一種vdmos器件及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種VDMOS器件及其制作方法。
【背景技術】
[0002]在現有的對平面型垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場效應晶體管(VDMOS)器件的P+區域的制作工藝中，在源區制作完成以后，在多晶硅的上面淀積一層氧化層或者氮化硅層，作為多晶硅側壁上的隔離側墻，利用側墻進行P+區域的注入形成深體區，現有的VDMOS器件的制作工藝示意如圖1-圖7所示。
[0003]現有技術的不足之處在于:在對VDMOS器件的多晶硅層進行刻蝕時，可能會刻蝕掉一部分的柵氧化層，容易對柵氧化層產生離子損傷，進而影響柵氧化層的抗擊穿能力。
【發明內容】
[0004]為克服上述缺陷，本發明提供一種VDMOS器件及其制作方法。
[0005]第一方面，本發明實施例提供一種VDMOS器件的制作方法，所述方法包括:
[0006]刻蝕多晶硅層，形成所述VDMOS器件的元胞區，其中，所述多晶硅層形成在柵氧化層上，所述柵氧化層形成在外延層上；
[0007]注入第一離子，在所述元胞區的外延層形成體區；
[0008]通入氧氣，在所述體區的表面上生長第一氧化層；
[0009]注入第二離子，在所述元胞區的外延層的第一預定區域形成源區；
[0010]注入第一離子，在所述體區對應的外延層形成深體區。
[0011 ] 優選地，在所述通入氧氣，在所述體區的表面上生長第一氧化層步驟中，所述方法還包括:
[0012]在所述多晶硅層側壁表面生長作為隔離側墻的第二氧化層。
[0013]優選地，在所述注入第一離子，在所述體區對應的外延層形成深體區的步驟中:
[0014]注入第一離子，利用所述多晶硅層側壁表面的所述第二氧化層對第一離子進行阻擋，在所述體區的外延層的第二預定區域形成深體區。
[0015]優選地，在所述方法中，所述通入氧氣，在所述體區的表面上生長第一氧化層的步驟與所述注入第一離子，在所述元胞區的外延層形成體區步驟同時執行。
[0016]優選地，所述方法還包括:在所述第一氧化層上生長介質層，刻蝕形成各接觸孔后制作金屬層，形成所述VDMOS器件。
[0017]優選地，所述第一離子為N型離子、所述第二離子為P型離子，或者所述第一離子為P型離子、所述第二離子為N型離子。
[0018]優選地，所述外延層為N型外延層、所述第一離子為硼離子、所述第二離子為磷離子、所述體區為P-體區、所述深體區為P+區；或者，所述外延層為P型外延層、所述第一離子為磷離子、所述第二離子為硼離子、所述體區為N-體區、所述深體區為N+區。
[0019]第二方面本發明實施例提供一種VDMOS器件，采用上述VDMOS器件的制作方法制作。
[0020]本發明實施例提供的VDMOS器件及其制作方法，通過在所述體區的表面上生長第一氧化層，修復了多晶硅刻蝕時對柵極氧化層的損傷，保證了柵氧化層的抗擊穿能力。
【附圖說明】
[0021]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0022]圖1表示現有的VDMOS器件的P+區域的制作工藝示意圖1。
[0023]圖2表示現有的VDMOS器件的P+區域的制作工藝示意圖2。
[0024]圖3表示現有的VDMOS器件的P+區域的制作工藝示意圖3。
[0025]圖4表示現有的VDMOS器件的P+區域的制作工藝示意圖4。
[0026]圖5表示現有的VDMOS器件的P+區域的制作工藝示意圖5。
[0027]圖6表示現有的VDMOS器件的P+區域的制作工藝示意圖6。
[0028]圖7表示現有的VDMOS器件的P+區域的制作工藝示意圖7。
[0029]圖8表示VDMOS器件的制作方法的實施例流程圖。
[0030]圖9表示VDMOS器件的制作方法的又一實施例流程圖。
[0031]圖10表示VDMOS器件的制作方法的又一實施例的制作工藝示意圖1。
[0032]圖11表示VDMOS器件的制作方法的又一實施例的制作工藝示意圖2。
[0033]圖12表示VDMOS器件的制作方法的又一實施例的制作工藝示意圖3。
[0034]圖13表示VDMOS器件的制作方法的又一實施例的制作工藝示意圖4。
[0035]圖14表示VDMOS器件的制作方法的又一實施例的制作工藝示意圖5。
[0036]圖15表示VDMOS器件的制作方法的又一實施例的制作工藝示意圖6。
[0037]圖16表示VDMOS器件的制作方法的又一實施例的制作工藝示意圖7。
[0038]圖17表示VDMOS器件的制作方法的又一實施例的制作工藝示意圖8。
【具體實施方式】
[0039]為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0040]VDMOS器件的制作方法的實施例流程圖如圖8所示，所述方法包括:
[0041]步驟100.刻蝕多晶硅層，形成所述VDMOS器件的元胞區，其中，所述多晶硅層形成在柵氧化層上，所述柵氧化層形成在外延層上；
[0042]步驟101.注入第一離子，在所述元胞區的外延層形成體區；
[0043]步驟102.通入氧氣，在所述體區的表面上生長第一氧化層；
[0044]步驟103.注入第二離子，在所述元胞區的外延層的第一預定區域形成源區；
[0045]步驟104.注入第一離子，在所述體區對應的外延層形成深體區。
[0046]通過上述操作，修復了多晶硅刻蝕時對柵極氧化層的損傷，保證了柵氧化層的抗擊穿能力。
[0047]在現有的VDMOS器件制作流程中，在VDMOS器件的源區制作完成以后，需要單獨的步驟進行作為隔離側墻的氮化硅層的淀積，在對氮化硅層的淀積完成后，才能在元胞區的外延層形成深體區，造成VDMOS器件的制作流程過于復雜，增加了 VDMOS器件的制作成本。
[0048]在本實施例中，具體地，在所述通入氧氣，在所述體區的表面上生長第一氧化層步驟中，所述方法還包括:
[0049]在所述多晶硅層側壁表面生長作為隔離側墻的第二氧化層。
[0050]進一步地，在所述注入第一離子，在所述體區對應的外延層形成深體區的步驟中:
[0051]注入第一離子，利用所述多晶硅層側壁表面的所述第二氧化層對第一離子進行阻擋，在所述體區的外延層的第二預定區域形成深體區。
[0052]通過上述的操作，無需對作為隔離側墻的氮化硅層進行淀積，利用之前在所述多晶硅層側壁表面的第二氧化層對第一離子進行阻擋，在VDMOS器件的源區制作完成以后直接在元胞區的外延層形成深體區，簡化了 VDMOS器件的制作流程，降低了 VDMOS器件的制作成本。
[0053]可選地，在本實施例所述的方法中，所述通入氧氣，在所述體區的表面上生長第一氧化層的步驟與所述注入第一離子，在所述元胞區的外延層形成體區步驟同時執行