晶片的加工方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及分割晶片來形成多個芯片的晶片的加工方法。
【背景技術】
[0002]近年來，為了實現小型輕量的器件，需要通過磨削將由硅等材料構成的晶片加工得薄。在該磨削中例如使用如下的磨削裝置，該磨削裝置具有:卡盤工作臺，其抽吸保持晶片；以及磨削輪，其配置在卡盤工作臺的上方，并在該磨削輪的下表面固定有磨具(磨削磨具)。
[0003]通過在使卡盤工作臺與磨削輪相互旋轉的同時，使磨削輪下降來將磨削磨具按壓到晶片的被加工面，而能夠磨削晶片來進行薄化。但是，為了將伴隨著該薄化而剛性降低的晶片分割成多個芯片而利用切削刀具等進行切削時，容易產生崩邊(缺口)和裂化(裂紋)等問題。
[0004]因此，近年來，如下加工方法得以實用化:使難以被晶片吸收(具有透射性)的波長的激光束會聚在晶片的內部，形成作為分割的起點的改性區域(改性層)，之后對晶片進行磨削(例如，參照專利文獻I)。在該加工方法中，利用在磨削時施加的外力在將晶片薄化的同時將其分割成多個芯片，因此，不需要對剛性有所降低的晶片進行切削。
[0005]專利文獻1:國際公開第03/077295號
[0006]然而，在上述的加工方法中，通過分割形成的多個芯片彼此接近，因此，所形成的芯片在磨削中彼此接觸，特別是，芯片的角缺損的可能性高。若芯片的角缺損，則會以該缺口為起點產生裂紋，從而器件破損。
【發明內容】
[0007]本發明是鑒于上述問題點而完成的，其目的在于，提供能夠防止芯片的角的缺損的晶片的加工方法。
[0008]根據本發明，提供一種晶片的加工方法，該晶片在由多條間隔道劃分出的正面的各區域分別形成有器件，所述晶片的加工方法的特征在于，其具有:保護部件設置步驟，在該保護部件設置步驟中，將保護部件設置到晶片的正面；改性層形成步驟，在實施該保護部件設置步驟前或后，照射對晶片具有透射性的波長的激光束來在晶片的內部形成改性層；保持步驟，在實施了該保護部件設置步驟和該改性層形成步驟后，利用保持構件借助該保護部件保持晶片；以及磨削步驟，在實施了該保持步驟后，利用包含磨削磨具的磨削構件磨削晶片來將晶片薄化到規定的厚度，并且形成被沿著該改性層分割開的多個芯片，通過在該改性層形成步驟中，形成沿著該間隔道的改性層，并且在該間隔道的交叉區域形成俯視觀察時呈圓形的改性層、或頂點分別位于該間隔道上的俯視觀察時呈矩形狀的改性層，從而在該磨削步驟中所形成的多個芯片上形成將角去掉而成的去掉部。
[0009]在本發明的晶片的加工方法中，沿著晶片的間隔道形成改性層，并且在間隔道的交叉區域形成俯視觀察時呈圓形的改性層、或頂點分別位于間隔道上的俯視觀察時呈矩形狀的改性層，因此，之后通過沿著改性層分割晶片，能夠形成具有將角去掉而成的去掉部的多個芯片。
[0010]S卩，如果設置用于形成去掉部的矩形狀或者圓形的改性層，則在晶片的磨削中芯片的角會被去掉，因此，即使相鄰的芯片彼此接觸，芯片的角也不會缺損。這樣，根據本發明，能夠提供能夠防止芯片的角的缺損的晶片的加工方法。
【附圖說明】
[0011]圖1的㈧是示意性示出晶片的結構例的立體圖，圖1的⑶是示意性示出保護部件設置步驟的立體圖。
[0012]圖2的㈧是示意性示出改性層形成步驟的局部剖視側視圖，圖2的⑶是示意性示出在晶片中形成的改性層的俯視圖。
[0013]圖3是示意性示出保持步驟和磨削步驟的立體圖。
[0014]圖4是示意性示出所形成的芯片的形狀的俯視圖。
[0015]圖5的㈧是示意性示出在第I變形例中在晶片中形成的改性層的俯視圖，圖5的(B)是示意性示出在第2變形例中在晶片中形成的改性層的俯視圖。
[0016]圖6是示意性示出在第I變形例中形成的芯片的形狀的俯視圖。
[0017]標號說明
[0018]11:晶片；lla:正面；llb:背面；llc:外周；13:器件區域；15:外周剩余區域；17:間隔道(分割預定線);19:器件；21:保護部件;21a:正面；21b:背面;23、23a、23b、23c、23d、23e、23f:改性層；25:裂紋層；27:芯片;27a、27b:去掉部；2:激光加工裝置；4:激光加工頭；12:磨削裝置；14:卡盤工作臺(保持構件);16:主軸；18:輪座；20:磨削輪；22:輪基座；24:磨削磨具；L:激光束。
【具體實施方式】
[0019]參照附圖，對本發明的實施方式進行說明。本實施方式的晶片的加工方法包含保護部件設置步驟(圖1的(B))、改性層形成步驟(圖2的(A)、圖2的(B))、保持步驟(圖3)以及磨削步驟(圖3、圖4)。
[0020]在保護部件設置步驟中，將保護部件設置到晶片的正面側。在改性層形成步驟中，照射難以被晶片吸收的波長(具有透射性的波長)的激光束，來在晶片的內部形成改性層。在該改性層形成步驟中，沿著間隔道形成俯視觀察時呈直線狀的改性層，并且，在間隔道的交叉區域(交叉點附近)形成俯視觀察時呈矩形狀的改性層。
[0021]在保持步驟中，使晶片的正面側抽吸保持于卡盤工作臺(保持構件)。在磨削步驟中，磨削背面側來將晶片加工得薄，并且沿著改性層分割晶片來形成多個芯片。下面，對本實施方式的晶片的加工方法進行詳細描述。
[0022]圖1的⑷是示意性示出利用本實施方式的晶片的加工方法加工的晶片的結構例的立體圖。如圖1的(A)所示，晶片11例如是由硅等材料構成的圓盤狀的半導體晶片，正面Ila被分成中央的器件區域13和包圍器件區域13的外周剩余區域15。
[0023]器件區域13由排列成格子狀的間隔道(切削預定線)17進一步劃分為多個區域，在各區域形成有IC等器件19。晶片11的外周Ilc被倒角加工，并且截面形狀為圓弧狀。
[0024]在本實施方式的晶片的加工方法中，首先，實施在上述的晶片11的正面Ila側設置保護部件的保護部件設置步驟。圖1的(B)是示意性示出保護部件設置步驟的立體圖。如圖1的(B)所示，保護部件21形成為與晶片11大致相同形狀的圓盤狀。作為該保護部件21例如可以使用樹脂基板、粘接帶、半導體晶片等。
[0025]在保護部件設置步驟中，使晶片11的正面IIa側與保護部件21的正面21a側相面對，使晶片11與保護部件21重疊。此時，在晶片11的正面Ila與保護部件21的正面21a之間預先夾著粘接劑等。由此，保護部件21借助粘接劑等固定于晶片11的正面Ila側。
[0026]在保護部件設置步驟后，實施在晶片11的內部形成改性層的改性層形成步驟。圖2的(A)是示意性示出改性層形成步驟的局部剖視側視圖，圖2的(B)是示意性示出在晶片11中形成的改性層的俯視圖。改性層形成步驟例如利用圖2的(A)所示的激光加工裝置2實施。
[0027]激光加工裝置2具有抽吸保持晶片11的卡盤工作臺(未圖示)。該卡盤工作臺與馬達等旋轉機構(未圖示)連結，繞沿鉛直方向延伸的旋轉軸旋轉。并且，在卡盤工作臺的下方設置有移動機構(未圖示)，卡盤工作臺利用該移動機構沿水平方向移動。
[0028]卡盤工作臺的上表面為抽吸保持晶片11的正面Ila側(保護部件21的背面21b偵D的保持面。通過在卡盤工作臺的內部形成的流路而向保持面作用抽吸源的負壓，產生抽吸晶片11的抽吸力。在卡盤工作臺的上方配置有激光加工頭4。
[0029]激光加工頭4使由激光振蕩器(未圖示)振蕩產生的激光束L會聚在抽吸保持于卡盤工作臺的晶片11的內部。激光振蕩器構成為能夠振蕩產生難以被晶片11吸收的波長(具有透射性的波長)的激光束L。例如，在由硅構成的晶片11中形成改性層的情況下，作為激光振蕩器使用能夠振蕩產生波長為1064nm的激光束L的YAG或YV04脈沖激光振蕩器等即可。
[0030]在改性層形成步驟中，首先，使晶片11的正面IIa側(保護部件21的背面21b側)與卡盤工作臺的保持面接觸，并作用抽吸源的負壓。由此，晶片11以背面Ilb側在上方露出的狀態被抽吸保持于卡盤工作臺。
[0031]接著，使卡盤工作臺移動、旋轉，使激光加工頭4與作為加工對象的間隔道17位置對齊。在位置對齊后，從激光加工頭4朝向晶片11的背面Ilb照射激光束L，并且，使卡盤工作臺沿與作為加工對象的間隔道17平行的第I方向移動(加工進給)。即，使晶片11和激光加工頭4相對于作為加工對象的間隔道17平行地相對移動。
[0032]這里，激光束L的聚光點在晶片11的內部位于距正面Ila的距離比晶片11的完成厚度大的位置。并且，激光束L的功率較高地設定為從聚光點附近朝向晶片11的正面Ila產生裂紋(龜裂)的程度。如上所述，激光束L的波長是難以被晶片11吸收的波長(具有透射性的波長)。但是激光束L的照射條件并不一定限定于此。
[0033]當使這樣的激光束L會聚于晶片11的內部時，因在聚光點的附近產生的多光子吸收，使得晶片11被改性。因此，通過如上所述地使激光束L相對移動并照射，如圖2的(B)所示，能夠沿著作為加工對象的間隔道17形成俯視觀察時呈直線狀的改性層23a。另外，由于激光束L的功率被設定得高，因此，如圖