一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板、及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]陣列基板中的薄膜晶體管是關鍵器件，由于薄膜晶體管所在區域不透光，因此希望薄膜晶體管在整個陣列基板中所占區域的面積要小，相應的有源區的設計逐漸縮小。
[0003]發明人發現現有技術中至少存在如下問題:如圖1、2所示，有源區是半導體材料層4經刻蝕形成的，刻蝕中被光刻膠5覆蓋的部分保留下來即為有源區，由于有源區的尺寸小，故在對半導體材料層4上的光刻膠5進行曝光顯影后，剩余光刻膠5與基板I接觸的面積小，導致在顯影工藝中，較小的光刻膠5十分容易脫落，脫落后會造成刻蝕有源區時有源區開裂，進而導致像素不良。當然，圖1中還包括掩膜板6，圖1、圖2中還包括柵極2、柵極絕緣層3等其他常規結構，在此不再詳細描述。
[0004]此外，現有技術中，原本在涂覆光刻膠前應該有對基板I清洗的步驟，以除去基板I上(或者說有源區上)的污染物，改善薄膜晶體管的質量，但是清洗基板I后再涂覆光刻膠5，光刻膠5的粘附性更差，光刻膠5更容易脫落，不得已放棄對基板I清洗的步驟。
【發明內容】
[0005]本發明針對現有的半導體材料層上的光刻膠曝光顯影后與基板接觸的面積小，導致光刻膠易脫落的問題，提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
[0006]解決本發明技術問題所采用的技術方案是:
[0007]—種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0008]在基板上形成半導體材料層，
[0009]在半導體材料層上涂覆光刻膠，
[0010]采用掩膜板對光刻膠進行曝光、顯影，使第一區域保留第一厚度的光刻膠，第二區域保留第二厚度的光刻膠，其中第一厚度大于第二厚度，第一區域為對應薄膜晶體管的有源區的區域，且每個第一區域均至少部分與第二區域相連；
[0011]灰化，將第二區域的光刻膠除去，第一區域仍保留至少部分光刻膠；
[0012]將完成上述步驟的基板進行刻蝕，去除暴露的半導體材料層，形成薄膜晶體管的有源區。
[0013]優選的，所述半導體材料層為多晶硅層。
[0014]優選的，所述在基板上形成半導體材料層與涂覆光刻膠之間還包括對基板進行清洗的步驟。
[0015]優選的，所述采用掩膜板對光刻膠進行曝光、顯影時還形成無光刻膠的第三區域。
[0016]優選的，所述每個第一區域均被第二區域圍繞，在第一區域外的任意方向上，第二區域的寬度至少為5±2 μπι。
[0017]優選的，所述基板上的全部第二區域連為一體。
[0018]優選的，所述第一厚度為10±2 μπι。
[0019]優選的，所述第二厚度為0.4±0.2 μπι。
[0020]本發明還提供一種陣列基板，所述陣列基板由上述的方法制成。
[0021]本發明還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述的陣列基板。
[0022]本發明的陣列基板的制備方法中，采用掩膜板對光刻膠進行曝光、顯影，使第一區域保留第一厚度的光刻膠，第二區域保留第二厚度的光刻膠，其中第一厚度大于第二厚度，第一區域為對應薄膜晶體管的有源區的區域，且每個第一區域均至少部分與第二區域相連，使得曝光后的光刻膠與基板接觸的面積大，第一區域的光刻膠不易脫落。本發明的陣列基板的制備方法適用于制備各種陣列基板。
【附圖說明】
[0023]圖1為現有的陣列基板的制備方法示意圖；
[0024]圖2為現有的陣列基板曝光顯影后示意圖；
[0025]圖3為本發明的實施例2的陣列基板的制備方法示意圖；
[0026]圖4為本發明的實施例2的陣列基板曝光顯影后示意圖；
[0027]圖5為本發明的實施例2的陣列基板曝光顯影后俯視示意圖；
[0028]其中，附圖標記為:1、基板；2、柵極；3、柵極絕緣層；4、半導體材料層；5、光刻膠；51、第一區域；52、第二區域；6、掩膜板。
【具體實施方式】
[0029]為使本領域技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發明作進一步詳細描述。
[0030]實施例1:
[0031]本實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0032]在基板上形成半導體材料層，
[0033]在半導體材料層上涂覆光刻膠，
[0034]采用掩膜板對光刻膠進行曝光、顯影，使第一區域保留第一厚度的光刻膠，第二區域保留第二厚度的光刻膠，其中第一厚度大于第二厚度，第一區域為對應薄膜晶體管的有源區的區域，且每個第一區域均至少部分與第二區域相連；
[0035]灰化，將第二區域的光刻膠除去，第一區域仍保留至少部分光刻膠；
[0036]將完成上述步驟的基板進行刻蝕，去除暴露的半導體材料層，形成薄膜晶體管的有源區。
[0037]本實施例的陣列基板的制備方法中，采用掩膜板對光刻膠進行曝光、顯影，使第一區域保留第一厚度的光刻膠，第二區域保留第二厚度的光刻膠，其中第一厚度大于第二厚度，第一區域為對應薄膜晶體管的有源區的區域，且每個第一區域均至少部分與第二區域相連，使得曝光后的對應有源區的光刻膠還與其他的光刻膠(第二區域的光刻膠)相連，從而光刻膠與基板接觸的面積大，在后續的步驟中第一區域的光刻膠不會脫落。本實施例的陣列基板的制備方法適用于制備各種陣列基板。
[0038]實施例2:
[0039]如圖3-5所示，本實施例提供一種陣列基板的制備方法，包括以下步驟:
[0040]S01、在基板I上形成半導體材料層4。
[0041]該半導體材料層4優選為多晶硅層。
[0042]優選的，在基板I上形成半導體材料層與涂覆光刻膠5之間還包括對基板I進行清洗的步驟。
[0043]也就是說，現有技術中，原本在涂覆光刻膠前應該有對基板I清洗的步驟，