光電子器件及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種如在專利權利要求1中所請求保護的光電子器件和一種如在專利權利要求11中所請求保護的用于制造光電子器件的方法。
【背景技術】
[0002]明確地形成本申請的公開內容的部分的德國優先權申請DE 10 2013 206 963.4同樣地描述了一種光電子器件和一種用于制造光電子器件的方法。
[0003]從現有技術中公知了包括被預成型的塑料殼體(預成型殼體)的光電子器件。這樣的塑料殼體常常具有填充有灌封材料(potting material)的腔，該灌封材料用于機械保護并且能夠帶來漫射光散射和/或波長轉換。在制造這樣的光電子器件期間，被預成型的塑料殼體遭受可引起在塑料殼體的材料與嵌入到塑料殼體中的引線框架部分之間形成間隙的機械負荷。這產生當腔被填充有灌封材料時可導致灌封材料潛伸到光電子器件的焊接側上的不潛伸透性。在光電子器件的焊接側上，灌封材料可沾污焊接面并且由此使光電子器件不能用。
【發明內容】
[0004]本發明的一個目標是要提供一種包括塑料殼體的光電子器件。該目標借助包括權利要求I的特征的光電子器件來實現。本發明的另一目標是要詳細說明一種用于制造光電子器件的方法。該目標借助包括權利要求11的特征的方法來實現。各種擴展方案在從屬權利要求中予以詳細說明。
[0005]一種光電子器件包括塑料殼體，第一引線框架部分被嵌入到該塑料殼體中。第一引線框架部分的芯片著陸面(chip landing face)和焊接接觸面至少部分地并未被塑料殼體覆蓋。焊接接觸面具有槽。所述槽并不被塑料殼體的材料所覆蓋。有利地，第一引線框架部分在該光電子器件中的焊接接觸面受槽保護以免遭沾污。潛伸通過塑料殼體的材料與第一引線框架部分之間的間隙的灌封材料不能經由該槽前進到第一引線框架部分的焊接接觸面上，并且因此不能完全地潤濕該焊接接觸面。因此，該焊接接觸面有利地保持可接近的，并且在光電子器件的焊接期間可被焊料潤濕。
[0006]在光電子器件的一個實施例中，槽被布置在焊接接觸面的邊緣區域中。有利地，因此焊接接觸面的可能的沾污不能超過焊接接觸面的邊緣區域而前進到焊接接觸面上。
[0007]在光電子器件的一個實施例中，槽以至少分部分地圍繞焊接接觸面的中央區域周向延伸的方式被嵌入。有利地，焊接接觸面的中央區域由此被保護以免遭沾污。
[0008]在光電子器件的一個實施例中，槽具有在1Mm到Imm之間的深度，優選地具有在50Mm到200Mm之間的深度。槽例如可以具有為10Mm的深度和為150Mm的寬度。具有這些尺寸的槽有利地確保了在焊接接觸面與支承部之間的毛細力在該槽的區域中被中斷，該焊接接觸面壓在該支承部上。因此，進行沾污的材料不能超過該槽而前進到焊接接觸面上。
[0009]在光電子器件的一個實施例中，光電子半導體芯片被布置在芯片著陸面上。有利地，第一引線框架部分可以把光電子半導體芯片的電接觸引到焊接接觸面。因此，該光電子器件的光電子半導體芯片可以經由焊接連接被電接觸到焊接接觸面。
[0010]在光電子器件的一個實施例中，塑料殼體具有鄰接芯片著陸面的腔。在這種情況下，灌封材料被布置在該腔中。有利地，灌封材料可以被布置在塑料殼體的腔中，而此處無需擔心焊接接觸面被灌封材料沾污。
[0011]在光電子器件的一個實施例中，槽被設置用于防止中央區域被灌封材料潤濕。可能潛伸通過在塑料殼體的材料與第一引線框架部分之間的間隙的灌封材料不能經由槽前進直至第一引線框架部分的焊接接觸面的中央區域，并且因此不能潤濕該中央區域。因此，焊接接觸面的中央區域有利地保持可接近的，并且在光電子器件的焊接期間可被焊料潤濕。
[0012]在光電子器件的一個實施例中，灌封材料包括硅樹脂。有利地，硅樹脂可以帶來對光電子器件的光電子半導體芯片的機械保護。灌封材料也可以包括光散射顆粒和/或轉換器顆粒。在這種情況下，光電子器件的灌封材料有利地帶來了漫射光散射和/或波長轉換。
[0013]在光電子器件的一個實施例中，第二引線框架部分被嵌入到塑料殼體中。在這種情況下，第二引線框架部分具有上部面和下部面，所述上部面和下部面至少部分地未被塑料殼體覆蓋。有利地，嵌入到塑料殼體中的第二引線框架部可以在光電子器件的外側處提供第二焊接接觸。第二焊接接觸例如可以用于電接觸光電子器件的光電子半導體芯片。
[0014]在光電子器件的一個實施例中，第二引線框架部分的下部面具有另一槽。有利地，第二引線框架部分的下部面因此也被保護以免遭用灌封材料沾污。
[0015]—種用于制造光電子器件的方法包括如下步驟:用于提供第一引線框架部分的步驟，所述第一引線框架部分具有芯片著陸面并且具有焊接接觸面，所述焊接接觸面具有槽；以及用于將第一引線框架部分嵌入到塑料殼體中使得芯片著陸面和焊接接觸面至少部分地未被塑料殼體覆蓋的步驟。在這種情況下，所述槽并沒有被塑料殼體的材料所覆蓋。有利地，其中第一引線框架部分的焊接接觸面可用于電接觸光電子器件的光電子器件借助該方法而是可獲得的。在這種情況下，焊接接觸面有利地受槽保護以免遭沾污。因此確保了用焊料對焊接接觸面的良好潤濕性。
[0016]在該方法的一個實施例中，該方法包括用于將光電子半導體芯片布置在第一引線框架部分的芯片著陸面上的另一步驟。有利地，被定位在第一引線框架部分的芯片著陸面上的光電子半導體芯片可以經由第一引線框架部分的焊接接觸面而被電接觸。
[0017]在該方法的一個實施例中，該方法包括用于將灌封材料布置在塑料殼體的腔中的另一步驟，其中所述腔與芯片著陸面鄰接。這有利地確保了，布置在該腔中的灌封材料并沒有沾污第一引線框架部分的焊接接觸面。灌封材料的潛伸通過可能存在于塑料殼體的材料與嵌入到該塑料殼體中的第一引線框架部分之間的間隙的部分不能超過布置在焊接接觸面中的槽而前進到該焊接接觸面上。
[0018]在該方法的一個實施例中，槽防止焊接接觸面的中央區域被灌封材料潤濕，圍繞所述中央區域，該槽以至少分部分地周向延伸的方式被嵌入。可能潛伸通過在塑料殼體的材料與第一引線框架部分之間的間隙的灌封材料不能經由該槽前進直至第一引線框架部分的焊接接觸面的中央區域，并且因此不能潤濕該中央區域。因此，焊接接觸面的中央區域有利地保持可接近的，并且能在光電子器件的焊接期間被焊料潤濕。
【附圖說明】
[0019]這個發明的上述特性、特征和優點以及實現這些特性、特征和優點的方式與如下對示例性實施例的描述結合將變得更清楚并且更清楚地被理解，所述示例性實施例與附圖結合地予以更為詳細地解釋。此處總是以示意性的圖示:
圖1示出了穿過處于第一處理狀態下的光電子器件的塑料殼體的剖面；
圖2示出了塑料殼體的焊接側的平面圖；
圖3示出了穿過處于第二處理狀態下的光電子器件的塑料殼體的剖面；以及圖4示出了處于完成的處理狀態下的光電子器件的剖視圖。
【具體實施方式】
[0020]圖1示出了塑料殼體100的示意性截面圖。塑料殼體100具有頂側110和與頂側110對置的底側120。圖2示出了塑料殼體100的底側120的示意性平面圖。塑料殼體100可以用作用于光電子器件、例如發光二極管器件的殼體。
[0021]塑料殼體100也可以被稱為預成型殼體或者被預成型的殼體。塑料殼體100可以例如通過注塑成型方法或轉移成型方法(成型方法(mold method))來制造。塑料殼體100包括塑料材料。
[0022]腔