一種電極、薄膜晶體管、陣列基板及顯示設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示設備領域，特別涉及一種電極、薄膜晶體管、陣列基板及顯示設備。
【背景技術】
[0002]LCD (Liquid Crystal Display，液晶顯不器)和 OLED (Organic Light EmittingDisplay，有機發光顯示器)因具有輕、薄、功耗低、亮度高以及畫質高等優點，在平板顯示領域占據了重要的地位。其中，LCD和OLED上的液晶像素點通過集成在其后的薄膜晶體管來驅動。薄膜晶體管包括源極、柵極和漏極三個電極，源極和漏極的電阻的大小會影響顯示器的圖像信號的傳輸速度和畫質質量。
[0003]目前薄膜晶體管的源極和漏極的主流材料均為鋁合金，薄膜晶體管的源極和漏極的電阻較大，顯示器的圖像信號傳輸速度不穩定，畫質質量較差，且為了避免這種情況，通常在薄膜晶體管兩側安裝驅動電路來驅動電極，但這樣會導致薄膜晶體管的制造成本增加。
【發明內容】
[0004]為了解決現有技術的薄膜晶體管的源極和漏極的電阻較大，顯示器的圖像信號傳輸速度不穩定，畫質質量較差，且為了避免這種情況在薄膜晶體管兩側安裝驅動電路來驅動電極又會使薄膜晶體管的制造成本增加的問題，本發明實施例提供了一種電極、薄膜晶體管、陣列基板及顯示設備。所述技術方案如下:
[0005]根據本發明的第一方面，提供了一種電極，所述電極包括銅電極、擴散阻擋層和刻蝕保護層；
[0006]所述擴散阻擋層和所述刻蝕保護層分別設置在所述銅電極的兩側，且所述擴散阻擋層和所述刻蝕保護層均由鋅基氮氧化物制成。
[0007]進一步地，所述鋅基氮氧化物中摻雜金屬元素或非金屬元素。
[0008]具體地，所述金屬元素為銦、鎵、錫、鉿、鋁、鈦、錳或鎂中的一種或幾種。
[0009]具體地，所述非金屬元素為硫、氟、氯或碳中的一種或幾種。
[0010]具體地，所述擴散阻擋層和所述刻蝕保護層的厚度在2納米至100納米之間。
[0011]具體地，所述擴散阻擋層與銅的刻蝕選擇比在5:1?100:1之間。
[0012]具體地，所述銅電極采用半色調光技術進行圖形化處理。
[0013]根據本發明的第二方面，提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的源極和漏極為所述電極，且所述源極及所述漏極的擴散阻擋層與所述薄膜晶體管的溝道層接觸。
[0014]進一步地，所述薄膜晶體管為底柵結構或頂柵結構。
[0015]具體地，所述溝道層為氧化物溝道層。
[0016]根據本發明的第三方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括所述薄膜晶體管。
[0017]根據本發明的第四方面，提供了一種顯示設備，所述顯示設備包括所述陣列基板。
[0018]本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0019]本發明中的電極包括銅電極、擴散阻擋層和刻蝕保護層，使用該電極作為薄膜晶體管的源極和漏極，可減小薄膜晶體管的源極和漏極的電阻，保證顯示器的圖像信號傳輸速度穩定，且畫質質量高，避免在薄膜晶體管兩側均安裝驅動電路來驅動電極，降低薄膜晶體管的制造成本；且本發明通過擴散阻擋層和刻蝕保護層分別設置在銅電極的兩側，擴散阻擋層和刻蝕保護層均由鋅基氮氧化物制成，從而避免銅電極的銅原子擴散，減少銅電極的過刻量，且減少銅原子擴散對薄膜晶體管的溝道層造成的破壞，省去柵極絕緣層的曝光工藝，縮短加工周期，從而降低薄膜晶體管的制造成本。
【附圖說明】
[0020]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1是本發明一實施例提供的電極的結構示意圖；
[0022]圖2是本發明又一實施例提供的底柵結構的薄膜晶體管的結構示意圖；
[0023]圖3是本發明又一實施例提供的底柵結構的薄膜晶體管的結構示意圖；
[0024]圖4是本發明又一實施例提供的頂柵結構的薄膜晶體管的結構示意圖；
[0025]圖5是本發明又一實施例提供的頂柵結構的薄膜晶體管的結構示意圖。
[0026]其中:
[0027]I銅電極，
[0028]2擴散阻擋層，
[0029]3刻蝕保護層，
[0030]4 源極，
[0031]5 漏極，
[0032]6溝道層，
[0033]7 基板，
[0034]8 柵極，
[0035]9柵極絕緣層，
[0036]10保護層。
【具體實施方式】
[0037]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
[0038]實施例一
[0039]如圖1所示，本發明實施例提供了一種電極，該電極包括銅電極1、擴散阻擋層2和刻蝕保護層3 ;
[0040]擴散阻擋層2和刻蝕保護層3分別設置在銅電極I的兩側，且擴散阻擋層2和刻蝕保護層3均由鋅基氮氧化物制成。
[0041]本發明中的電極包括銅電極1、擴散阻擋層2和刻蝕保護層3，如圖2所示，使用該電極作為薄膜晶體管的源極4和漏極5，可減小薄膜晶體管的源極4和漏極5的電阻，保證顯示器的圖像信號傳輸速度穩定，且畫質質量高，避免在薄膜晶體管兩側均安裝驅動電路來驅動電極，降低薄膜晶體管的制造成本；且本發明通過擴散阻擋層2和刻蝕保護層3分別設置在銅電極I的兩側，擴散阻擋層2和刻蝕保護層3均由鋅基氮氧化物制成，從而避免銅電極I的銅原子擴散，減少銅電極I的過刻量，且減少銅原子擴散對薄膜晶體管的溝道層6造成的破壞，省去柵極絕緣層9的曝光工藝，縮短加工周期，降低薄膜晶體管的制造成本。
[0042]其中，鋅基氮氧化物是指在氮氧化物中摻雜鋅元素，鋅基氮氧化物具有優秀的防干刻能力、較強的抗銅原子迀移能力和較快的刻蝕速率，其中，用于制作擴散阻擋層2和刻蝕保護層3的鋅基氮氧化物中摻雜的鋅元素的比例影響擴散阻擋層2和刻蝕保護層4與銅電極I的刻蝕選擇比。在本發明實施例中，擴散阻擋層2與銅的刻蝕選擇比在5:1?100:1之間。當然，本領域技術人員可知，鋅基氮氧化物也可為其他具備優秀防干刻能力、較強抗銅原子迀移能力和較快刻蝕速率的金屬基的非金屬氧化物。
[0043]在本發明實施例中，鋅基氮氧化物中可以摻雜金屬元素或非金屬元素。其中，鋅基氮氧化物中可以摻雜的金屬元素為銦、鎵、錫、鉿、鋁、鈦、錳或鎂中的一種或幾種，鋅基氮氧化物中可以摻雜的非金屬元素為硫、氟、氯或碳中的一種或幾種。其中，鋅基氮氧化物中摻雜的金屬元素或非金屬元素的種類及摻雜比例以能保證擴散阻擋層2和刻蝕保護層3的防干刻能力、抗銅原子迀移能力和刻蝕速率為準。
[0044]在本發明實施例中，銅電極I采用半色調光技術進行圖形化處理，具體地，銅電極I采用半色調光技術形成在溝道層6上，其中，擴散阻擋層2和刻蝕保護層3的厚度在2納米至100納米之間。
[0045]實施例二
[0046]如圖2所示，本發明實施例提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管的源極4和漏極5為實施例一中所述的電極，且源極4及漏極5的擴散阻擋層2與薄膜晶體管的溝道層6接觸。
[0047]由于本實施例中的電極包含了實施例一中的全部內容