一 ILD中；蝕刻所述第二 ILD以形成第一接觸開口 ；在所述第一接觸開口的相對側壁上形成介電保護層；在所述第一接觸開口中形成第一接觸插塞，所述第一接觸插塞位于所述介電保護層的相對部分之間；形成位于所述第一接觸插塞上方并且接觸所述第一接觸插塞的介電覆蓋層；在所述第二 ILD上方形成第三ILD ;在所述第二 ILD和所述第三ILD中形成第二接觸開口 ；以及填充所述第二接觸開口以形成第二接觸插塞。
[0018]在上述方法中，其中，形成所述介電覆蓋層包括:使所述第一接觸插塞凹進以形成凹槽；在所述凹槽中填充所述介電覆蓋層；以及平坦化所述介電覆蓋層，其中，所述介電覆蓋層的頂面與所述第二 ILD的頂面基本平齊。
[0019]在上述方法中，其中，在形成所述第二接觸開口中，所述介電保護層暴露于所述第二接觸開口，并且其中，在形成所述第二接觸開口期間，基本不蝕刻所述介電保護層。
[0020]在上述方法中，其中，在形成所述第一接觸開口之后，所述第一 ILD暴露于所述第一接觸開口。
[0021]在上述方法中，其中，所述方法進一步包括:在形成所述第二 ILD之前，在所述第一 ILD上方形成蝕刻停止層，其中，所述第一接觸開口穿透所述蝕刻停止層。
[0022]在上述方法中，其中，所述方法進一步包括:當形成所述第二接觸插塞時，同時在所述第二 ILD和所述第三ILD中形成源極/漏極接觸插塞。
【附圖說明】
[0023]當結合附圖進行閱讀時，根據下面詳細的描述可以更好地理解本發明的各方面。應該注意，根據工業中的標準實踐，各種部件沒有被按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各種部件的尺寸可以任意地增大或減小。
[0024]圖1至圖12示出了根據一些實施例形成包括接觸插塞的互連結構的中間階段的截面圖；以及
[0025]圖13示出了根據一些實施例的接觸插塞的頂視圖；以及
[0026]圖14示出了根據一些實施例的用于形成互連結構的工藝流程。
【具體實施方式】
[0027]為了實施本發明的不同特征，以下公開提供了許多不同的實施例或實例。以下描述部件和布置的具體實例以簡化本發明。當然這些僅僅是實例并不旨在限定。例如，在以下描述中，第一部件形成在第二部件上方或上可包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實施例，并且也可包括在第一部件和第二部件