完成后，常溫冷卻5分鐘。
[0057] 4、其余制程
[0058] 進行光刻、ICP刻蝕、電極制作等其它制程，制得發光二極管。
[0059] 實施例2
[0060] 1、清洗LED芯片表面。
[0061] 2、采用電子束真空鍍膜設備在芯片表面分四步蒸鍍ΙΤ0透明導電層。
[0062] 第一步：
[0063] 設定ΙΤ0膜厚氏為1200 ±矣，鍍膜速率V為6埃/秒，鍍膜時間T為180秒，氧氣 流量仏為6毫升/分鐘，鍍膜時溫度D 300度，鍍膜時腔體壓力P 4. 0 X 10 6托。
[0064] 其中
[0065] 鍍膜完成后，間隔6分鐘，以使腔體氣氛得到穩定。
[0066] 第二步：
[0067] 設定ΙΤ0膜厚氏為1200 ±矣，鍍膜速率V 2為6埃/秒，鍍膜時間T 2為180秒，氧氣 流量02為6毫升/分鐘，鍍膜時溫度D 2為255度，鍍膜時腔體壓力P 2為3. 2 X 10 6托。其 中 H2= V 2*T2, V2= V !，T2= T !，Q2= Q !，D2= 0· 8f5D !，P2= 0· 80P 1〇
[0068] 鍍膜完成后，間隔8分鐘，以使腔體氣氛得到穩定。
[0069] 第三步
[0070] 設定ΙΤ0膜厚氏為1200 ±矣，鍍膜速率V 3為6埃/秒，鍍膜時間T 3為180秒，氧氣 流量03為6毫升/分鐘，鍍膜時溫度D 3為229. 5度，鍍膜時腔體壓力P 3為2. 72 X 10 6托托， 其中 H3= V 3*T3, V3= V 2, T3= T 2, Q3= Q 2, D3= 0· 8? 2, P3= 0· 8P 2。
[0071] 鍍膜完成后，間隔12分鐘，以使腔體氣氛得到穩定。
[0072] 第四步
[0073] 設定ΙΤ0膜厚&為1200 ±矣，鍍膜速率V 4為6埃/秒，鍍膜時間T 4為180秒，氧氣 流量04為6毫升/分鐘，鍍膜時溫度D 4為206. 6度，鍍膜時腔體壓力P 4為2. 31 X 10 6托， 其中 H4= V 4*T4, V4= V 3, T4= T 3, Q4= Q 3, D4= 0· 8f5D 3, P4= 0· 8P 3。
[0074] 本方法的ITO透明導電層的總膜厚為H，H在4800埃。H =氏+氏+氏+!14
[0075] 3、ΙΤ0合金，同實施例1
[0076] 4、其余制程，，同實施例1
[0077] 實施例3
[0078] 1、清洗LED芯片表面。
[0079] 2、采用電子束真空鍍膜設備在芯片表面分六步蒸鍍ΙΤ0透明導電層。
[0080] 第一步：
[0081 ] 設定ΙΤ0膜厚氏為1000 ±矣，鍍膜速率V Λ 5埃/秒，鍍膜時間Τ Λ 200秒，氧氣 流量仏為8毫升/分鐘，鍍膜時溫度D 320度，鍍膜時腔體壓力P 5. 0 X 10 6托。
[0082] 其中
[0083] 鍍膜完成后，間隔5分鐘，以使腔體氣氛得到穩定。
[0084] 第二步：
[0085] 設定ΙΤ0膜厚氏為1000 ±矣，鍍膜速率V 2為6埃/秒，鍍膜時間T 2為200秒，氧氣 流量02為8毫升/分鐘，鍍膜時溫度D 2為304度，鍍膜時腔體壓力P 2為4. 5 X 10 6托。其 中 H2= V 2*T2, V2= V !，T2= T !，Q2= Q !，D2= 0· 95D !，P2= 0· 9P 1〇
[0086] 鍍膜完成后，間隔5~15分鐘，以使腔體氣氛得到穩定。
[0087] 第三步
[0088] 設定ΙΤ0膜厚氏為1000 ±矣，鍍膜速率V 3為6埃/秒，鍍膜時間T 3為200秒，氧氣 流量03為8毫升/分鐘，鍍膜時溫度D 3為288. 8度，鍍膜時腔體壓力P 3為4. 0 X 10 6托托， 其中 H3= V 3*T3, V3= V 2, T3= T 2, Q3= Q 2, D3= 0· %D 2, P3= 0· 9P 2。
[0089] 鍍膜完成后，間隔7分鐘，以使腔體氣氛得到穩定。
[0090] 第四步
[0091 ] 設定ΙΤ0膜厚&為1000 ±矣，鍍膜速率V 4為6埃/秒，鍍膜時間T 4為200秒，氧氣 流量04為8毫升/分鐘，鍍膜時溫度D 4為274. 4度，鍍膜時腔體壓力P 4為3. 6 X 10 6托，其 中 H4= V 4*T4, V4= V 3, T4= T 3, Q4= Q 3, D4= 0· 9f5D 3, P4= 0· 9P 3。
[0092] 鍍膜完成后，間隔9分鐘，以使腔體氣氛得到穩定。
[0093] 第五步
[0094] 設定ΙΤ0膜厚氏為1000 ±矣，鍍膜速率V 5為6埃/秒，鍍膜時間T 5為200秒，氧氣 流量05為8毫升/分鐘，鍍膜時溫度D 5為260. 6度，鍍膜時腔體壓力P 5為3. 24 X 10 6托托， 其中 H5= V 5*T5, V5= V 4, T5= T 4, Q5= Q 4, D5= 0· 9f5D 4, P5= 0· 9P 4。
[0095] 鍍膜完成后，間隔13分鐘，以使腔體氣氛得到穩定。
[0096] 第六步
[0097] 設定ΙΤ0膜厚!16為1000 ±矣，鍍膜速率V 6為6埃/秒，鍍膜時間T 6為200秒，氧氣 流量06為8毫升/分鐘，鍍膜時溫度D 6為247. 6度，鍍膜時腔體壓力P 6為2. 92 X 10 6托， 其中 H6= V 6*T6, V6= V 5, T6= T 5, Q6= Q 5, D6= 0· %D 5, P6= 0· 9P 5。
[0098] 鍍膜完成后，間隔15分鐘，以使腔體氣氛得到穩定。
[0099] 本方法的ΙΤ0透明導電層的總膜厚為H，Η在6000埃。Η =氏+氏+氏+!14+氏+!16
[0100] 3、ΙΤ0合金，，同實施例1
[0101] 4、其余制程，同實施例1
[0102] 現有傳統的ΙΤ0透明導電層的制備方法如下：
[0103] 1、清洗LED芯片表面。
[0104] 2、采用電子束真空鍍膜設備在芯片表面一次性蒸鍍ΙΤ0透明導電層。
[0105] ΙΤ0膜厚為3000埃~4000埃，鍍膜速率為2~6埃/秒，鍍膜時間為500~ 2000秒，氧氣流量為2~8毫升/分鐘，鍍膜時溫度為250度~320度，鍍膜時腔體壓力為 3. 0X10 6托~5. 0X10 6托。
[0106] 3、IT0合金，同實施例1
[0107] 4、其余制程，同實施例1
[0108] 性能對比
[0109] 分別采用性能對比實施例1、2、3和對比例的LED發光二級管進行測試比較，結果 如下：
[0111] 從上表可看出本發明制備的ΙΤ0透明導電層得到的LED發光二級管，可以使LED 芯片亮度提升3% -6%，同時LED芯片電壓下降0. 03V-0. 07V，既提升了芯片亮度，又降低了 芯片電壓，對LED芯片的光效提升更為顯著，從而使LED芯片更加節能環保。
[0112] 以上所述僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，對于本領域的技 術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修 改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1. 一種ITO透明導電層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：在LED外延片表面上 進行η次鍍膜，在后鍍膜在前次鍍膜形成的薄膜上進行，所述η次鍍膜得到的相應薄膜形成 ΙΤ0透明導電層，各薄膜的厚度相等，3彡η彡6。2. 根據權利要求1所述的ΙΤ0透明導電層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 在鍍膜速率為￥#矣/秒、鍍膜時間為Τ4少、氧氣流量為Qi毫升/分鐘、溫度為Di攝氏 度、腔體壓力為Pi托的條件下，蒸鍍形成第1薄膜； 在鍍膜速率為^埃/秒、鍍膜時間為T2秒、氧氣流量為Q2毫升/分鐘、溫度為D2攝氏 度、腔體壓力為P2托的條件下，蒸鍍形成第2薄膜；V2=VpTfTpQfQpDfyDpPf zP1; 依次鍍膜直至形成第n薄膜，在鍍膜速率為1埃/秒、鍍膜時間為T"秒、氧氣流量為Qn 毫升/分鐘、溫度為Dn攝氏度、腔體壓力為Pn托的條件下，蒸鍍形成第η薄膜； 其中，vn=vη 1，τη=Τη1，Qn=Qη 1，Dn=yDη1，ρη=ζΡη1，〇· 85 <y< 0· 95， 0. 8彡ζ彡0. 9,所述2~6埃/秒，所述Τ為160~200秒，所述Q% 2~8毫升/ 分鐘，所述DiS250~320度，所述PiS3. 0X10 6~5. 0X10 6托。3. 根據權利要求2所述的IT0透明導電層的制備方法，其特征在于，y為0.9，z為0.85。4. 根據權利要求1所述的IT0透明導電層的制備方法，其特征在于，在完成任一薄膜之 后，間隔5~15分鐘，再進行下一次鍍膜。5. 根據權利要求2所述的IT0透明導電層的制備方法，其特征在于，各薄膜的膜厚為相 應的鍍膜速率與相應的鍍膜時間的乘積，所有薄膜的總膜厚Η為3000埃~6000埃。6. 根據權利要求5所述的ΙΤ0透明導電層的制備方法，其特征在于，當 3000彡Η彡5000時，η為3或4,當5000 <Η彡6000時，η為5或6。7. -種LED芯片，其特征在于，包括權利要求1~6中任一項得到的ΙΤ0透明導電層。8. -種發光二極管，其特征在于，包括權利要求7所述的LED芯片。
【專利摘要】本發明公開了一種ITO透明導電層的制備方法、LED芯片及發光二極管，該ITO透明導電層的制備方法，包括以下步驟：在LED芯片表面上進行n次鍍膜，在后鍍膜在前次鍍膜形成的薄膜上進行，n次鍍膜得到的相應薄膜形成ITO透明導電層，各薄膜的厚度相等，3≤n≤xx。上述ITO透明導電層的制備方法在LED芯片表面上進行n次鍍膜，各層薄膜的厚度相等，ITO透明導電層由多層薄膜構建而成，在退火處理過程中，其Rs增大幅度較小，因而正向電壓升高較小和LED芯片亮度高。
【IPC分類】H01L33/00, H01L33/42, C23C14/24
【公開號】CN105261685
【申請號】CN201510727705
【發明人】徐平, 苗振林, 周佐華
【申請人】湘能華磊光電股份有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年10月29日