36]根據本發明的一個變化形式，所述第二納米線由用于金屬的連續或不連續的粘接層覆蓋，該層可以是銅或鋁的。
[0037]根據本發明的一個變化形式，所述發光器件包括絕緣體的不連續層，所述不連續層包封所述納米線的底部，并且位于所述襯底在所述納米線之間的表面上。
[0038]根據本發明的一個變化形式，所述發光器件包括鏡面層，所述鏡面層位于兩個相鄰的納米線之間，該層可以是Al、Ag或Ru的。
[0039]本發明的另一主題是發光器件的制造方法，所述發光器件包括:
[0040]-在襯底的整個表面上的納米線的集合；
[0041]-至少第一納米線的第一系列和第二納米線的第二系列；
[0042]-所述第一系列包括被稱作有源的第一納米線，第一納米線能夠在電控制下發光，所述第一系列在第一類型的電接觸部和第二類型的電接觸部之間連接，以便使得所述器件能夠在電控制下發光，所述第一納米線由至少一個在所述發光器件的發光波長上透明的導電層覆蓋，所述層與所述第一類型的電接觸部接觸；
[0043]-所述第二系列包括被稱作接觸納米線的第二納米線，第二納米線被包封在金屬層內，所述金屬層使得所述第一類型的電接觸部能夠形成；
[0044]-第二類型的電接觸部，其位于所述襯底的背面，所述背面對著包括所述納米線的面，并且設置了至少面對納米線的所述第一系列的導電層；
[0045]所述方法的特征在于，其包括以下步驟:
[0046]-在襯底的整個表面上生長納米線；
[0047]-在所述納米線中的至少部分的表面上沉積導電層，所述導電層在發光器件的工作波長是透明的；
[0048]-通過金屬層局部包封構成所述第二納米線的納米線的子集，使得所述第一類型的電接觸部能夠形成，所述第二納米線被稱為接觸納米線；
[0049]-通過至少面對納米線的所述第一系列的導電層，在襯底的背面上形成第二類型的接觸部。
[0050]根據本發明的一個變化形式，所述方法包括:
[0051]-在第一納米線的至少兩個第一子組的表面上形成厚的光刻膠圖案，留下第二納米線的至少第二子組不被所述光刻膠覆蓋；
[0052]-在所述第二納米線的表面上沉積金屬層，以便提供第一類型的電接觸部；
[0053]-從所述第一納米線移除所述光刻膠圖案。
[0054]根據本發明的一個變化形式，所述方法包括，利用掩模通過絲網印刷在所述第二納米線的表面上沉積金屬層，以便提供第一類型的電接觸部，該金屬層可以是金屬油墨。
[0055]根據本發明的一個變化形式，所述方法包括在所述金屬層的表面上形成導電接線部的步驟。
[0056]根據本發明的一個變化形式，所述方法包括，利用分液器在所述第二納米線的表面上局部沉積金屬層，以便提供第一類型的電接觸部。
[0057]根據本發明的一個變化形式，所述方法包括，通過噴墨在所述第二納米線的表面上局部沉積金屬層，以便提供第一類型的電接觸部。
[0058]根據本發明的一個變化形式，所述方法包括從位于所述第一納米線和第二納米線的外圍周圍的納米線移除導電層的步驟，從而限定第三納米線的第三系列，所述導電層在所述發光器件的發光波長是透明的。
[0059]根據本發明的一個變化形式，金屬層的沉積和/或導電接線部的形成是通過電鍍操作進行的。
[0060]根據本發明的一個變化形式，所述方法包括在兩個相鄰的納米線之間沉積鏡面層，所述沉積在所述透明的導電層的沉積之前或之后進行。
[0061]當通過電鍍形成金屬層時:
[0062]-根據本發明的一個變化形式，所述方法包括沉積至少一個粘接層，所述粘接層被設計為用于所述金屬的粘接，其中所述沉積可以以下述方式實施:
[0063]ο以連續的方式在全部的所述納米線上以及在兩個相鄰的納米線之間的所述襯底上沉積，或者；
[0064]ο以不連續的方式在所述納米線的端部以及在兩個相鄰的納米線之間的所述襯底上沉積，或者；
[0065]ο在兩個相鄰的納米線之間的所述襯底上沉積。
[0066]-根據本發明的一個變化形式，所述方法包括含銅或鋁的層的沉積，所述含銅或鋁的層可以有益地沉積在預先沉積的含鈦薄層上；
[0067]-根據本發明的一個變化形式，所述方法包括將所述粘接層從所述第三納米線或從所述第三納米線和所述第一納米線移除的操作。
【附圖說明】
[0068]通過閱讀隨后由非限制性示例的方式呈現的描述并且根據所附附圖，將更好地理解本發明，并且本發明的其他優點將變得明顯，在附圖中:
[0069]-圖1示出了根據現有技術的包括納米線的LED的第一示例；
[0070]-圖2示出了根據現有技術的包括納米線的LED的第二示例；
[0071]-圖3顯示了現有技術的配置的納米線的集合的照片，所述納米線的集合通過沒有進行生長的區域分開，在所述沒有進行生長的區域中存在缺陷；
[0072]-圖4a至圖4i示出了本發明的發光器件的制造方法的一個示例的各個步驟；
[0073]-圖5示出了在位于第一納米線NTia與第三納米線NTin之間的納米線NTi。的集合的表面上的厚接觸層的配置的一個示例。
[0074]-圖6示出了安裝到殼體上的根據本發明的器件的一個示例的整體視圖。
[0075]-圖7a至圖7d示出了本發明的發光器件的制造方法的第二示例的各個步驟；
[0076]-圖8a和圖Sb示出了本發明的發光器件的制造方法的第三示例的步驟。
【具體實施方式】
[0077]概括而言，本發明的發光器件包括襯底，所述襯底在其整個表面上覆蓋有納米線，從而不留下在納米線的形成期間可能生長缺陷的開口區域。因而，根據本發明，即使是專用于使得納米線能夠受到控制的接觸部的區域也使用了特定納米線的上表面。
[0078]借助能夠獲得本發明的器件的制造方法的步驟，下文將更加詳細地描述本發明。各個步驟通過圖4a至圖4i示出。
[0079]步驟I,示出于圖4a:
[0080]從襯底100開始，納米線見^的生長在該襯底的整體上進行，有益地，襯底可以由硅制備。
[0081]步驟2,示出于圖4b:
[0082]之后利用電介質進行層200的沉積，使得納米線部分地受到包封，所述電介質一般可以是Si02、A1203、HfO2S Si xNy，其中X和y是摩爾分數。
[0083]步驟3,示出于圖4c:
[0084]進行導電層300的沉積，所述導電層在發光器件的工作波長是透明的。一般而言，該層可以沉積到鎳、鈀或鉑的幾納米(5nm)厚的第一層上。透明導電層可以是厚度在十至一百納米的量級的ΙΤ0。透明導電層可以等效地是FT0、AZ0或GZ0。
[0085]為了將光束向芯片的頂部進行重定向，有益地，還可以進行鏡面結構400的沉積，其中，該鏡面結構可以在透明導電層的沉積之前或之后進行沉積。該鏡面結構可以是Ti/Al式、Ti/Ag式或Ti/Ru式的雙層結構。圖4c示出了各個替選方式。
[0086]步驟4,示出于圖4d:
[0087]進行用于厚金屬的粘接層結構500的沉積，粘接層結構500被設計為使得能夠制作接觸部。該結構可以例如包括鈦的厚度在10nm的量級的第一層以及銅的400nm的量級的層，并且該結構可以通過PVD工藝獲得。該雙層結構可以在全部納米線以及納米線之間的空隙上形成，或者以不連續的方式形成。圖4d示出了這些不同的可能形式，這些可能形式可以通過調整雙層的厚度或通過刻蝕而獲得。
[0088]該雙層結構也可以通過下述沉積形成:使用PVD、CVD、蒸發工藝或濺射工藝，TiN或Ti的第一層在Cu或Al的第二層之下。
[0089]步驟5,示出于圖4e:
[0090]進行光刻膠圖案600的光刻，對光刻膠圖案進行的光刻使得隨