基于SiGeSn-GeSn材料的II型異質結隧穿場效應晶體管的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于微電子器件技術領域，特別涉及一種II型異質結隧穿場效應晶體管TFET，可用于制作大規模集成電路。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路的進一步發展，芯片特征尺寸的進一步縮小，單個芯片上集成的器件數目的進一步增多，功耗越來越受到人們的關注。根據ITRS數據顯示，當特征尺寸縮小到32nm節點時，功耗會是預計趨勢的8倍，即隨著特征尺寸的逐步縮小，傳統的MOS器件就功耗方面將不能滿足需求。另外，場效應晶體管MOSFET尺寸的減小面臨著室溫下亞閾值斜率最小為60mV/deCade的限制。基于量子隧穿效應的隧穿場效應晶體管TFET與MOSFET相比，沒有亞閾值斜率最小為eOmv/decade的限制，并且可以有效的降低功耗。因此，如何提高隧穿幾率、增大隧穿電流成為TFET研究的重點。理論和實驗已經證明II型異質結TFET比同質結TFET具有更高的隧穿電流及器件性能。
[0003]目前，用于隧穿場效應晶體管的半導體材料主要是II1-V族材料，由于其具有較高的電子迀移率，且材料來源相對豐富，容易實現異質結，已經成功制備了許多高性能器件。這種II1-V族材料存在三方面的缺點，一是污染環境，二是成本非常高，三是與Si基技術不兼容。
[0004]為了解決II1-V族材料的不足，近年來由各國科學家開始對IV族材料體系在隧穿場效應晶體管方面的應用進行研究。IV族材料體系具有無毒、廉價、且易實現等優點，但是目前將IV族材料體系用于隧穿場效應晶體管僅限于S1、Ge材料，由于Si及SiGe為間接帶隙材料且帶隙較大，使得目前應用IV族材料體系的隧穿場效應晶體管與II1-V族材料相比，性能差距較大。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于針對上述已有技術的不足，根據IV族材料體系中GeSn、SiGeSn材料的特性，提供一種SiGeSn-GeSn材料的II型異質結隧穿場效應晶體管，以調節能帶結構，減小帶隙寬度，降低隧穿勢皇，增大隧穿電流，提高器件的整體性能。
[0006]本發明的技術方案是這樣實現的:
[0007]理論研究和實驗證明，通過材料組分的調節，無論是GeSn材料，還是SiGeSn材料都能夠由間接帶隙材料轉變為直接帶隙材料，根據此原理本發明基于SiGeSn-GeSn材料的II型異質結隧穿場效應晶體管，包括:襯底、源極、溝道、漏極、絕緣介質薄膜及柵電極，其特征在于:
[0008]所述源極和漏極，均采用通式為Si1 y ,GeySnz^ SiGeSn復合材料，其中y為Ge的組分，z為Sn的組分，且0.1彡z彡0.2，0.2彡y彡0.5 ;
[0009]所述溝道，采用通式為Ge1 xSn:^ GeSn單晶材料，其中x為Sn的組分，且0.05 ^ X ^ 0.12 ；
[0010]所述源極、溝道和漏極，在襯底上依次由下至上豎直分布，在源極與溝道的接觸處形成II型異質隧穿結，所述絕緣介質薄膜和柵電極設置在溝道的外圍。
[0011]本發明制作上述基于SiGeSn-GeSn材料的II型異質結隧穿場效應晶體管，包括如下步驟:
[0012]I)利用分子束外延工藝，在襯底上生長Ge組分為0.2?0.5，Sn組分為0.1?0.2的SiGeSn復合材料，形成源極層；
[0013]2)利用分子束外延工藝，在源極層上生長Sn組分為0.05?0.12的單晶GeSn材料，形成溝道層；
[0014]3)利用分子束外延工藝，在溝道層上生長Ge組分為0.2?0.5，Sn組分為0.1?0.2的SiGeSn復合材料，形成漏極層；
[0015]4)利用刻蝕工藝，將源極層、溝道層和漏極層四周多余部分刻蝕掉，在中間形成源極區、溝道區和漏極區的豎直分布結構；
[0016]5)對源極區、溝道區和漏極區分別進行離子注入，即在源極區中注入能量為20KeV、劑量為119Cm 3的B元素，形成P +摻雜的源極；在溝道區中注入能量為20KeV、劑量為115Cm 3的B元素，形成P摻雜的溝道；在漏極區中注入能量為20KeV、劑量為10 19cm 3的P元素，形成N+摻雜漏極；
[0017]6)利用原子層淀積工藝，在240?260°C的溫度環境下，在溝道四周環繞依次淀積絕緣介質薄膜和柵電極。
[0018]本發明的具有如下優點:
[0019]本發明由于源極采用SiGeSn單晶材料，溝道采用GeSn單晶材料，使得源極與溝道接觸形成所形成的II型異質結，減小了隧穿勢皇，增大了隧穿幾率和隧穿電流，進而提升了隧穿場效應晶體管的整體性能。
【附圖說明】
[0020]圖1為本發明場效應晶體管的結構圖；
[0021]圖2為本發明場效應晶體管的制作流程示意圖。
【具體實施方式】
[0022]為了使本發明的目的及優點更加清楚明白，以下結合附圖和實施例對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用于以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0023]參照圖1，本發明基于SiGeSn-GeSn材料的II型異質結隧穿場效應晶體管包括:襯底1、源極2、溝道3、漏極4、絕緣介質薄膜5及柵電極6，其中源極2、溝道3、漏極4由下而上豎直分布于襯底I上，絕緣介質薄膜5環繞包裹于溝道3四周，柵電極6環繞包裹于絕緣介質薄膜5四周。
[0024]所述源極2和漏極4均采用通式為Si1 y ,GeySnz^ SiGeSn復合材料，其中y為Ge組分，z為Sn組分，0.1彡z彡0.2，0.2彡y彡0.5。
[0025]所述溝道3采用通式為Ge1 單晶GeSn材料，其中x為Sn的組分，
0.05 彡 X 彡 0.12。
[0026]參照圖2，本發明制作基于SiGeSn-GeSn材料的II型異質結隧穿場效應晶體管的方法，給出如下三種實施例。
[0027]實施例1:制作基于Sia47Gea33SnQ.2Q-GeQ.92Sna(^^i|^ II型異質結隧穿場效應晶體管。
[0028]步驟1:外延源極層
[0029]利用分子束外延工藝，在Ge襯底I上，以固體S1、Ge和Sn作為蒸發源，在壓強為10 4pa，溫度為180°C的條件下，生長Ge組分為0.33、Sn組分為0.20的SiGeSn復合材料，形成源極層，如圖2a ；
[0030]步驟2:外延溝道層
[0031]利用分子束外延工藝，在源極層上，以固體Ge和Sn作為蒸發源，在壓強為10 4pa，溫度為180°C的條件下，生長Sn組分為0.08的GeSn單晶，形成溝道層，如圖2b ;
[0032]步驟3:外延漏極層
[0033]利用分子束外延工藝，在溝道層上，以固體S1、Ge和Sn作為蒸發源，在壓強為10 4pa，溫度為180°C的條件下，生長Ge組分為0.33、Sn組分為0.20的SiGeSn復合材料，形成漏極層如圖2c。
[0034]步驟4:刻蝕形成源極區、溝道區和漏極區
[0035]利用刻蝕工藝，采用氯基原子團作為刻蝕劑，在光刻膠的掩蔽作用下，將源極層、溝道層和漏極層四周多余部分刻蝕，在中間形成自下而上的源極區、溝道區和漏極區豎直分布結構，如圖2d。
[0036]步驟5:離子注入形成源極、溝道和漏極
[0037]在源極區中注入能量為20KeV、劑量為119Cm 3的B元素，形成P +摻雜的源極2 ;
[0038]在溝道區中注入能量為20KeV、劑量為115Cm 3的B元素，形成P摻雜的溝道3 ；
[0039]在漏極區中注入能量為20KeV、劑量為119Cm 3的P元素，形成N+摻雜漏極4，如圖2θ ；
[0040]步驟6:淀積絕緣介質薄膜和柵電極
[0041]利用原子層淀積工藝，在環境溫度為240°C的N2、O2氛圍下，先在溝道3四周環繞淀積絕緣介質S12形成絕緣介質薄膜5 ;再在