一種硅基oled顯示像素的制備方法
【技術領域】
[0001] 本發明屬于有機發光顯示技術領域，具體地說涉及一種硅基OLED顯示像素的制 備方法。
【背景技術】
[0002] 隨著多媒體技術的發展對平板顯示設備性能的要求越來越高，近年發展出以下三 種主要顯示技術：等離子顯示器、場發射顯示器和有機電致發光顯示器。其中有機電致發光 顯示器是基于有機發光二極管（Organic Light Emitting Diode，簡稱0LED)制得的顯示設 備，其具有反應速度快、對比度高、視角廣等特點。此外，OLED面板具有自發光的特點，不需 要使用背光板，因此節約了背光模塊的成本，并且比傳統液晶面板做的更輕薄。
[0003] 顯示器全彩色技術是顯示行業的核心技術，許多全彩色化技術也應用到了有機發 光顯示器上。通常有下面三種表現形式：RGB像素獨立發光，光色轉換（Color Conversion) 和彩色濾光膜（Color Filter) AGB像素獨立發光結構為三色像素直接發光結構，發光能量 無過濾層損失，RGB三色有機發光材料有電流發光效率上的差異，通過不同面積比例的RGB 像素搭配能夠消除這種差異，減少顯示圖像色偏，同時可以擴大顯示色域。
[0004] 現有技術中RGB三種顏色像素區尺寸精度和定位精度難于精確控制，導致混色比 不夠合理，從而圖像顏色產生偏差、失真。
【發明內容】
[0005] 為此，本發明所要解決的技術問題在于現有OLED顯示裝備中RGB像素區尺寸精度 和定位精度不足，導致混色比不合理，顯示器圖像顏色失真，從而提出一種RGB像素區配比 精度高、混色比合理的硅基OLED顯示像素的制備方法。
[0006] 為解決上述技術問題，本發明提供了一種硅基OLED顯示像素的制備方法，其包括 像素背板工藝和有機發光層工藝，其中所述像素背板工藝包括：
[0007] (1)對基片進行金屬電極層鍍膜，所述鍍膜為在金屬電極上依次制作Ti/Al/Pt三 層金屬堆疊電極，得到金屬電極層；
[0008] (2)涂光刻膠，在所述金屬電極層上涂覆光刻膠；
[0009] (3)曝光，將步驟（2)中涂覆有光刻膠的基片在曝光機上曝光；
[0010] (4)顯影，將步驟（3)中曝光后的基片低轉速下旋轉噴灑顯影液，然后純水沖洗， 并在高轉速下甩干；
[0011] (5)刻蝕，除去無光刻膠覆蓋部分的金屬電極層；
[0012] (6)清洗，首先將步驟（5)中經過刻蝕的半成品采用N-甲基吡咯烷酮液體浸泡，然 后用去離子水浸泡清洗，清洗后高速甩干，再烘干；
[0013] (7)真空退火，將步驟（6)中清洗烘干后的半成品在真空熱板上放置，即得到具有 精細像素電極的娃基背板半成品；
[0014] 所述有機發光層工藝包括：
[0015] (8)有機遮罩對位校準，將步驟（7)中得到的具有精細像素電極的硅基背板半成 品在有機鍍膜機臺上在xy方向上與刻蝕圖樣進行CCD圖像對位重合；
[0016] (9)三次有機蒸鍍，分別在所述像素電極上蒸鍍紅、綠、藍三色有機發光像素單 元；
[0017] (10) ITO鍍膜，在步驟（9)得到的有機發光像素表面鍍ITO膜；
[0018] (11)阻隔層鍍膜，在步驟（10)中得到ITO膜的上表面制作厚度Al2O 3阻隔層，即 得到具有紅、綠、藍三基色有機發光像素單元的背板結構。
[0019] 所述的硅基OLED顯示像素的制備方法，所述步驟（2)中，所述有機遮罩的開口尺 寸小于所述有機發光像素電極的尺寸，所述光刻膠厚度為2300-27〇〇A。
[0020] 優選的，所述步驟（9)中，每次蒸鍍前需要進行有機遮罩對位校準。
[0021] 優選的，完成步驟（9)所述的蒸鍍后，在所述有機發光像素單元表面蒸鍍一層Mg/ Ag膜，所述Mg/Ag膜厚度為50-350 & Mg層和Ag層蒸鍍速率比為10:0. 5。
[0022] 優選的，所述曝步驟（3)曝光前包括前烘烤的步驟，所述步驟（4)顯影之后包括后 烘烤的步驟。
[0023] 優選的，所述有機發光像素單元由下至上依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、主體 發光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0024] 優選的，所述Ti/Al/Pt三層金屬堆疊電極中，Ti層、Al層和Pt層厚度分別為 迦〇4、 500Jl和_又，三層金屬的鍍膜速率分別為Ti層1.5又/8, Al層Pt層 IA^fSo
[0025] 優選的，所述像素電極單邊尺寸小于I ym時，所述步驟（2)中所述光刻膠上下表 面還要分別涂敷頂部抗反射膜和底部抗反射膜。
[0026] 優選的，所述有機遮罩在z方向上與所述基片間留有0. 7 ym的空隙。
[0027] 優選的，所述步驟（10)中ITO鍍膜采用磁控濺射鍍膜設備，靶材為摻雜10% In2O3 的 Sn02。
[0028] 優選的，所述的硅基OLED顯示像素的制備方法，所述步驟（11)中，Al2O 3阻隔層厚 度為2400-2600Aa
[0029] 本發明的上述技術方案相比現有技術具有以下優點，本發明所述的硅基OLED顯 示像素的制備方法，包括像素背板工藝和有機發光層工藝，所述像素背板工藝通過金屬電 極層鍍膜、涂光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、清洗、真空退火形成了精細的像素結構，為輸入信號 提供了接入點，利用真空環境退火改善了底層電極的性能，降低了電極的方塊電阻，提高了 不同區域電極電阻率的一致性，從而提高了器件整體發光的亮度一致性。所述有機發光層 工藝中，在每次蒸鍍有機發光像素單元前均進行有機遮罩對位校準，有機遮罩在xy方向上 與像素背板工藝中制作的像素電極精確對準，且有機遮罩的開口尺寸略小于像素電極的尺 寸，避免了不同像素單元間鍍膜竄擾，有機遮罩在z方向上與像素電極間留有空隙，防止了 對像素電極或對已蒸鍍的像素單元造成污染。同時由于制得的有機發光像素單元尺寸和定 位精確，三種顏色的混色比優異，使得圖像顏色正常、不失真。
【附圖說明】
[0030] 為了使本發明的內容更容易被清楚的理解，下面根據本發明的具體實施例并結合 附圖，對本發明作進一步詳細的說明，其中
[0031] 圖1是本發明所述的硅基OLED顯示像素的制備方法中像素背板工藝的流程圖。
【具體實施方式】
[0032] 實施例
[0033] 如圖1所示，本實施例提供了一種硅基OLED顯示像素的制備方法，其包括像素背 板工藝和有機發光層工藝，其中所述像素背板工藝包括：
[0034] (1)對單晶硅基片進行金屬電極層鍍膜，鍍膜前進行基片預處理：將所述單晶硅 基片在超聲清洗設備中于80°C下用去離子水超聲清洗2min，然后將所述基片在1500rpm/ min的轉速下采用去離子水沖洗lmin，清洗后以2500rpm的轉速高速甩干lmin，再進入氮氣 保護烘箱，烘烤3min。使用磁控濺射鍍膜設備，依次制作Ti/Al/Pt三層金屬堆疊電極，厚 度分別為2〇〇1、500: 和60人，鍍膜速率為、 3i/S和1人/s，得到金屬電極 層；
[0035] (2)涂光刻膠，在所述金屬電極層上涂覆一層光刻膠，所述光刻膠厚度為 2300-2700 A，本實施例中為2500人，所述光刻膠為FUTURREX公司的NR9-3000PY型負性 光刻膠，涂覆時，涂膠盤轉速為3300rpm，涂覆時間為40s ;
[0036] (3)前烘烤，將步驟（2)中得到的涂覆有光刻膠的基片在氮氣保護熱盤上于80°C 下烘烤3min，然后自然冷卻到室溫。
[0037] (4)曝光，將步驟（3)中經過前烘烤的基片在I-Iine曝光機上以280mJ/cm2曝光 能量曝光IOOms ;
[0038] (5)顯影，將步驟⑷