用于快速提升染污復合外絕緣電力設備表面憎水性的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種用于快速提升染污復合外絕緣電力設備表面憎水性的方法，屬于高壓外絕緣技術領域。
【背景技術】
[0002]在電力系統中，自然環境污穢較為嚴重的地區廣泛使用復合絕緣子以防止污閃事故。復合絕緣子具有優異耐污性能的主要原因，在于其傘群護套由硅橡膠材料制成。硅橡膠材料表面具有的憎水性和憎水迀移特性，使得其在表面積污后，其憎水性能夠迀移至污層表面，即使在大霧、小雨、露、溶雪、溶冰等惡劣氣象條件下，復合絕緣子表面也能形成分離的水珠而不是連續的水膜，導致污層電導很低，因此泄漏電流很小，不易發生強烈的局部電弧，局部電弧也難以進一步發展導致外絕緣閃絡。
[0003]然而，積污較為嚴重的復合絕緣子其自身的憎水迀移性也會存在憎水性喪失的情況。研究表面在某些特定污穢，例如高嶺土，以及低溫、高濕環境條件下硅橡膠材料的滋生憎水迀移速率會大大降低，甚至會出現完全迀移不出來的情況。絕緣子表面憎水性下降會極大地降低線路絕緣耐受電壓，嚴重威脅電網的安全穩定。而現如今針對這樣的情況，采用的應對方法多為大面積更換易產生污閃事故的復合絕緣子，該方法雖然較為及時有效，但是經濟性較差，并且在一定運行時段后仍然會出現類似問題。因此尋求如何快速提高或恢復染污硅橡膠材料表面憎水性或許成為一個新的選擇。
【發明內容】
[0004]為解決現有技術問題，本發明提出一種用于快速提升染污復合外絕緣電力設備表面憎水性的方法，采用低溫等離子體射流處理、人工水槍清洗、RTV室溫硫化硅橡膠涂覆等處理方法提升表面憎水性。
[0005]為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案為:
[0006]用于快速提升染污復合外絕緣電力設備表面憎水性的方法，包括以下步驟:
[0007](I)采用定量涂刷法對復合絕緣子涂覆人工污穢懸濁液；
[0008](2)采用噴水分級法表征人工染污后的復合絕緣子表面憎水性；
[0009](3)采用低溫等離子體射流處理所述步驟(2)染污后的復合絕緣子；
[0010](4)采用自來水槍沖洗處理經所述步驟(2)染污后的復合絕緣子；
[0011](5)采用RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法處理經所述步驟(2)染污后的復合絕緣子;
[0012](6)采用噴水分級法分別表征經所述步驟(3)、(4)、(5)處理后的染污復合絕緣子表面憎水性。
[0013]前述的步驟(I)中的復合絕緣子采用輸電線路用復合絕緣子。
[0014]前述的步驟(I)的污穢懸濁液采用鹽密度作為污穢度衡量準則，人工污穢鹽密度設定值為0.05mg/cm2,0.lmg/cm2,0.2mg/cm2，灰密度設置為鹽密度的10倍配比。
[0015]前述的步驟(I)中復合絕緣子在染污后自然迀移7天后再進行后面的處理。
[0016]前述的步驟(3)中進行低溫等離子體射流處理所采用的處理系統包括空氣高壓等離子體射流系統以及氦氣低溫等離子體射流系統；所述低溫等離子體射流處理系統調節范圍為:輸出電壓幅值O?20kV ;輸出頻率O?6kHz ;氣體流速:空氣O?100m/s，99.99%氦氣O?20m3/h ;輸出最大等離子體距離:0?60mm ;放電形式:高壓高頻交流信號促發的介質阻擋放電；所述進行低溫等離子體射流處理的方法為:通過調節低溫等離子體射流處理系統的電壓、頻率，使其產生恒定的低溫等離子體射流，采用自上而下的手持處理方式將染污復合絕緣子傘裙表面完全處理；所述復合絕緣子的每片傘裙間距為40mm，每片傘裙處理時間設定為5s。
[0017]前述的步驟(4)中，采用自來水槍沖洗的方式進行處理，所用沖洗水源為:電導率低于1200 μ S/cm的自來水；自來水槍噴射壓力為:0?20MPa ;水槍出口處理直徑為:8mm ；所述進行來水槍沖洗的處理方法為:通過調節恒定壓力的自來水槍自上而下對染污后的復合絕緣子進行高壓水沖洗處理；所述復合絕緣子的每片傘裙處理時間設定為2s，水槍噴頭間距染污復合絕緣子5m。
[0018]前述的步驟(5)中，采用RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法處理的方法為:采用高壓噴槍將RTV室溫硫化硅橡膠快速均勻涂覆至染污后的復合絕緣子表面，采用自上而下的處理順序對染污后的復合絕緣子進行RTV涂覆；所述噴槍壓力:0?5MPa ;噴槍處理直徑:2cm ;噴槍噴頭間距染污復合絕緣子:10cm ;所述復合絕緣子的每片傘裙處理時間設定為8s，涂覆后RTV薄層厚度要求〈1mm。
[0019]前述的步驟(2)和步驟(6)采用噴水分級法表征處理前、后染污復合絕緣子表面憎水性的方法為:對干燥的復合絕緣子表面采用恒定出水量的水壺噴水，選取復合絕緣子上表面內側、上表面外側、下表面內側、下表面外側拍照，依據噴水分級劃分標準對典型區域予以定性分析，劃分等級。
[0020]本發明的有益效果為:本發明在已有提升技術上提出了放電等離子體處理的處理方法，并將其應用于實際復合絕緣子，該方法的順利推行有助于為電網防治污閃提供行之有效的解決方案。
【附圖說明】
[0021]圖1是本發明方法的流程示意圖；
[0022]圖2是本發明方法處理前后效果圖；(a)為處理前噴水分級法顯示染污復合絕緣子表面，(b)為經低溫等離子體射流處理后的噴水分級法顯示染污復合絕緣子表面。
【具體實施方式】
[0023]在不破壞復合絕緣子內在性能的基礎上，本發明提出了一種快速提高染污復合絕緣子表面憎水性的方法，采用低溫等離子體射流處理、人工水槍清洗RTV室溫硫化硅橡膠涂覆等處理方法提升表面憎水性。低溫等離子體射流處理應用在提升染污硅橡膠材料表面憎水性上的優勢已經初見端倪，但是將其移植到實際染污復合絕緣子上仍然未見報道，同時通過與常用的人工水槍清洗方式、RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法進行對比，可以分析得到最優化處理方式。本發明從人工涂污方法、等離子體射流處理、人工水槍清洗處理方法、RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法以及處理前后的憎水性表面狀態表征等角度考察了該方法應用于實際染污復合絕緣子處理過程中的可能性。
[0024]本發明的快速提高染污復合絕緣子表面憎水性的方法，包括以下步驟:
[0025](I)采用定量涂刷法對復合絕緣子涂覆人工污穢懸濁液；
[0026](2)采用噴水分級法表征人工染污后的復合絕緣子表面憎水性；
[0027](3)采用低溫等離子體射流處理經步驟(2)染污后的復合絕緣子；
[0028](4)采用自來水槍沖洗處理經步驟(2)染污的復合絕緣子；
[0029](5)采用RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法處理經步驟(2)染污的復合絕緣子；
[0030](6)采用噴水分級法分別表征經低溫等離子體射流處理、自來水槍沖洗處理、RTV室溫硫化硅橡膠涂覆方法處理后的復合絕緣子表面憎水性。
[0031]本發明的復合絕緣子，依據國家標準DL/T 859-2004高壓交流系統用復合絕緣子人工污穢實驗選擇，所采用的復合絕緣子為輸電線路用復合絕緣子。
[0032]步驟(I)中采用的人工污穢懸濁液為某電瓷廠生產的憎水迀移性能較差的高嶺土。采用的可溶性鹽為商業純氯化鈉，選用電導率低于1200 μ S/cm的自來水作為混合液體。
[0033]本發明的步驟(I)中采用定量涂刷法作為涂污方法，設定鹽密度作為污穢度衡量準則，人工污穢鹽密度設定值為0.05mg