基板處理裝置的制造方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及處理基板的基板處理裝置。
【背景技術】
[0002]以往，在半導體基板(以下，僅稱為“基板”。)的制造工序中，使用多種類的基板處理裝置對基板實施各種處理。例如，通過向在表面上形成有抗蝕劑的圖案的基板供給藥液，由此對基板的表面進行蝕刻等處理。另外，在蝕刻處理結束后，還進行除去基板上的抗蝕劑或清洗基板的處理。
[0003]在日本特開2011-216608號公報(文獻I)中，公開了在密閉腔室的內部空間內，從噴嘴向基板的主面上噴出處理液來進行基板的處理的裝置。噴嘴在基板的上方由噴嘴臂支撐，噴嘴臂經由在密閉腔室上形成的貫通孔跨越密閉腔室的內外延伸。貫通孔由密封結構密封。在進行基板的處理時，噴嘴與噴嘴臂一起沿著旋轉的基板的主面移動。
[0004]但是，在文獻I的裝置中，在對基板的一系列處理結束后，在密閉腔室內進行使基板以高速旋轉來干燥的工序(所謂的旋轉干燥)。在進行基板的干燥處理時，由于在噴出藥液時利用的噴嘴還存在于密閉腔室內。因此，來自噴嘴的藥液的霧滴等有可能附著于基板上。
【發明內容】
[0005]本發明為一種處理基板的基板處理裝置，其目的在于，在密閉的空間將腔室空間與向基板供給處理液的處理液供給部隔離。
[0006]本發明的基板處理裝置具有:腔室，具有形成腔室空間的腔室主體以及腔室蓋部，通過所述腔室蓋部堵塞所述腔室主體的上部開口，來對所述腔室空間進行密閉，
[0007]腔室開閉機構，使所述腔室蓋部相對于所述腔室主體在上下方向上移動，
[0008]基板保持部，配置在所述腔室空間內，將基板保持為水平狀態，
[0009]基板旋轉機構，以朝向上下方向的中心軸為中心，使所述基板與所述基板保持部一起進行旋轉，
[0010]杯部，在整周位于所述腔室的外側，并在所述腔室的外周形成側方空間，能夠接收從旋轉的所述基板經由使所述腔室蓋部從所述腔室主體分離而在所述基板的周圍形成的環狀開口飛散的處理液，
[0011]處理液供給部，在所述側方空間內安裝在所述腔室或所述杯部上，經由所述環狀開口移動到所述基板的上方并向所述基板上供給處理液，或者經由所述環狀開口向所述基板上供給處理液；
[0012]在形成有所述環狀開口的狀態下，使所述杯部與所述腔室蓋部接觸，從而所述腔室空間以及所述側方空間成為I個擴大密閉空間(100)。
[0013]根據本發明，能夠使腔室空間與處理液供給部隔離。
[0014]在本發明的一個優選的實施方式中，所述處理液供給部具有:
[0015]噴出頭，噴出處理液，
[0016]頭支撐部，其是在水平方向上延伸的構件，在自由端部固定有所述噴出頭，固定端部在所述側方空間內安裝在所述腔室或所述杯部上；
[0017]所述基板處理裝置還具有以所述固定端部為中心使所述頭支撐部與所述噴出頭一起旋轉的頭旋轉機構，
[0018]在要向所述基板上供給處理液時，通過所述頭旋轉機構使所述頭支撐部進行旋轉，從而所述噴出頭經由所述環狀開口向所述基板的上方移動。
[0019]更優選，所述頭旋轉機構配置在所述擴大密閉空間的外側。
[0020]進而更優選，該基板處理裝置還具有杯部移動機構，該杯部移動機構使所述杯部在所述環狀開口的外側的液體接收位置和所述液體接收位置的下方的退避位置之間在上下方向上移動，
[0021 ] 所述頭旋轉機構固定在所述杯部的上部，與所述杯部一起在上下方向上移動。
[0022]或者，所述頭旋轉機構固定在所述腔室蓋部上，與所述腔室蓋部一起相對于所述腔室主體部在上下方向上移動。
[0023]在本發明的其他優選的實施方式中，所述噴出頭在通過所述基板旋轉機構旋轉的所述基板的上方，沿著規定的移動路徑進行往復移動，并向所述基板上供給處理液。
[0024]在本發明的其他優選的實施方式中，該基板處理裝置還具有:
[0025]其他杯部，在所述擴大密閉空間內在整周位于所述環狀開口的外側，能夠接收從旋轉的所述基板飛散的處理液，
[0026]其他杯部移動機構，使所述其他杯部在所述環狀開口的外側的液體接收位置和所述液體接收位置的下方的退避位置之間，相對于所述杯部獨立地在上下方向上移動。
[0027]在本發明的其他優選的實施方式中，在所述處理液供給部容納在所述側方空間內的狀態下，從所述處理液供給部進行預噴出。
[0028]上述的目的和其他目的、特征、形態以及優點通過以下參照附圖進行的本發明的詳細說明能夠清楚。
【附圖說明】
[0029]圖1是第一實施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0030]圖2是表不氣液供給部和氣液排出部的框圖。
[0031]圖3是表示基板處理裝置的處理的流程的圖。
[0032]圖4是基板處理裝置的剖視圖。
[0033]圖5是表不基板處理裝置的一部分的俯視圖。
[0034]圖6是基板處理裝置的剖視圖。
[0035]圖7是基板處理裝置的剖視圖。
[0036]圖8是表示基板處理裝置的其他例的剖視圖。
[0037]圖9是基板處理裝置的剖視圖。
[0038]圖10是第二實施方式的基板處理裝置的剖視圖。
[0039]圖11是表示基板處理裝置的處理的流程的一部分的圖。
[0040]圖12是基板處理裝置的剖視圖。
[0041]圖13是基板處理裝置的剖視圖。
[0042]圖14是基板處理裝置的剖視圖。
[0043]圖15是基板處理裝置的剖視圖。
[0044]圖16是表示基板處理裝置的其他例的剖視圖。
【具體實施方式】
[0045]圖1是表示本發明的第一實施方式的基板處理裝置I的剖視圖。基板處理裝置I是向大致圓板狀的半導體基板9 (以下，僅稱為“基板9”)供給處理液來逐張處理基板9的單張式裝置。在圖1中，對基板處理裝置I的一部分的結構的截面省略標注平行斜線(在其他剖視圖中也同樣)。
[0046]基板處理裝置I具有腔室12、頂板123、腔室開閉機構131、基板保持部14、基板旋轉機構15、液體接收部16和罩17。罩17覆蓋腔室12的上方以及側方。
[0047]腔室12具有腔室主體121和腔室蓋部122。腔室12呈以朝向上下方向的中心軸Jl為中心的大致圓筒狀。腔室主體121具有腔室底部210和腔室側壁部214。腔室底部210具有:大致圓板狀的中央部211 ;大致圓筒狀的內側壁部212，從中央部211的外緣部向下方擴展；大致圓環板狀的環狀底部213，從內側壁部212的下端向徑向外方擴展；大致圓筒狀的外側壁部215，從環狀底部213的外緣部向上方擴展；大致圓環板狀的基座部216，從外側壁部215的上端部向徑向外方擴展。
[0048]腔室側壁部214呈以中心軸Jl為中心的環狀。腔室側壁部214從基座部216的內緣部向上方突出。如后面所述那樣，形成腔室側壁部214的構件兼用作液體接收部16的一部分。在以下的說明中，將被腔室側壁部214、外側壁部215、環狀底部213、內側壁部212和中央部211的外緣部包圍的空間稱為下部環狀空間217。
[0049]在基板保持部14的基板支撐部141 (后述)上支撐有基板9的情況下，基板9的下表面92與腔室底部210的中央部211的上表面相向。在以下的說明中，將腔室底部210的中央部211稱為“下表面相向部211”，將中央部211的上表面211a稱為“相向面211a”。關于下表面相向部211的詳細結構在后面敘述。
[0050]腔室蓋部122呈與中心軸Jl垂直的大致圓板狀，包含腔室12的上部。腔室蓋部122堵塞腔室主體121的上部開口。在圖1中示出腔室蓋部122從腔室主體121分離的狀態。在腔室蓋部122堵塞腔室主體121的上部開口時，腔室蓋部122的外緣部與腔室側壁部214的上部接觸。
[0051]腔室開閉機構131使作為腔室12的可動部的腔室蓋部122相對于作為腔室12的其他部位的腔室主體121在上下方向上移動。腔室開閉機構131是對腔室蓋部122進行升降的蓋部升降機構。在通過腔室開閉機構131使腔室蓋部122在上下方向上移動時，頂板123也與腔室蓋部122 —起在上下方向上移動。腔室蓋部122與腔室主體121接觸來堵塞上部開口，進而，腔室蓋部122被向腔室主體121按壓，由此在腔室12內形成密閉的腔室空間120(參照圖7)。換言之，通過由腔室蓋部122堵塞腔室主體121的上部開口，腔室空間120得以密閉。
[0052]基板保持部14配置在腔室空間120內，將基板9保持為水平狀態。S卩，基板9在上表面91與中心軸Jl垂直且朝向上側的狀態被基板保持部14保持。基板保持部14具有:上述的基板支撐部141，對基板9的外緣部(即包含外周緣的外周緣附近的部位)從下側進行支撐；基板按壓部142，對被基板支撐部141支撐的基板9的外緣部從上側按壓。基板支撐部141具有以中心軸Jl為中心的大致圓環板狀的支撐部基座413和固定在支撐部基座413的上表面上的多個第一接觸部411。基板按壓部142具有固定在頂板123的下表面上的多個第二接觸部421。多個第二接觸部421在周向上的位置實際上與多個第一接觸部411在周方向上的位置不同。
[0053]頂板123呈與中心軸Jl垂直的大致圓板狀。頂板123配置在腔室蓋部122的下方且配置在基板支撐部141的上方。頂板123在中央具有開口。當基板9被基板支撐部141支撐時，基板9的上表面91與垂直于中心軸Jl的頂板123的下表面相向。頂板123的直徑大于基板9的直徑，頂板123的外周緣相比基板9的外周緣在整周位于徑向外側。
[0054]在圖1所示的狀態下，頂板123以由腔室蓋部122懸吊的方式被支撐。腔室蓋部122在中央部具有大致環狀的板保持部222。板保持部222具有以中心軸Jl為中心的大致圓筒狀的筒部223和以中心軸Jl