形地被半導體晶體100的表面110的覆蓋區域111包圍。
[0026]接觸面410在橫向方向上具有接觸直徑124，該接觸直徑比所暴露的直徑123小。接觸面410的接觸直徑124大致對應于光刻膠層300中的開口 310的開口直徑311。光刻膠層300中的開口 310的開口直徑311因此確定接觸面410的接觸直徑124。
[0027]金屬層400具有導電材料。金屬層400例如可以具有金或銀。金屬層400也可以包括諸如鉑、鈦或鉻的增附劑，所述增附劑在施加剩余的金屬層400之前被施加，以便改進金屬層400的附著。
[0028]由金屬層400形成的接觸面410良好地電連接到半導體晶體100上。接觸面410和半導體晶體100之間的比接觸電阻優選地是低的。
[0029]通過欠蝕刻220光刻膠層300確保了:金屬層400的布置在光刻膠層300上的部分不與金屬層400的形成接觸面410的部分連接。這使得能夠根據剝離方法(Lift-off方法)剝離金屬層400的布置在光刻膠層300上的部分。
[0030]圖6以示意性剖面圖示出在時間上跟隨在圖5的圖示之后的處理狀態中的半導體晶體100。光刻膠層300與金屬層400的布置在光刻膠層300上的部分一起被移除了。在半導體晶體100的表面110上因此剩下具有開口 210的第一層200和布置在半導體晶體100的表面110的所暴露的橫向區域120的接觸區域121中的接觸面410。
[0031]圖7以示意性剖面圖示出在時間上跟隨在圖6的圖示之后的處理狀態中的半導體晶體100。在半導體晶體100的表面110、接觸面410和第一層200上已布置了第二層500。第二層500覆蓋第一層200的背向半導體晶體110的一側、半導體晶體100的表面110的所暴露的橫向區域120的容差區域122、接觸面410以及優選地也覆蓋第一層200中的開口210的壁。
[0032]第二層500具有透明的、導電的材料。第二層500例如可以具有透明的、導電的氧化物，諸如被摻雜的氧化鋅、氧化銦鋅或氧化銦錫。該透明的、導電的材料在如下電磁波長范圍中是透明的，該電磁波長范圍包括由光電子器件發射的電磁輻射的波長，所述光電子器件由半導體晶體100來制造。該透明的、導電的材料例如可以具有每厘米1000的吸收系數。
[0033]第二層500的材料在半導體晶體100的表面110的容差區域122中幾乎不電連接到半導體晶體100上。優選地，第二層500和半導體晶體100之間的比接觸電阻是非常高的。第二層500和半導體晶體100之間的比接觸電阻比接觸面410和半導體晶體100之間的比接觸電阻高至少一個數量級。在接觸面410和第二層500之間存在良好地導電的連接。
[0034]圖8以示意圖示出在時間上跟隨在圖7的圖示之后的處理狀態中的半導體晶體100。在第二層500上施加了第三層600。第三層600用作反射層并且優選地具有金屬。第三層600例如可以具有金或銀。布置在第一層200和第三層600之間的第二層500可以用作第三層600的增附劑。
[0035]第三層600通過第二層500與接觸面410導電連接。第三層600可以用于將到由半導體晶體100制造的光電子器件中的接觸面410的電接觸向外引導。
[0036]圖9以示意性剖面圖示出在時間上跟隨在圖8的圖示之后的處理狀態中的半導體晶體100。在圖9中所示出的處理狀態中半導體晶體100是很大程度上完成的光電子器件10的部分。光電子器件10例如可以是發光二極管器件。于是，半導體晶體100是LED芯片。
[0037]在第三層600上施加了第四層700。第四層700可以用作到光電子器件10的載體或襯底的連接層。
[0038]光電子器件10可以通過第三層600和接觸面410以及位于中間的第二層500來電接觸。接觸面410具有接觸直徑124，該接觸直徑通過光刻膠層300的開口 310的開口直徑311來確定，所述開口直徑能夠可再現地以高精度來調整。因此，根據圖1至9所描述的方法允許以高精度可再現地構造接觸面410的接觸直徑124。由此得出光電子器件10的正向電壓的良好的可再現性。因為第二層500在半導體晶體100的表面110的所暴露的橫向區域120的容差區域122中實際上不電連接到半導體晶體100上，正向電壓幾乎不受容差區域122的大小影響。在將開口 210安置在第一層200中時所暴露的橫向區域120的所暴露的直徑123因此實際上完全不影響光電子器件10的正向電壓。
[0039]在光電子器件10的運行中在半導體晶體100中產生例如可見光的電磁輻射。通過表面110離開半導體晶體100的電磁福射通過第一層200和第三層600被反射回半導體晶體100中，以便提高光電子器件10的光輸出。
[0040]在接觸面410的區域中從半導體晶體100出射的電磁輻射通過第一表面110至少部分地被吸收。因為在構造接觸面410時能夠幾乎不考慮校準容差，所以接觸面410的接觸直徑124可以比較小地來選擇，使得在接觸面410處吸收的電磁輻射的份額總體上是低的。
[0041]在表面110的所暴露的橫向區域120的容差區域122中從半導體晶體100出射的電磁輻射僅以比在接觸面410的區域中顯著更小的程度被吸收。即使表面110的所暴露的橫向區域120的容差區域122中從半導體晶體100出射的電磁輻射也基本上在第三層600處被反射回半導體晶體100中。由此，光電子器件10的可實現的光輸出很大程度上與容差區域122的大小無關并且因此也與所暴露的橫向區域120的所暴露的直徑123無關。
[0042]根據優選的實施例更詳細地圖解并且描述了本發明。盡管如此，本發明不限于所公開的示例。更確切地說，可以由本領域技術人員從中導出其它的變型方案，而不離開本發明的保護范圍。
[0043]本專利申請要求德國專利申請102013104953.2的優先權，該德國專利申請的公開內容特此通過引用被接納。
【主權項】
1.用于制造光電子器件(10)的方法， 具有以下步驟: -提供具有表面(110)的半導體晶體(100); -將具有電介質的第一層(200)施加到所述表面(I 10)上； -在所述第一層(200 )上施加以及結構化光刻膠層(300 )，其中所述光刻膠層(300 )被結構化，使得所述光刻膠層具有開口(310); -部分地溶解掉所述第一層，以便暴露所述表面(110)的橫向區域(120); -在所述表面(I1)的橫向區域(120、121)中施加具有第一金屬的接觸面(400); -移除所述光刻膠層(300); -施加第二層(500)，所述第二層具有光學透明的、導電的材料； -施加具有第二金屬的第三層(600)。2.根據權利要求1所述的方法， 其中所述光刻膠層(300)具有正性抗蝕劑。3.根據前述權利要求之一所述的方法， 其中部分地溶解掉所述第一層(200 )通過濕化學蝕刻來進行。4.根據權利要求3所述的方法， 其中所述光刻膠層(300)在溶解掉所述第一層(200)期間被部分地欠蝕刻。5.光電子器件(10)， 具有帶有表面(110)的半導體晶體(100)，所述表面具有第一橫向區域(121)、第二橫向區域(122)和第三橫向區域(111)， 其中在所述第一橫向區域(121)中在所述表面(110)上布置有具有第一金屬的接觸面(400)， 其中在所述第三橫向區域(111)中在所述表面(110)上布置有具有電介質的第一層(200)， 其中在所述接觸面(400)、所述第一層(200)和所述表面(110)的第二橫向區域(122)上布置有第二層(500)，所述第二層具有光學透明的、導電的材料， 其中在所述第二層(500 )上布置有具有第二金屬的第三層(600 )。6.根據權利要求5所述的光電子器件(10)， 其中在所述第二層(500)和所述半導體晶體(100)之間的比接觸電阻比在所述接觸面(400)和所述半導體晶體(100)之間的比接觸電阻大至少一個數量級。7.根據權利要求5和6之一所述的光電子器件(10)， 其中所述第二橫向區域(122)至少逐段環形地包圍所述第一橫向區域(121)。8.根據權利要求5至7之一所述的光電子器件(10)， 其中所述第三橫向區域(111)至少逐段環形地包圍所述第二橫向區域(122)。9.根據權利要求5至8之一所述的光電子器件(10)， 其中所述光學透明的、導電的材料是透明的、導電的氧化物。10.根據權利要求5至9之一所述的光電子器件(10)， 其中所述第一金屬和/或所述第二金屬是金或銀。11.根據權利要求5至10之一所述的光電子器件(10)，其中所述電介質具有Si02。
【專利摘要】用于制造光電子器件的方法包括以下步驟：提供具有表面的半導體晶體；將具有電介質的第一層施加到表面上；在第一層上施加以及結構化光刻膠層，其中光刻膠層被結構化，使得光刻膠層具有開口；部分地溶解掉第一層，以便暴露表面的橫向區域；在表面的橫向區域中施加具有第一金屬的接觸面；移除光刻膠層；施加第二層，所述第二層具有光學透明的、導電的材料；以及施加具有第二金屬的第三層。
【IPC分類】H01L33/36
【公開號】CN105229805
【申請號】CN201480027681
【發明人】M.布勒爾, C.克萊姆普, W.施密德
【申請人】奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司
【公開日】2016年1月6日
【申請日】2014年4月24日
【公告號】DE102013104953A1, US20160064610, WO2014183969A1