導電材料)，所述微通道11的另一端為輸出端112。薄膜20的一端鍍制在輸出端112的端部，另一端鍍制在輸出端112的內壁上r薄膜20包括依次鍍制在輸出端112的第一導電層21、介質層22和第二導電層23 ;其中，第一導電層21、介質層22及第二導電層23處于微通道11內壁的部分的長度依次減小。其中，第一導電層21、介質層22和第二導電層23之間具有較好的結合力以使其不會出現翹皮。當在第一導電層21和第二導電層23上施加不同的電勢時，微通道11輸出端111的內部的產生不同的電場，將會改變流經的電子束I的運動方向，從而可控制電子束能有在平行于微通道的軸線運動，達到自聚焦的目的，從而提高了微通道板的空間分辨能力。同時，避免了通過改變微通道板的孔徑大小帶動微通道的厚度改變，來提高微通道板的空間分辨能力，從而避免了后續加工過程中出現微通道板變形的現象發生，降低了微通道板的制造難度，提高了成品率。
[0048]在本實施例中，介質層主要起到絕緣的作用，來隔離第一導電層和第二導電層。因此，進一步的，上述實施例中所述的介質層可以采用無機膜。由于無機膜不但具有絕緣性能夕卜，還能經得起400°C左右的烘烤。因此，在后續對微通道板進行處理(如氫還原處理等)中，有效的防止了由于高溫較高造成的脫模現象發生。在具體實施時，所述無機膜可以為氧化硅膜或氧化鋁膜。
[0049]在本實施例中，第一導電層和第二導電層的材料的選取需要具備以下三要素:第一，第一導電層和第二導電層的電導率高。第二，第一導電層和第二導電層的化學穩定性好；第三，第一導電層和第二導電層與基板的結合強度高。因此，第一導電層和第二導電層可以選用現有技術中能夠滿足上述三要素的材料均可。進一步的，上述實施例中所述的第一導電層可以為鎳鉻合金膜、鎳鉻鐵膜或鉻膜中的一種；所述第二導電層可以為鎳鉻合金膜、鎳鉻鐵膜或鉻膜中的一種。由于鎳鉻合金、鎳鉻鐵和純鉻是目前具備三要素中比較好的導電材料。
[0050]在本實施例中，第一導電層、介質層和第二導電層的厚度均為300nm?400nm，而該厚度的設置使得薄膜與微通道的內壁幾乎處于同一平面上，從而避免了對微通道的直徑大小的影響，進而防止了對流經微通道的電子束的增益性能的影響。
[0051]本發明實施例通過將至少一薄膜一端鍍制在基板的輸出端的端部，另一端鍍制在輸出端的內壁上Γ薄膜包括依次鍍制在輸出端的第一導電層、介質層和第二導電層。其中，第一導電層、介質層和第二導電層處于微通道內部的部分的長度依次減小。當在第一導電層和第二導電層分別施加不同的電勢時，微通道的輸出端處產生不同的電場，從而控制流經輸出端的增益電子束的逸出角度，進而增強微通道板的空間分辨能力。
[0052]本發明的實施例二提供了一種微通道板的制備方法，用于制備上述所述的微通道板，如圖5所示，該制備方法包括如下步驟:
[0053]201、制備出一種基板。
[0054]其中，該步驟中的基板上設有多個微通道，微通道的一端為輸入端，所述輸入端的端面涂有導電材料，所述微通道的另一端為輸出端。在每個微通道的內壁上可以涂有一種能發射次級電子的半導體材料，當給基板加了一定電壓后，就會在每個微通道中產生一個均勻的電場。這個電場是軸向的。這樣可使進入電場的低能電子(光子或電子)與壁碰撞的時候能產生次級電子，并且在軸向電場的作用下次級電子被加速，這樣次級電子碰到壁上又會產生更多的新的次級電子。
[0055]其中，制備出一種基板具體包括如下步驟:
[0056]2011、將第一玻璃件拉制成第一玻璃絲。
[0057]其中，該步驟中的第一玻璃件包括尺寸適配的第一玻璃管和第一玻璃棒，第一玻璃管套裝在第一玻璃棒上。第一玻璃管采用耐酸性的玻璃材質，第一玻璃棒采用能溶于酸的玻璃材質。
[0058]2012、將多根第一玻璃絲捆制成正六邊體結構，得到第一復合棒；將第一復合棒拉制成第二復合絲；將多根第二復合絲捆制成正六邊體結構，得到第二復合棒；將第二復合棒拉制成第一復合絲。
[0059]其中，為了保證最終制成的微通道板上微通道結構的均勻性，需要做三次拉制。較佳地，步驟I和步驟2中均采用高精度纖維成型機對玻璃件進行加熱和拉制，拉制溫度為810-8300C，絲徑拉制精度< 2 μ m。
[0060]其中，第一復合棒、第二復合棒均呈正六邊體結構。在進行將多根第一玻璃絲捆制成六邊體結構，得到第一復合棒的步驟，及將多根第二復合絲捆制成正六邊體結構，得到第二復合棒的步驟時，將多根第一玻璃絲或第二復合絲排列在正六邊形的模具里，排列完成后，捆扎，得到第一復合棒或第二復合棒。
[0061]2013、對第二復合絲進行定長切割處理、壓屏處理、切片處理、研磨處理及拋光處理，得到第二玻璃件。
[0062]在該步驟中，首先，對第一符合絲進行定長切割處理得到玻璃段。然后，將多個玻璃段排列成六邊體結構，并進行溫度為620-630°C，下壓刻度為3.5-4.0，mm的處理后，得到玻璃塊。然后，將玻璃塊進行切片處理，得到厚度為90mm的第二玻璃片。然后，對第二玻璃片研磨處理、拋光處理后，得到第二玻璃件。
[0063]其中，定長切割的尺寸是根據微通道板在實際應用中，微通道板的微通道的長徑比確定。
[0064]2014、對第二玻璃件進行酸蝕處理，得到具有均勻二維微孔通道陣列結構的第三玻璃件。
[0065]其中，為了減少酸蝕處理時間，對第二玻璃件進行酸蝕處理的具體步驟為:將第二玻璃件放置在耐酸容器中，采用溫度為50°C的硝酸對第二玻璃件進行酸蝕處理60min，得到具有均勻二維微孔通道陳列結構的第三玻璃件。
[0066]2015、對第三玻璃件進行燒氫還原處理，得到基板。
[0067]其中，為了使氫還原處理完全，對第三玻璃件進行燒氫還原處理具體為:將第三玻璃件放置在還原溫度為450-470°C的氫氣還原爐內進行ISOmin的理化處理，得到基板。
[0068]2 O 2、將薄膜的一端鍍制在輸出端的端部，將薄膜的另一端鍍制在輸出端的內壁上，得到微通道板。
[0069]其中，薄膜包括依次鍍制在輸出端的第一導電層、介質層和第二導電層；第一導電層、介質層、第二導電層處于微通道內壁的部分的長度依次減小，使得第一導電層所在的區域和第二導電層所在的區域的電場不同，從而使得增益電子束通過不同的電場后改變其的運動方向，進而可以調節增益電子束在輸出端的逸出角度，以確保增益電子束能夠平行于微通道軸線輸出(如圖3所示)，提高了微通道板的耦合性，增強了空間分辨能力。
[0070]另外，為了確定得到的基板的性能符合需要的標準，在得到微通道板后，需要對微通道板分別進行表觀檢測及成像與電性能檢測。具體為，如圖2、圖3和圖4所示，例如，得到孔徑為6 μπι的微通道板，在距微通道板的輸出端的一定位置處放置耦合器件2 (如熒光屏)，再在微通道板的輸入端和輸出端之間施加幾百伏的電壓，在輸出端和耦合器件間施加幾千伏的電壓(如圖2所示)，在輸出端的端部上的第一導電層和第二導電層上分別施加Vl和V2電勢，通過不斷的調節第一導電層和第二導電層間的電勢差V2-V1，在利用微通道板測試儀器測定不同電勢差下微通道板的空間分辨能力。在實際操作中，如圖4所示，若第一導電層和第二導電層間的電勢差為0V-250V，當施加的電勢差從OV逐漸增大時，檢測到微通道板的空間分辨能力從67.51p/mm逐漸增大；當施加的電勢差約為150V時，檢測到微通道板的空間分辨能力約為901p/mm，此時，微通道板的空間分辨能力為最佳。當施加的電勢差從150V向250V繼續增加時，檢測到微通道板的空間分辨能力由901p/mm逐漸下降至801p/mmo
[0071]本發明實施例通過制備出一種基板，該基板上設有多個微通道，微通道的一端為輸入端，另一端為輸出端；再將薄膜的一端鍍制在輸出端的端部，將薄膜的另一端鍍制在輸出端的內壁上，該薄膜包括依次鍍制在輸出端的第一導電層、介質層和第二導電層，第一導電層、介質層、第二導電層處于微通道內壁的部分的長度依次減小。該制備方法通過在微通道板的輸出端依次鍍制第一導電層、介質層和第二導電層，當