制造光源的方法
【專利說明】制造光源的方法
[0001]本申請要求于2014年7月16日在韓國知識產權局提交的第10-2014-0089793號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部公開內容通過引用包含于此。
技術領域
[0002]本發明的示例性實施例涉及一種制造光源的方法。
【背景技術】
[0003]半導體發光裝置響應于向其施加的電流通過電子-空穴復合來發射光，并且半導體發光裝置由于其諸如以功耗較低、亮度級別高以及緊湊性為例的若干優點而被廣泛用作光源。自從開發出氮化物發光器件，這樣的器件已經得到更廣泛的應用。例如，正在采用諸如發光二極管(LED)的半導體發光器件來用在例如汽車前照燈或者包括室內照明的普通照明裝置中。允許制造具有改善的可靠性的產品的半導體光源測試方法和用于該測試的半導體光源測試裝置將是極為有利的。
【發明內容】
[0004]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，一種制造光源的方法包括以下步驟:提供當向其施加電力時發射光的半導體光源；向半導體光源供應電力；接收半導體光源發射的光，并且執行對所接收的光的光學性質的第一測量；自第一測量已過去一段時間之后，接收半導體光源發射的光，并執行對所接收的光的光學性質的第二測量；通過比較光學性質的第一測量和光學性質的第二測量的結果來確定半導體光源是否有缺陷；以及通過提供半導體光源的外圍部件來構造包括半導體光源的光源，其中，作為確定半導體光源是否有缺陷的結果，所述半導體光源被確定為正常。
[0005]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，一種制造光源的方法包括確定半導體光源是否有缺陷的步驟，所述步驟包括:確定基于在第一測量中獲得的光學性質的、第一測量和第二測量之間的光學性質的變化量；如果計算出的變化量等于或大于預定值，則將半導體光源確定為有缺陷。
[0006]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，在第一測量和第二測量中獲得的光學性質為半導體光源發射的光的亮度級別。
[0007]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，利用光電二極管來獲得所述光學性質。
[0008]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，在第一測量和第二測量中獲得的光學性質包括半導體光源發射的光的色坐標值。
[0009]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，利用光譜儀來獲得所述光學性質。
[0010]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，執行第一測量和第二測量的步驟包括:通過使半導體光源發射的光成像來獲得第一圖像和第二圖像，確定半導體光源是否有缺陷的步驟包括:比較第一圖像和第二圖像的明度級別，并且如果明度級別的變化量等于或大于預定值，則將半導體光源確定為有缺陷。
[0011]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，測試多個半導體光源，確定所述多個半導體光源是否有缺陷的步驟包括:在第一圖像和第二圖像中的每個圖像上設定與所述多個半導體光源的位置對應的分割區域；以及針對每個分割區域比較第一圖像和第二圖像的明度級別，并且如果明度級別的變化量等于或大于預定值，則將位于與分割區域對應的位置中的半導體光源確定為有缺陷。
[0012]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，光源為發光模塊；半導體光源為發光器件封裝件，發光器件封裝件包括封裝基底和半導體發光器件，封裝基底具有第一端子和第二端子，半導體發光器件位于封裝基底上并且具有電連接到第一端子和第二端子的第一電極和第二電極；構造光源的步驟包括:在模塊基底上設置發光器件封裝件，其中，作為確定發光器件封裝件是否有缺陷的結果，所述發光器件封裝件被確定為正常。
[0013]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，將半導體發光器件的第一電極和第二電極設置為面對封裝基底的第一端子和第二端子。
[0014]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，在第一測量和第二測量中獲得的光學性質為發光器件封裝件發射的光的亮度級別，第一測量和第二測量之間的時間間隔為40毫秒或更短，如果第一測量和第二測量之間的亮度級別的變化量為基于第一測量中獲得的亮度級別的5%或更大，則將發光器件封裝件確定為有缺陷。
[0015]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，在第一測量和第二測量中獲得的光學性質為發光器件封裝件發射的光的色坐標值，第一測量和第二測量之間的時間間隔為40毫秒或更短，基于CIE 1931色坐標系，如果在第二測量中獲得的X色坐標值基于在第一測量中獲得的X色坐標值改變0.001或更多，或者在第二測量中獲得的Y色坐標值基于在第一測量中獲得的Y色坐標值改變0.0006或更多，則將發光器件封裝件確定為有缺陷。
[0016]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，半導體光源為半導體發光器件，半導體發光器件包括導電基底和發光結構，發光結構位于導電基底上并具有第一導電型半導體層、活性層和第二導電型半導體層。
[0017]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，光源為照明裝置；半導體光源為發光模塊，發光模塊包括模塊基底和位于模塊基底上的半導體發光器件和發光器件封裝件中的至少一個；構造光源的步驟包括:將被構造為控制發光模塊的驅動的驅動器連接到發光模塊，其中，作為確定發光模塊是否有缺陷的結果，所述發光模塊被確定為正常。
[0018]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，在第一測量和第二測量中獲得的光學性質為發光模塊發射的光的亮度級別，第一測量和第二測量之間的時間間隔為0.5秒或更短，如果第一測量和第二測量之間的亮度級別的變化量為基于第一測量中獲得的亮度級別的5%或更大，則將發光模塊確定為有缺陷。
[0019]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，在第一測量和第二測量中獲得的光學性質為發光模塊發射的光的色坐標值，第一測量和第二測量之間的時間間隔為0.5秒或更短，基于CIE 1931色坐標系，如果在第二測量中獲得的X色坐標值基于在第一測量中獲得的X色坐標值改變0.001或更多，或者在第二測量中獲得的Y色坐標值基于在第一測量中獲得的Y色坐標值改變0.0006或更多，則將發光模塊確定為有缺陷。
[0020]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，測試多個半導體光源，執行第一測量和第二測量的步驟包括:接收多個半導體光源中的每個半導體光源發射的光，并且執行對所接收的光的光學性質的第一測量和第二測量。
[0021]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，一種制造光源的方法還包括將確定所述多個半導體光源中的每個半導體光源是否有缺陷的結果存儲在存儲裝置中。
[0022]在根據發明構思的原理的示例性實施例中，在制造光源的方法中，光源為發光器件封裝件；半導體光源為具有第一電極結構和第二電極結構以及封裝基底的半導體發光器件，其中，封裝基底具有第一端子和第二端子；構造光源的步驟包括:在半導體發光器件上形成包封件，其中，作為確定半導體發光器件是否有缺陷的結果，所述半導體發光器件被確定為正常。
【附圖說明】
[0023]通過下面結合附圖進行的詳細描述，將更清楚地理解本公開中的以上和其他方面、特征以及其他優點，在附圖中:
[0024]圖1是示出根據發明構思的原理的光源測試方法的流程圖；
[0025]圖2是示意性地示出根據發明構思的原理的光源測試裝置的圖；
[0026]圖3是示出根據圖2中示出的實施例的光源測試裝置的變型實施例的圖；
[0027]圖4A至圖4C是示出根據發明構思的原理的光源測試裝置中使用的光學性質測量單元的圖；
[0028]圖5至圖8是示出根據發明構思的原理的光源測試方法中的缺陷確定的原理的圖；
[0029]圖9和圖10A至圖10C是示出根據本公開的實施例的光源測試方法中的缺陷確定方法的圖；
[0030]圖11是示出根據發明構思的原理制造發光器件封裝件的方法的流程圖；
[0031]圖12是示出圖11的制造方法的工藝步驟的工藝剖視圖；
[0032]圖13A至圖13C是示出根據參照圖11所描述的方法的制造發光器件封裝件的方法的工藝剖視圖；
[0033]圖14A至圖14B是示例性地示出通過圖11的方法制造的發光器件封裝件的圖；
[0034]圖15是示出根據發明構思的原理的制造發光模塊的方法的流程圖；
[0035]圖16A和圖16B是示出根據圖15的實施例的制造發光模塊的方法的工藝剖視圖和透視圖；
[0036]圖17是示出根據發明構思的原理制造照明裝置的方法的流程圖；
[0037]圖18A和圖18B是示出根據圖17的實施例的制造照明裝置的方法的工藝剖視圖和透視圖；
[0038]圖19和圖20是示意性地示出根據本公開中的實施例制造的照明裝置的分解透視圖；
[0039]圖21和圖22是示出將根據發明構思的原理制造的照明裝置應用于背光單元的實施例的剖視圖；
[0040]圖23是示出將根據發明構思的原理制造的照明裝置應用于前照燈的實施例的剖視圖。
【具體實施方式】
[0041]在下文中，將參照其中示出一些實施例的附圖來更充分地描述各種實施例。然而，發明構思可以以許多不同的形式實施，并且不應該被解釋為局限于在這里闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得該描述將是徹底的和完整的，并且這些實施例將把發明構思的范圍傳達給本領域技術人員。在附圖中，為了清楚起見，可能夸大層和區域的尺寸和相對尺寸。
[0042]將理解的是，當元件或層被稱為“在”另一元件或層“上”，“連接到”或“結合到”另一元件或層時，該元件或層可以直接在所述另一元件或層上，直接連接到或直接結合到另一元件或層，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當元件被稱為“直接在”另一元件或層“上”、“直接連接到”或“直接結合到”另一元件或層時，不存在中間元件或中間層。同樣的附圖標記始終指示同樣的元件。如在這里使用的，除非另有指示，否則術語“和/或”包括一個或更多個相關所列項的任意和全部組合，術語“或”理應是包括性的。
[0043]將理解的是，雖然這里可以使用術語第一、第二、第三、第四等來描述各種元件、組件、區域、層和/或部分，但這些元件、組件、區域、層和/或部分不應該被這些術語限制。這些術語僅用于將一個元件、組件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分區別開。因此，在不脫離發明構思的教導的情況下，下面討論的第一元件、組件、區域、層或部分可以被稱作第二元件、組件、區域、層或部分。為了清楚起見，可能夸大層的厚度。
[0044]為了易于描述，可以在這里使用諸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空間相對術語，以描述如附圖中所示的一個元件或特征與其他元件或特征的關系。將理解的是，除了附圖中繪出的方位之外，空間相對術語還意圖包括裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果將附圖中的裝置翻轉，則被描述為“在”其他元件或特征“下方”或“之下”的元件隨后將被定向為“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例性術語“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。可以將裝置另外定向(旋轉90度或在其他方位)，并相應地解釋在這里使用的空間相對描述語。
[0045]在這里使用的術語僅出于描述特定的實施例的目的，并且不意圖限制發明構思。除非上下文清楚地另外指出，否則如在這里使用的，單數形式也意圖包括復數形式。還將理解的是，當在該說明書中使用術語“包括”、“包含”和/或其變型時，說明存在陳述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加一個或更多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、